C1384 datasheet pdf ( pinout ) - npn transistor

C5198 vs C5200 vs 2SC2581

In the table, we listed the electrical specification comparison of C5198 vs C5200 vs 2SC2581, this is helpful for a better understanding and also for the replacement process.

Characteristics	C5198	C5200	2SC2581
Collector to base voltage (VCB)	140V	230V	200V
Collector to emitter voltage (VCE)	140V	230V	140V
Emitter to base voltage (VEB)	5V	5V	6V
Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT))	0.3 to 2V	0.4 to 3V	2V
Collector current (IC)	10A	15A	10A
Power dissipation (PD)	100W	150W	100W
Junction temperature (TJ)	-55 to +150°C	-55 to +150°C	-55 to +150°C
Transition frequency (FT)	30MHZ	30MHZ	20MHZ
Gain (hFE)	35 to 160hFE	35 to 160hFE	30hFE
Package	TO-3P	TO-264	TO-3P

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!

2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных

Ревизия: 1

ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ

ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ

МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

КЛАССИФИКАЦИЯ H

Характеристики

Электрические характеристики @ 25

Максимальные рейтинги

•

Генеральный директор

EBO

Початок

Символ

CBO

Коммерческие микрокомпоненты

Символ

FE (1)

(BR) Генеральный директор

(BR) CBO

(BR) EBO

CE (сб)

-P

M C C

СТГ

Генеральный директор

CBO

EBO

Высокое напряжение: Vceo = 300 В

Выходная емкость малого коллектора: Cob = 3.0 пФ (тип.)

Дж

Диапазон

Рейтинг

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение эмиттер-база

Ток коллектора

Рассеиваемая мощность коллектора

Рабочая температура перехода

Температура хранения

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отсечки коллектора

Ток отсечки эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Частота транзистора

f = 30 МГц)

Напряжение насыщения база-эмиттер

Выходная емкость коллектора

(В

= 100 мкА постоянного тока, I

= 3 мА постоянного тока, I

= 100 мкА постоянного тока, I

= 20 мА постоянного тока, В

= 10 мА постоянного тока, I

= 20 мА постоянного тока, В

= 7 В постоянного тока, I

= 240 В постоянного тока, I

= 220 В постоянного тока, I

20В, я

FE (1)

= 0, f = 1 МГц

Параметр

= 0)

Рейтинг

= 0)

= 1 мА пост. Тока)

= 0)

30-90

= 10 В постоянного тока)

= 10 В постоянного тока,

www.mccsemi.com

C Если не указано иное

компоненты

20736 Марилла Стрит Чатсуорт

! »№

$
%! «#

-55 до +150

300

мин.

Рейтинг

—

0,1

0.9

7,0

300

—

90–150

Макс

1,0

—

5,0

150

1,0

1 из 4

Блок

пФ

МГц

Вт

Квартир

мкА постоянного тока

В постоянного тока

—

DIM

кв. м

Дж

Эпитаксиальный кремний

ДЮЙМОВ

МИН

—

2SC2482

2SC2482-O

2SC2482-Y

Транзистор

.050

0,050

. 100

0,039

К-92МОД

123

МАКС

0,030

0,039

.031

0,024

.201

.087

0,024

. 323

. 413

. 161

НПН

РАЗМЕРЫ

МИН

—

ММ

1.27

1,27

2,54

1,00

МАКС

10,50

Особенности и преимущества транзистора С1384

Транзистор С1384 отличается рядом особенностей и преимуществ, которые делают его популярным и востребованным в различных электронных устройствах:

Компактный размер: транзистор С1384 имеет маленький корпус и миниатюрные габариты, что позволяет эффективно использовать его в небольших устройствах, где место ограничено.
Высокая мощность: благодаря своей конструкции и специальным характеристикам, транзистор С1384 способен обеспечить высокую мощность работы, что делает его незаменимым компонентом для устройств, требующих большой мощности передачи сигнала.
Низкое напряжение смещения: транзистор С1384 имеет небольшое напряжение смещения, что делает его очень эффективным в энергосберегающих устройствах

Это особенно важно для устройств, которые работают на батарейках или других источниках питания с ограниченной емкостью.
Широкий диапазон частот: транзистор С1384 обладает высокой пропускной способностью и способен работать в широком диапазоне частот. Это важно для устройств, которые должны передавать или принимать сигналы с различных частот, например, в радиосистемах.
Совместимость с другими компонентами: транзистор С1384 легко интегрируется с другими электронными компонентами и микросхемами, что облегчает его использование в различных электронных схемах и устройствах.

Благодаря этим особенностям и преимуществам, транзистор С1384 нашел применение во многих областях электроники, включая передачу и усиление сигналов в аудио- и видеоустройствах, управление электрическими моторами, регулировку яркости и подсветки дисплеев, а также в множестве других устройствах и системах.

Что такое NPN транзистор?

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала. Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр.») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

1ЭДИ20Н12АФ
ИС драйвера одноканального MOSFET и GaN HEMT
Инфинеон
ПДФ

1EDI60N12AF
ИС драйвера затвора одноканального МОП-транзистора
Инфинеон
ПДФ

2SB1017
КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

2SK1282
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ

2SK1282-Z
N-канальный силовой МОП-транзистор на полевых транзисторах
НЭК
ПДФ

74ACT245
Октальный двунаправленный трансивер
Фэирчайлд Полупроводник
ПДФ

АБС10У
1.
0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

АБС2У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

АБС4У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

АБС6У
1.0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

АБС8У
1. 0A ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТА ШОТТКИ
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ

АК1573
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ

АК1573Б
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ

АК1573С
Синтезатор частот
АКМ
ПДФ

Туннельные транзисторы

Одной из главных задач производителей полупроводниковых устройств является проектирование транзисторов, которые можно переключать малыми напряжениями. Решить её способны туннельные транзисторы. Такие устройства управляются с помощью квантового туннельного эффекта. Таким образом, при наложении внешнего напряжения переключение транзистора происходит быстрее, так как электроны с большей вероятностью преодолевают диэлектрический барьер. В результате устройству требуется в несколько раз меньшее напряжение для работы.

Разработкой туннельных транзисторов занимаются ученые из МФТИ и японского университета Тохоку. Они использовали двухслойный графен, чтобы создать устройство, которое работает в 10–100 раз быстрее кремниевых аналогов. По словам инженеров, их технология позволит спроектировать процессоры, которые будут в двадцать раз производительнее современных флагманских моделей.

/ фото PxHere PD

В разное время прототипы туннельных транзисторов реализовывались с использованием различных материалов — помимо графена, ими были нанотрубки и кремний. Однако технология до сих пор не покинула стены лабораторий, и о масштабном производстве устройств на её основе речи не идет.

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв

C2482

Описание

2SC2482

Производители

Toshiba Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2482
High-Voltage Switching and Amplifier Applications
Color TV Horizontal Driver Applications
Color TV Chroma Output Applications
2SC2482
Unit: mm

• High breakdown voltage: VCEO = 300 V

• Small collector output capacitance: Cob = 3.0 pF (typ.)

• Recommended for chroma output and driver applications for

line-operated TV horizontal.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg

Rating
300
300
7
100
50
900
150

−55 to 150

Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol

ICBO

IEBO

hFE (1)

hFE (2)

VCE (sat)

VBE (sat)

Cob

Test Condition

VCB = 240 V, IE = 0

VEB = 7 V, IC = 0

VCE = 10 V, IC = 4 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

IC = 10 mA, IB = 1 mA

VCE = 10 V, IC = 20 mA

VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz

JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
Min Typ. Max Unit

― ― 1.0 µA

20 ― ―

30 ― 150

― ― 1.0 V

50 ― ― MHz

― 3.0 ― pF

Marking
C2482
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
1
2004-07-26

No Preview Available !

120

100
80
60
40
20

IC – VCE

6
4
Common emitter
Ta = 25°C
32
1
0.6
0.4
IB = 0.2 mA
4 8 12 16 20

Collector-emitter voltage VCE (V)

24
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
10
5
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

hFE – IC

Common emitter
VCE = 10 V
Ta = 100°C

25 −25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
Ta = 25°C
IC/IB = 10
5
2
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.3

VCE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 100°C

−25 25

1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
10
5
3
1
0.5
0.3
0.0
0.05
0.3

VBE (sat) – IC

Common emitter
IC/IB = 5
Ta = 25°C
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
2 2004-07-26

No Preview Available !

100

Common emitter
VCE = 10 V
80

IC – VBE

60
Ta = 100°C 25

−25

40
20

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Base-emitter voltage VBE (V)

Cob – VCB

100
IE = 0

50 f = 1 MHz

Ta = 25°C
30
10
5
3
1
0.5
0.3
1 3 10 30

Collector-base voltage VCB (V)

100
2SC2482
1000
500
300
100
50
30
10
5
0.3

fT – IC

Common emitter
Ta = 25°C
VCE = 20 V
5 10
1 3 10 30

Collector current IC (mA)

100
Safe Operating Area
300

IC max (pulsed)*

300 µs*

IC max (continuous)
100
1 ms

10 ms*

100 ms*

50 500 ms*

30
DC operation
Ta = 25°C
10

*: Single nonrepetitive pulse

5 Ta = 25°C

Curves must be derated linearly with
increase in temperature.
2
3 10 30
VCE max
100 300

Collector-emitter voltage VCE (V)

3 2004-07-26

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

C1384 Datasheet PDF — Panasonic

Part Number	C1384
Description	NPN Transistor — 2SC1384
Manufacturers	Panasonic
Logo
There is a preview and C1384 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

wwwT.DraatnaSshiseteot4rUs.com

2SC1383, 2SC1384
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency power amplification and driver amplification
Complementary to 2SA0683, 2SA0684

5.9±0.2

Unit: mm

4.9±0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

• Complementary pair with 2SA0683, 2SA0684

0.7±0.1

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C

Parameter
Symbol Rating
Collector-base voltage
(Emitter open)
2SC1383
2SC1384

VCBO

30
60

Collector-emitter voltage 2SC1383

(Base open)
2SC1384

VCEO

25
50
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature

VEBO

ICP

Tstg

5
1
1.5
1
150

−55 to +150

Unit
V
V
V
A
A
W

°C

0.45+–00..12

(1.27)
(1.27)
1: Emitter
123
2: Collector
3: Base

2.54±0.15

EIAJ: SC-51
TO-92L-A1 Package

■ Electrical Characteristics Ta = 25°C ± 3°C

Parameter
Symbol
Conditions
Min
Collector-base voltage
(Emitter open)
2SC1383
2SC1384

VCBO

IC = 10 µA, IE = 0

30
60
Collector-emitter voltage
(Base open)
2SC1383
2SC1384

VCEO

IC = 2 mA, IB =

25
50
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio *1

Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)

VEBO

ICBO

hFE1 *2

hFE2

VCE(sat)

VBE(sat)

Cob

IE = 10 µA, IC =

VCB = 20 V, IE =

VCE = 10 V, IC = 500 mA

VCE = 5 V, IC = 1 A

IC = 500 mA, IB = 50 mA

VCB = 10 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

5
85
50
Typ Max
0.1
340
0.2 0.4
0.85 1.20
200
11 20
Unit
V
V
V

µA



V
V
MHz
pF
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *1: Pulse measurement
*2: Rank classification
Rank
Q
R
S

hFE1

85 to 170
120 to 240 170 to 340
Publication date: March 2003
SJC00104CED
1

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for C1384 electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. 30V, NPN Transistor — Panasonic
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

2SC1384 Datasheet (PDF)

..1. Size:47K panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf

Transistor2SC1383, 2SC1384Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SA683 and 2SA6845.9 0.2 4.9 0.2FeaturesLow collector to emitter saturation voltage VCE(sat).Complementary pair with 2SA683 and 2SA684.0.7 0.1Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)2.54 0.15Parameter Symbol Ratings Unit

..2. Size:276K utc 2sc1384.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC1384 NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC1384 is power amplifier and driver. FEATURES * Low VCE(SAT) * 2~3W output in complementary pair with 2SA684 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen-Free 1 2 3- 2SC1384G-x-AB3-R SOT-89 B C E Tape Reel2SC138

..3. Size:377K jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors2SC1383 TRANSISTOR (NPN)2SC1384 TO-92L FEATURES Low Collector to Emitter Saturation Voltage VCE(sat).1.EMITTER Complementary Pair with 2SA0683 and 2SA0684.2.COLLECTOR 3.BASE C1383=Device code C1383Solid dot = Green molding compound device, Equivalent Circuit if none,

..4. Size:193K lzg 2sc1384 3da1384.pdf

2SC1384(3DA1384) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifier and driver applications. :, 2SA684(3CA684) 23 Features: Low V ,23W output in complementary pair with 2SA684(3CA684). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

..5. Size:166K tgs 2sc1383 2sc1384.pdf

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors 2SC1383 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 2SC1384 FEATURES 1.EMITTER Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 2.COLLECTOR Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 60 V

0.1. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 7.8008.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.350VCBO Collector-Base Voltage 30 60 V 0.550

0.2. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf

2SC1383/2SC1384 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD2.COLLECTOR 1 23.BASE 3 Features5.800 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 6.200 Complementary pair with 2SA0683 and 2SA0684. 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter 2SC1383 2SC1384 Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltage 30

0.3. Size:514K semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf

ST 2SC1383 / 2SC1384 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor For low-frequency power amplification and driver Amplification. Complementary to 2SA683 to and 2SA684. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCo

Поръчка 120шт 24 значение Irf3205 L7805cv Lm317 Tip120 Irf540n Tip122 Tip142t Irfz44n Fqpf10n60c To-220 нов и оригинален чипсет Ic / Активни съставки

Описание
Отзиви

Добре дошли в нашия магазин !!!

Технически характеристики са следните:

Всяка стойност 5 броя , всички 24 значение в една опаковка.

Тип: Полеви транзистор
Състояние: Ново
Произход: CN(Origin)
търговска марка: NoEnName_Null
Вид на опаковката: Градския Дупка

Рейтинг

Изпращане

Свързани продукти

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

Коментари

Бърз преглед

Добавяне към количката

О транзисторе

Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.

Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. В таблице ниже представлена цветовая и кодовая маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Таблица маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов.

Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления.

Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N.

На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход.

Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.

Для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h21э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода. В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.

Современный многофункциональный мультиметр.

Проверка работоспособности транзистора

Подключаем на базу полевого транзистора плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение. Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем. Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.

Будет интересно Варианты схем подключения проходных выключателей

Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.

Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода.

Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует.

Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства.

При этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы.

Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением.

Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.

Voltage specs

The terminal voltage specs of the C5198 transistor are collector to base and collector to emitter voltage value is 140V and emitter to base voltage is 5V, the voltage specs of the transistor shown that these transistors are good at POWER amplifiers.

The collector to emitter saturation voltage value is 0.3V to 2V, it is the region switching speed of the transistor.

The voltage specifications of the C5198 transistor are higher, this is why these transistors are used in POWER amplifier applications.

Current specs

The collector current value is 10A, and the current value of a transistor shows the maximum load capacity of the transistor.

The current value shows that the C5198 transistor is capable of switching applications.

Current gain specs

The current gain value of the C5198 transistor is 33 to 160hFE, it is the amplification capacity of a transistor device.

Transition frequency

The bandwidth transition frequency value of the C5198 transistor is 30MHz, this transistor had a low-frequency range.

Биполярный транзистор 2SC1384 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC1384

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC1384
Datasheet (PDF)

..1. Size:47K panasonic 2sc1383 2sc1384.pdf

..2. Size:276K utc 2sc1384.pdf

..3. Size:377K jiangsu 2sc1383 2sc1384.pdf

..4. Size:193K lzg 2sc1384 3da1384.pdf

..5. Size:166K tgs 2sc1383 2sc1384.pdf

0.1. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384.pdf

0.2. Size:245K lge 2sc1383-2sc1384 to-92mod.pdf

0.3. Size:514K semtech st2sc1383 st2sc1384.pdf

Другие транзисторы… 2SC1378
, 2SC1379
, 2SC138
, 2SC1380
, 2SC1380A
, 2SC1381
, 2SC1382
, 2SC1383
, 2SC2073
, 2SC1385
, 2SC1385H
, 2SC1386
, 2SC1386H
, 2SC1387
, 2SC1388
, 2SC1388F
, 2SC138A
.

C5353 описание

Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Модуль датчика стука и цифровой интерфейс 13, светодио дный встроенный светодиод создают простую схему для производства ударных мигалок Если вы выбираете Бесплатная Post Доставка с незарегистрированных, там не будет отслеживания в пункт назначения,Вы должны держать в touch с местном почтовом отделении все время до доставки. Если пакет будет взиматься таможенные пошлины, мы не несем ответственности за любые таможенные пошлины или налоги на импорт.

Особенности работы и применения

Транзистор С1384 отличается рядом особенностей, которые делают его особенно полезным в различных схемах.

Высокая частота переключения: транзистор С1384 способен работать на высоких частотах, что делает его подходящим для использования в радиоэлектронике и телекоммуникационных системах.
Низкий уровень шума: благодаря особенностям его конструкции, транзистор С1384 имеет низкий уровень шума, что позволяет использовать его в чувствительной аппаратуре.
Высокая надежность: транзистор С1384 обладает высокой степенью надежности и стабильности работы, что делает его выгодным выбором для использования в различных устройствах и системах.
Широкий диапазон рабочих напряжений: транзистор С1384 способен работать при широком диапазоне рабочих напряжений, что делает его универсальным и подходящим для использования в различных схемах и устройствах.

Также стоит отметить, что транзистор С1384 является стандартным элементом в множестве электронных схем и может использоваться во многих различных цепях и устройствах. Он широко применяется в аудиоусилителях, стабилизаторах напряжения, аппаратуре для коммутации и других аналогичных приложениях.

Схема NPN транзистора

Когда NPN транзистор связан с ресурсами напряжения, базовый ток будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество базы контролирует циркуляцию большого количества тока через эмиттер к коллектору. Напряжение базы выше, чем напряжение на эмиттере.

Когда VB базовое напряжение не -ve по сравнению с VE напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы RL и RB включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера VEB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (IE) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один яB а другое это яC.

IE= ЯB+ ЯC

What is c1384?

C5198 vs C5200 vs 2SC2581

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

2sc2482-y Микрокоммерческие компоненты, 2sc2482-y Лист данных

Особенности и преимущества транзистора С1384

Что такое NPN транзистор?

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Туннельные транзисторы

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Маркировка

C1384 Datasheet PDF — Panasonic

Electronic Components Distributor