Tip41c параметры транзистора биполярного низкочастотного npn. справочник параметров транзисторов

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type	Code	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
		Si	NPN	85	700	400	9	9	150	5	20
13007S		Si	NPN	75	500	350	9	8	150	4	20
13007T		Si	NPN	80	700	400	9	8	150	5	20
2SC4164M		Si	NPN	70	500	400	7	12	150	20	20
2SC4164N		Si	NPN	70	500	400	7	12	150	20	30
2SD1027		Si	NPN	100	200	200		15	175		3000
2SD1123		Si	NPN	100	200			8	150		1000
2SD1894		Si	NPN	70	160			7	150		15000
2SD1895		Si	NPN	100	160			8	150		15000
2SD2639		Si	NPN	80	160	140	6	12	150	15	60
2ST501T		Si	NPN	100	500	330	5	8	150		2000
3DD13005F8-1		Si	NPN	80	750	450	9	6	150	5	20
3DD13005F9-1		Si	NPN	80	750	450	9	6	150	5	20
3DD13005_F8-1		Si	NPN	80	750	450	9	6	150	5	20
3DD13005_F9-1		Si	NPN	80	750	450	9	6	150	5	20
3DD13007B8		Si	NPN	80	700	400	9	8	150	5	20
3DD13007X1		Si	NPN	80	700	400	9	8	150	5	20
3DD13007Y8		Si	NPN	80	520	340	9	7	150	4	20
3DD13007_B8		Si	NPN	80	700	400	9	8	150	5	20
3DD13007_X1		Si	NPN	80	700	400	9	8	150	5	20
3DD13007_Y8		Si	NPN	80	520	340	9	7	150	4	20
3DD13009A8		Si	NPN	100	700	400	9	12	150	4	20
3DD13009C8		Si	NPN	100	700	400	9	12	150	5	20
3DD13009_A8		Si	NPN	100	700	400	9	12	150	4	20
3DD13009_C8		Si	NPN	100	700	400	9	12	150	5	20
3DD13012A8		Si	NPN	100	750	400	10	15	150	5	20
3DD4206	D4206	Si	NPN	75	600	400	9	7	150	6	20
BD743E		Si	NPN	90	150	140	5	15	150	5	20
BD743F		Si	NPN	90	170	160	5	15	150	5	20
BDS12		Si	NPN	90		100		15	200	3	40
BDS16		Si	NPN	90		120		15	200	30	40
BDS17		Si	NPN	90		150		15	200	30	40
BDX33E		Si	NPN	70	140	140	5	10	200	20	750
BTC1510E3		Si	NPN	65	150	150	5	10	150		2000
BU109NP		Si	NPN	85	330	120	7	10	150	10	25
BU522		Si	NPN	75	400	350	5	7	150	3	250
BU522A		Si	NPN	75	450	400	5	7	150	3	250
BU522B		Si	NPN	75	475	450	5	7	150	3	250
BU810		Si	NPN	75	600	400		7	150		100
BU921T		Si	NPN	105	450	400	5	10	150		50
BU922T		Si	NPN	105	500	450	5	10	150		50
BU931T		Si	NPN	125	500	400	5	10	175		80
BU941A		Si	NPN	150		400	5	15	175		300
BU941T		Si	NPN	150	500	400	5	15	175		300
BU941ZE3		Si	NPN	150	350	350	5	15	175		300
BU941ZLE3		Si	NPN	150	350	350	5	15	175		1000
BU941ZT		Si	NPN	150	350	300	5	15	175		300
BUD47		Si	NPN	100	850	400		8	150		100
BUD47A		Si	NPN	100	1000	400		8	150		100
BUL48		Si	NPN	75	800	400	9	7	150		30
BUL743		Si	NPN	100	1200	500	15	12	150		24
BUL85D		Si	NPN	80	500	250	10	8	150		60
BUS36		Si	NPN	107	250	120	8	12	175	30	30
BUS37		Si	NPN	107	300	150	8	12	175	30	30
BUT12		Si	NPN	100	850	400		8	150		30
BUT12A		Si	NPN	125	1000	450		8	150		30
BUT18		Si	NPN	110	800	400	5	6	200		20
BUT18A		Si	NPN	110	800	450	5	6	200		20
BUT22A		Si	NPN	125	750	350	5	8	200		25
BUT22B		Si	NPN	125	750	400	5	8	200		25
BUT22C		Si	NPN	125	850	450	5	8	200		25
BUT54		Si	NPN	100	800	430		8	150	10	20
BUT55		Si	NPN	105	400	400		12	200		40
BUT60		Si	NPN	125	200	125		15	200		40
BUT62		Si	NPN	125	400	300		15	200		40
ECG2343		Si	NPN	125		120		12	150		1000
ECG261		Si	NPN	65		100		8	150		100
ECG263		Si	NPN	65		100		10	150		100
ECG379		Si	NPN	100	700	400		12	175	4	20
ECG380		Si	NPN	80	150	120		7	175	6	60
ESM737		Si	NPN	75	400	400	5	8	150		50
FJP5200	J5200R	Si	NPN	80	250	250	5	17	150	30	55
HMJE13007		Si	NPN	80	700	400	9	8	150		25
KSC5032		Si	NPN	80	500	400	7	8	150		50
KSD5740		Si	NPN	80		300	8	8	150		200
KSD5741		Si	NPN	80		350	8	8	150		200
KSD5742		Si	NPN	80		400	8	8	150		200
MJ10012T		Si	NPN	65	600	400	8	10	150		100
MJE13009D		Si	NPN	100	700	400	9	12	150	4	40
MJE13009K		Si	NPN	80	700	400	9	12	150	4	40
MJE13009P		Si	NPN	80	700	400	9	12	150	4	40
MJE5740		Si	NPN	80	600	300	8	8	150		200
MJE5741		Si	NPN	80	700	350	8	8	150		20
MJE5742		Si	NPN	80	800	400	8	8	150		200
MJE5742G	MJE5742	Si	NPN	100		400	8	8	150		50
SD407		Si	NPN	90		100		10			25
SD409		Si	NPN	90		120		10			25
SD457		Si	NPN	90		100		10			25
SD459		Si	NPN	90		120		10			25
SGSD00020		Si	NPN	70	650	400		8	175		1000
SGSD93E		Si	NPN	80	160	140		12	175		1000
SGSD93F		Si	NPN	80	180	160		12	175		1000
SGSD93G		Si	NPN	80	200	180		12	175		1000
SGSF341		Si	NPN	85	850	400		10	175
SGSF343		Si	NPN	85	1000	450		8	175
SGSF344		Si	NPN	85	1200	600		7	175
SM3176		Si	NPN	100		150		20	200	20	20
SM56B		Si	NPN	85	200	100	7	14	175	20	25
T2141		Si	NPN	80	400	300	5	6			600
TIP150		Si	NPN	80	300	300	8	7	150		200
TIP151		Si	NPN	80	350	350	8	7	150		200
TIP152		Si	NPN	80	400	400	8	7	150		200
TIP41C		Si	NPN	65	140	100	5	6	150	3	20
TIP41D		Si	NPN	65	160	120	5	6	150	3	20
TIP41E		Si	NPN	65	180	140	5	6	150	3	20
TIP41F		Si	NPN	65	200	160	5	6	150	3	20
TIPL790		Si	NPN	70	150	120	8	10	150	10	60
TIPL790A		Si	NPN	70	200	150	8	10	150	10	60

Всего результатов: 108

TIP41B Datasheet (PDF)

0.1. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

TIP41A/41B/41CTIP42A/42B/42CCOMPLEMENTARY SILICON POWERTRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP41A, TIP41B and TIP41C are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecTO-220 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP42A,TIP42B and TIP42C.321TO-220INTERNAL SCH

0.2. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

July 2008TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41CNPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP42/TIP42A/TIP42B/TIP42C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TI

0.3. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTMTIP41/41A/41B/41C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) Silicon NPN The complementary PNP types are the TIP42 respectively Epoxy meets UL 94 V-0

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

TIP41, TIP41A, TIP41B,TIP41C (NPN); TIP42, TIP42A,TIP42B, TIP42C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications.6 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 VPOWER TRANSISTORSHuman Body Model, 3B; > 8000 V40-60-80-100 VOLTS, Epoxy Meets U

0.5. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

TIP41/41A/41B/41C TO-220 Transistor (NPN)TO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Medium Power Linear Switching Applications MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Units VCBO Collector-Base Voltage 40 60 80 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 60 80 100 V

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors TIP41/41A/41B/41C DESCRIPTIONDC Current Gain -hFE = 30(Min)@ IC= 0.3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 40V(Min)- TIP41; 60V(Min)- TIP41A 80V(Min)- TIP41B; 100V(Min)- TIP41C Complement to Type TIP42/42A/42B/42C APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifer

In Stock: 6139

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

TIP41A Datasheet (PDF)

0.1. tip41are.pdf Size:222K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP41A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP41AComplementary Silicon PlasticTIP41B*Power TransistorsTIP41C*. . . designed for use in general purpose am

0.2. tip41a tip41b tip41c tip42a tip42b tip42c.pdf Size:39K _st

0.3. tip41a tip42a.pdf Size:205K _st

TIP41ATIP42ACOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORFeatures COMPLEMENTARY PNP-NPN DEVICES NEW ENHANCED SERIES HIGH SWITCHING SPEED hFE IMPROVED LINEARITY32Applications1 GENERAL PURPOSE CIRCUITSTO-220 AUDIO AMPLIFIER POWER LINEAR AND SWITCHINGDescriptionInternal Schematic DiagramThe TIP41A is a silicon base island technologyNPN power tran

0.4. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:527K _fairchild_semi

0.5. tip41abc.pdf Size:39K _fairchild_semi

TIP41 Series(TIP41/41A/41B/41C)Medium Power Linear Switching Applications Complement to TIP42/42A/42B/42CTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Emitter Voltage: TIP41 40 V : TIP41A 60 V : TIP41B 80 V : TIP41C 100 V VCEO Collector-Emitter Vo

0.6. tip41 tip41a tip41b tip41c to-220.pdf Size:248K _mcc

0.7. tip41 tip41a tip41b tip41c tip42 tip42a tip42b tip42c.pdf Size:93K _onsemi

0.8. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:203K _lge

0.9. tip41 tip41a tip41b tip41c.pdf Size:180K _inchange_semiconductor

Модификации и группы транзисторов TIP42C

Модель	P_C, T_C=25°C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
TIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C	25	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220IS
TIP42CG/L	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
300	15…75	TO-263
TIP42CG/L	22	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220F
TIP42CG/L	20	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-252
STTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
HTIP42C	65	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-220
TIP42E	65	180	140	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42F	65	200	160	5	6	150	3	300	15…75	TO-220C
TIP42P	100	100	100	5	6	150	3	300	15…75	TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента h_FE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону h_FE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

TIP42C R – диапазон h_FE от 15 до 28;
TIP42C O – диапазон h_FE от 24 до 44;
TIP42C Y – диапазон h_FE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по h_FE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

TIP42CG(L) – A — диапазон h_FE от 15 до 30;
TIP42CG(L) – B — диапазон h_FE от 28 до 48;
TIP42CG(L) – C — диапазон h_FE от 45 до 75.

TIP41C транзистор: особенности и характеристики

Этот транзистор может работать в диапазоне напряжений от 40 до 60 вольт и выдерживает ток до 6 ампер. Он обладает низким сопротивлением коллектор-эмиттер в открытом состоянии, что позволяет использовать его в схемах с низкими потерями.

Одной из особенностей TIP41C является его теплоотвод. Для надежной работы в условиях высокой мощности он требует хорошего охлаждения. Поэтому рекомендуется использовать радиатор для отвода излишнего тепла.

Данный транзистор можно применять в таких схемах, как стабилизаторы напряжения, импульсные источники питания, силовые усилители звука и другие. Он обеспечивает стабильную и надежную работу при правильном подключении и охлаждении.

Важно помнить, что при использовании TIP41C необходимо соблюдать максимальные допустимые значения напряжения и тока, указанные в его технических характеристиках, чтобы избежать его повреждения и обеспечить долгий срок службы

Описание TIP41C транзистора

Этот транзистор предназначен для работы с сигналами постоянного тока и обладает высоким коэффициентом усиления. Он способен обеспечивать высокий выходной ток до 6 ампер, что делает его идеальным для использования в усилителях мощности и источниках тока.

TIP41C имеет три электрода: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Он работает по принципу управления коллекторным током базовым током. При поступлении небольшого тока на базу, транзистор открывается и позволяет протекать большому току от коллектора к эмиттеру.

Основные характеристики TIP41C включают максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) в 100 вольт, максимальный коллекторный ток (Ic) в 6 ампер и коэффициент усиления по току (hfe) в диапазоне от 15 до 75.

TIP41C обладает тепловым сопротивлением в 1,33 градусов на ватт и может работать в температурном диапазоне от -65 до +150 градусов Цельсия. Он доступен в стандартном пластмассовом корпусе TO-220, что облегчает его монтаж и подключение к другим элементам схемы.

Этот транзистор может быть использован в различных устройствах, включая источники питания, усилители аудиосигнала, стабилизаторы напряжения, силовые коммутаторы и другие схемы, требующие усиления тока.