Аудио MOSFET транзисторы класса D
Все корпуса
|
Наим-е |
Корпус |
Напряжение пробоя |
Rds(on) тип. (10 В) |
Ток стока (25°C) |
Заряд затвора |
Класс |
| IRFI4024H-117P |
5-pin TO-220 |
55V |
48 mOhm |
11 A |
8.9 nC |
Consumer |
| IRFI4212H-117P |
5-pin TO-220 |
100V |
58 mOhm |
11 A |
12 nC |
Consumer |
| IRFI4019H-117P |
5-pin TO-220 |
150V |
80 mOhm |
8.7 |
13 nC |
Consumer |
| IRFI4020H-117P |
5-pin TO-220 |
200V |
80 mOhm |
9.1 A |
19 nC |
Consumer |
| IRF6665TRPBF |
DirectFET SH |
100V |
53 mOhm |
19 A |
8.7 nC |
Consumer |
| IRF6645TRPBF |
DirectFET SJ |
100V |
28 mOhm |
25 A |
14 nC |
Consumer |
| IRF6644TRPBF |
DirectFET MN |
100V |
10 mOhm |
60 A |
35 nC |
Consumer |
| IRF6775MTRPBF |
DirectFET MZ |
150V |
56 mOhm |
28 A |
25 nC |
Consumer |
| IRF6785MTRPBF |
DirectFET MZ |
200V |
85 mOhm |
15 A |
26 nC |
Consumer |
| IRF6648TRPBF |
DirectFET MN |
60V |
5.5 mOhm |
86 A |
36 nC |
Consumer |
| IRF6668TRPBF |
DirectFET MZ |
80V |
12 mOhm |
55 A |
22 nC |
Consumer |
| IRF6646TRPBF |
DirectFET MN |
80V |
7.6 mOhm |
68 A |
36 nC |
Consumer |
| IRFB4212PBF |
TO-220 |
100V |
72.5 mOhm |
18 A |
15 nC |
Industrial |
| IRFB4019PBF |
TO-220 |
150V |
80 mOhm |
17 A |
13 nC |
Consumer |
| IRFB5615PBF |
TO-220 |
150V |
32 mOhm |
35 A |
26 nC |
Industrial |
| IRFB4228PBF |
TO-220 |
150V |
12 mOhm |
83 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFB4020PBF |
TO-220 |
200V |
80 mOhm |
18 A |
18 nC |
Consumer |
| IRFB4227PBF |
TO-220 |
200V |
19.7 mOhm |
65 A |
70 nC |
Industrial |
| IRFB5620PBF |
TO-220 |
200V |
60 mOhm |
25 A |
25 nC |
Industrial |
| IRFP4668PBF |
TO-247 |
200V |
8 mOhm |
130 A |
161 nC |
Industrial |
| IRFB4229PBF |
TO-220 |
250V |
38 mOhm |
46 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFP4768PBF |
TO-247 |
250V |
14.5 mOhm |
93 A |
180 nC |
Industrial |
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).
Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).
Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.
Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.
Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.
Технические характеристики
Наиболее полная и подробная информация о 2N7002, с характеристиками и графиками зависимостей, представлена в технической документации (datasheet). Согласно справочных данных, основные параметры таких устройств у всех производителей практически одинаковые. Но прогресс не стоит на месте. Вместе с новыми требованиями предъявляемыми заказчиками, ужесточением экологических стандартов, многие компании совершенствуют процессы производства с одновременным улучшением свойств своих электронных продуктов.
Например, обновлённые 2N7002 от Infineon, производят с учётом требований европейских экономических норм (RoHS), с использованием безсвинцовых (Pb-Free) и безгалогеновым (Halogen-free) технологий. Последние имеют более прочные огнеупорные пластиковые корпуса PG-SOT-23 по классификации 94V-0, внешние выводы под пайку по стандарту MIL-STD-202. Последние обладают усиленной влагозащитой согласно J-STD-020, сертификатами соответствия методике испытаний JESD22, оценены по чувствительности к электрическим разрядам (ESS class) и др.
В datasheet некоторых компаний напрямую указывается о соблюдении при производстве требований JEDEC (США). Таким образом они подчёркивают качество свой продукции и её соответствие заявленным параметрам. Почти все известные брэнды являются членами указанной ассоциации полупроводниковых технологий. Очевидно, что основные максимальные и электрические параметры у новых устройств значительно лучше, чем у первых версий 90-х годов. Именно они будут рассмотрены далее.
Максимальные значения
Максимальные характеристики 2N7002 (при ТА=25oC):
- напряжение: сток-исток (V DS) до 60 В; затвор-исток (V GS) до 40 В;
- предельный ток стока (I D) до 0.3 A; импульсный (I D pulse) до 1.2 A;
- сопротивление проводящего канала сток-исток (R DS(on)): до 3 Ом (при VGS=10 В); до 4 Ом (при VGS=4.5 В);
- рассеиваемая мощность (P tot) — 0.5 Вт;
- рабочая температура (Tj) -55…150 oC.
Электрические значения
Следует отметить, что представленные выше значения справедливы только для идеальных условий эксплуатации. Их превышение зачастую приводит к разрушению структуры транзистора, его нестабильной работе с последующим выходом из строя. С ростом температуры окружающей среды (свыше +25oC) свойства изделия ухудшаются. Поэтому при планировании использования 2N7002 необходимо предусматривать 30% запас по всем параметрам. В datasheet вместе с максимальными (абсолютными) характеристиками приводятся электрические, при которых устройство работает стабильно и долго.
Маркировка
У smd-транзистора 2N7002 буквенно-цифровая маркировка. Чаще всего на его корпусе присутствуют следующие обозначения: 7002, 12W, 7200, 702. Очень редко, особенно на старых материнских платах, такие устройства встречается с символами: K7K, 72K, 7S2.
