Процесс замены транзистора П217
- Перед началом работы необходимо обезопаситься, отключив устройство от источника питания.
- Определите местоположение транзистора П217 на плате. Он может быть обозначен символом Т1 или иметь отдельную маркировку.
- С помощью паяльника снимите старый транзистор. Для этого необходимо аккуратно подогреть ножки транзистора и одновременно аккуратно вытянуть его.
- Прикрепите новый транзистор вместо старого. Убедитесь, что его ножки вставлены в соответствующие отверстия на плате.
- С помощью паяльника припаяйте ножки нового транзистора к плате. Будьте внимательны и аккуратны, чтобы не повредить соседние элементы и не перегреть транзистор.
- Проверьте правильность выполненной замены, а затем включите устройство для проверки его работоспособности. При необходимости произведите дополнительные настройки или корректировки.
Важно помнить, что замена транзистора должна проводиться согласно руководству пользователя и с учетом особенностей конкретного устройства. Если вам нет уверенности в своих навыках, лучше обратиться к профессионалам
Технические характеристики транзистора П217г
Транзистор П217г имеет следующие основные технические характеристики:
- Максимальное значение коллекторного тока (Icmax): 10 А
- Максимальное значение обратного тока коллектора (Iкобр): 20 мкА
- Максимальное значение коллекторного напряжения (Ucmax): 40 В
- Максимальное значение обратного напряжения эмиттера (UEBO): 6 В
- Максимальное значение тока базы (Ibmax): 1 А
- Максимальное значение мощности потерь на коллекторе (Pcmax): 20 Вт
Транзистор П217г обладает высоким коэффициентом усиления по току (hFE), который составляет 40-160 при коллекторном токе 2 А. Это позволяет использовать его в различных усилительных схемах.
Одним из областей применения транзистора П217г является силовая электроника. Благодаря своим высоким техническим характеристикам, он может быть использован в схемах электронных блоков питания, источников тока,
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Коллективный разум. Добавлено пользователями.
2SA940ABUX78A-220M1Т102TIP30CGMJD42CG2SB1568TIP36AGMJB42CNTE281MJD32CGTIP147GBD438GBD244CGBD442GMJ2955G2N4920G2N4918G2SB1018AКТ733А2N5194G2Т709АКТ739А2SA21842N6491GBD244BGFJAF42102SB1393A2Т818Б2Т830Б2Т708А2SB16402Т509А2Т932А2SA19392Т830В2SA18122N3792LPCECCTIP127GMJD32RLGКТ8213А2SB1548A2Т830ГTIP36CGBD180GГТ116АBD034П203Э2SA19422SA1943BL2Т505АП202Э2Т830АП4ВЭTIP117GTIP106GNTE2329MJE271GNZT6729TIP107GTTA0002MJW21195GBDS28BN2NJW1302GMJL1302AGMJL21196MJL21196GMJH11019G2SA2151NJL1302DGMJD127T4GBDX34CGBDX34BGMJD117T4GMJE15029GMJW21195FJMA790MJD117G2SA2151A2STW1695BDW52BMJH11021GKTA10492N5195GMJW21193MJ21195KSB834WMJW21193GMJH6287GNJW21193GMJH11017G2STA1694NJL0302D2SB1669-Z2SA1940MJ21195GNJL0302DG2SA19862STA1943MJE15031G
Подготовка к замене транзистора П217
Перед заменой транзистора П217 необходимо выполнить следующие шаги:
- Отключите питание устройства, в котором находится транзистор.
- Очистите рабочую поверхность от пыли и посторонних предметов.
- При необходимости, снимите крышку или заднюю панель устройства для доступа к плате, на которой расположен транзистор.
- Оцените состояние соседних элементов на плате. Если есть видимые повреждения или выгорания, возможно, нужно будет провести дополнительный ремонт.
- Проверьте спецификации заменяемого транзистора П217 (напряжение, ток, мощность) и убедитесь, что новый транзистор соответствует этим требованиям.
- Снимите охлаждающий радиатор, если он присутствует на транзисторе.
- Если транзистор закреплен на плате при помощи пайки, необходимо прогреть плату и раздеть ножки транзистора от паяльной массы при помощи паяльника и паяльной канифольной пасты.
- Аккуратно удалите старый транзистор из платы, следуя рекомендациям по демонтажу, указанным в инструкции к устройству или национальным стандартам.
- Проверьте новый транзистор и убедитесь, что все его ножки в исправном состоянии и не повреждены.
- Если новый транзистор имеет другой размер или форму, чем старый, убедитесь, что он все равно поместится на печатную плату и не будет мешать другим компонентам.
- При необходимости, приведите новый транзистор к такому же состоянию, как и старый, сняв с него остатки паяльной массы или окалины, используя специальные инструменты и средства.
П217А
П217АТранзисторы П217А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.Климатическое исполнение: «УХЛ».Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».Технические условия:— приемка «1» аА0.336.342ТУ;— приемка «5» СИ3.365.017ТУ;— приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.Зарубежный аналог: ASZ16, ASZ17, ASZ15.
Основные технические характеристики транзистора П217А:• Структура транзистора: p-n-p• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;• fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА;• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20.
Технические характеристики транзисторов П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г:
| Типтранзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TПmax | Тmax | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IКmax | IК. И.max | UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max(РК. Т. max) | h31Э | UКЭнас. | IКБ | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П217 | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | >15 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217А | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | 20…60 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217Б | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | >20 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217В | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | >5 | 0,5 | 3 | 20 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217Г | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | 15…40 | 1 | 3 | 20 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. maxUКЭR maxUКЭ0 maxUКБ0 maxUЭБ0 maxРК maxРК. Т. maxh31Э
UКЭ нас.IКБОIЭБОf грКШСКСЭТП maxТ max
Рекомендации по выбору заменителя транзистора П217
При замене транзистора П217 необходимо помнить о некоторых важных факторах. В первую очередь следует учитывать строение и параметры исходного транзистора, такие как тип, максимальный ток коллектора, максимальное напряжение коллектора, коэффициент усиления и др. Эти параметры должны быть сопоставимы с заменителем, чтобы обеспечить правильное функционирование схемы.
Выбор заменителя лучше всего осуществлять на основе каталога производителей электронных компонентов. В нем можно найти много полезной информации о транзисторе П217 и его заменителях
Важно обратить внимание на следующие факторы:
Тип транзистора: П217 имеет тип NPN, поэтому заменитель также должен быть NPN.
Максимальный ток коллектора: необходимо выбрать заменитель, который имеет максимальный ток коллектора, сопоставимый с исходным транзистором или выше.
Максимальное напряжение коллектора: аналогично, должно быть сопоставимым или выше.
Коэффициент усиления: важно убедиться, что заменитель имеет сопоставимый коэффициент усиления.
Также рекомендуется обратиться к технической документации или специалистам, если возникают сомнения при выборе заменителя. Неправильный выбор заменителя может привести к неправильной работе схемы или даже к повреждению других компонентов.
Важно отметить, что замена транзистора требует определенных навыков и знаний в области электроники. Если вы не уверены в своих способностях, лучше обратиться к специалистам или использовать готовые модули или платы, которые уже содержат требуемый компонент
Работа транзистора П217г
Работа транзистора П217г основана на двух механизмах: инжекции и рекомбинации. Когда между эмиттером и коллектором подается напряжение, электроны из эмиттера инжектируются в базу, а затем, благодаря нанесенной на подложку обратной полярности, рекомбинируют с дырками в коллекторе. Это приводит к усилению тока и созданию нужной амплитуды выходного сигнала.
Работа транзистора П217г также основана на эффекте Эде, который заключается в том, что ток коллектора пропорционален току базы и усиливается в зависимости от коэффициента усиления транзистора. Этот эффект позволяет использовать транзистор в усилительных цепях.
При правильной схеме подключения и подборе элементов транзистор П217г может быть использован для усиления звуковых сигналов, создания радиочастотных генераторов, переключения сигналов и других задач. Он обладает высокой частотой переключения, хорошей шумоподавляющей способностью и низким потреблением энергии, что делает его привлекательным для широкого спектра приложений в электронике.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 60 В |
| Максимальный коллекторный ток | 1 А |
| Максимальная мощность потери | 0.25 Вт |
| Коэффициент усиления по току | не менее 30 |
| Температурный коэффициент усиления | не более 0.1%/°C |
Рекомендации по выбору и покупке транзистора П217г
Назначение
Перед приобретением транзистора П217г необходимо определить его назначение
Данный транзистор используется как усилительный элемент в радиотехнике, частотный делитель, ключевой элемент в схемах инверторов и других устройствах
Поэтому необходимо учесть требования конкретного прибора, в который планируется установка транзистора.
Технические характеристики
Важно обратить внимание на технические характеристики транзистора П217г, такие как максимальное рабочее напряжение и ток, коэффициент усиления, мощность потерь. Они определяют возможности и границы работы транзистора и его совместимость с другими элементами схемы.
Производитель
Рекомендуется приобретать транзистор П217г у надежных и проверенных производителей
Это обеспечит качество и надежность элемента, а также возможность получить гарантию на покупку
Известные производители транзистора П217г включают в себя: АрселорМиттал Групп, ТОО «Аллегро Астана», ООО «Амиг» и другие.
Цена
Цена является важным фактором при выборе и покупке транзистора П217г. Желательно сравнить цены у разных поставщиков и выбрать оптимальное предложение. Однако стоит помнить, что слишком низкая цена может указывать на некачественный товар, поэтому следует обратить внимание на репутацию поставщика.
Учитывая указанные рекомендации, можно сделать правильный выбор и приобрести транзистор П217г, который соответствует требуемым характеристикам и обеспечит необходимую работу устройства.
Усилитель на транзисторах 13002
Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.
Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.
Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:
Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.
Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.
Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:
Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:
Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:
Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.
Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.
Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.
Источник (Source)
Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
Система тестирования и картографирования сцепления для летающих поверхностей Concorde
Concorde уже много лет безопасно перевозит пассажиров на сверхзвуковых скоростях.
годы. Чтобы обеспечить постоянную безопасность, летающие поверхности регулярно осматриваются и контролируются как «на крыле», так и при снятии с самолета.
Из-за доступа (на крыле) и размера летающих поверхностей
инженеры сталкиваются с некоторыми практическими проблемами. В настоящее время рука
составляется письменный отчет об инспекции. Чтобы улучшить качество отчетности и иметь возможность продемонстрировать и зафиксировать удовлетворительную инспекцию, British Airways потребовалась система для цифровой записи ручных сканирований.
Прочный портативный компьютер на базе аккумулятора ISONIC рабочая станция обеспечивает достоверность ручной проверки. Он отслеживает соединение датчиков в сканируемой области и записывает все результаты . В то время как ISONIC изначально был разработан для контроля металлов, British Airways решила использовать его функции в своих требованиях к тестированию соединения, признавая потребность в мобильной системе, которую можно было бы быстро настроить, прикрепив к самолету .
Для наблюдения за сканируемой областью рабочая станция ISONIC использует воздушно-капельный ультразвук. Оператор зажимает обычный зонд для проверки соединений
в держатель зонда. Излучатель ультразвука воздуха крепится к держателю датчика, а два или три приемника размещаются на исследуемом объекте с помощью вакуумных присосок. Приемники триангулируют текущее положение зонда при сканировании в области 2×3 м с разрешением 1 мм. На немеханическую систему воздушной ультразвуковой триангуляции не влияют никакие эффекты ветра или окружающего шума.
либо на заводе, либо в ангаре.
Держатель зонда также оснащен детектором, который измеряет связь между зондом для проверки соединения и тестируемым объектом, обеспечивая непрерывный соответствующий сигнал системе и оператору.
Специальное программное обеспечение Приложение MIAMAP было создано для реализации обработки данных при тестировании и картировании связей с помощью рабочей станции ISONIC . На экране отображается изображение области проверки, и по мере сканирования оператор «закрашивает» область, которая была правильно отсканирована. Дефекты, обнаруженные при изменении цвета, наносятся на график, и создается карта (C-Scan) дефектов.
| Рис : | Рис : |
Результат проверки можно сохранить на диск, а затем отобразить в виде карты связей.
Постобработка включает автоматические измерения координат дефектов и создает исчерпывающий список дефектов.
Система ISONIC-MIAMAP обеспечивает достоверность ручного тестирования сцепления на основе:
- Сбор, хранение и представление полностью объективных данных обеспечивается:
- Безмеханический контроль координат щупа связи на объекте контроля
- Мониторинг и индикация в режиме реального времени связи между контактным зондом и испытуемым объектом
- Ненарушение традиционных манипуляций с зондом связи
- Онлайновая визуализация:
- Текущее местоположение зонда соединения на тестируемом объекте
- Фактический след зонда и обрывы, вызванные отсутствием муфты
- Цветовая карта тестируемого объекта
- Немедленное создание и хранение полностью объективных файлов данных контроля
- Интеллектуальная постобработка сохраненных данных обеспечивается:
- Автоматическое обнаружение и подсчет зон дефектов и измерение их координат
- Печать полностью объективного отчета о проверке и сопроводительных страниц
Каталожные номера:
- Новая система регистрации дефектов.
Преимущества использования транзистора П217г
1. Малые габариты и вес: Транзистор П217г компактен и легок, что позволяет его эффективно использовать даже в малогабаритных устройствах. Он занимает минимум места на плате и позволяет создавать компактные и портативные устройства.
2. Высокая эффективность: Транзистор П217г обладает высокой эффективностью и низким уровнем потерь энергии. Он обеспечивает стабильную и надежную работу устройства даже при больших нагрузках.
3. Широкий диапазон рабочих температур: Транзистор П217г способен работать в широком диапазоне температур, что делает его надежным в экстремальных условиях, например, в высоких и низких температурах.
4. Высокие технические характеристики: Транзистор П217г обладает высокими техническими характеристиками, такими как высокая мощность, большой коэффициент усиления, низкое сопротивление и минимальный уровень шума. Это делает его идеальным выбором для различных электронных схем и приложений.
5. Простота монтажа и использования: Транзистор П217г легко монтируется и используется в различных устройствах благодаря своей простоте и удобству в работе. Он не требует сложных настроек и обеспечивает стабильную и надежную работу без дополнительных усилий со стороны пользователя.
Все эти преимущества делают транзистор П217г одним из наиболее востребованных полупроводниковых приборов на рынке, выбор которого обеспечивает высокое качество и надежность электронных устройств.
Модель и характеристики транзистора П217
Транзистор П217 обладает следующими основными характеристиками:
| Наименование | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | Полевой |
| Структура | Полевой эффект транзистора с нканальным типом проводимости |
| Максимальное напряжение стока-истока (Uds(max)) | 25 В |
| Максимальный ток стока (Id(max)) | 0.01 А |
| Максимальная мощность (Pmax) | 0.2 Вт |
| Коэффициент усиления (hfe) | 200-500 |
| Температурный диапазон | от -60˚C до +150˚C |
Таким образом, транзистор П217 является надежным и универсальным элементом, который может быть успешно применен во многих устройствах, обеспечивая хорошую производительность и надежность работы.
Как заменить транзистор П217 на другие модели?
При выборе аналогичного транзистора важно учесть его параметры и характеристики, чтобы обеспечить нормальное функционирование устройства. Вот несколько моделей транзисторов, которые могут быть использованы в качестве замены на П217:
- Транзистор 2N3904: это общего назначения низкочастотный NPN-транзистор, который имеет схожие параметры и может успешно заменить П217 во многих случаях.
- Транзистор BC547: это еще одна популярная модель, которая широко использовалась в электронике. Он также имеет схожие параметры и может быть использован вместо П217.
- Транзистор 2N2222: это второй популярный общего назначения NPN-транзистор, который также может использоваться в качестве замены. Он имеет аналогичные параметры и может успешно работать схожим образом.
Однако, перед заменой транзистора П217 на другие модели, рекомендуется ознакомиться с документацией и проверить, что параметры и характеристики заменяемых транзисторов соответствуют требованиям вашего устройства.
Информацию о процедуре замены П217 на другие модели можно найти в документации к вашему устройству или обратиться за помощью к специалистам в области электроники.
Функциональные особенности транзистора П217г
| 1 | Lp | Максимально допустимая напряжённость на электроде p–n–p-перехода | 40 В |
| 2 | Lк | Максимально допустимое постоянное напряжение между эмиттером и коллектором | 40 В |
| 3 | Lп | Максимально допустимая мощность потерь на теплоотвод | 250 мВт |
| 4 | H21е | Напряжение коэффициента передачи по току для коллекторного выхода (при Iк = 1 мА, Ukp = 1 В) | 30…600 |
| 5 | H21я | Напряжение коэффициента передачи по току для эмиттерного выхода (при Iэ = 4 мА, Uкп = 5 В) | 20…150 |
| 6 | fгп | Минимальная переносная частота и разъёмная емкость между входом и коллектором (Uкп = 5 В) | 150 МГц |
Кроме того, транзистор П217г обладает высокой надежностью и устойчивостью к температурным воздействиям, что позволяет использовать его в приборах, работающих в широком диапазоне температур.
Благодаря своим функциональным особенностям, транзистор П217г находит применение во многих областях, включая радиолюбительское творчество, аудио- и видеоусилители, импульсные блоки питания, схемы стабилизации тока и другие электронные устройства.
Выборочный список транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Эта страница содержит неполный список транзисторов биполярных низкочастотных pnp характеристики которых есть в справочнике. Дана информация об основных параметрах, цоколевке, местах продажи и производителях. Приведены аналоги транзисторов.
TSB147TIPP32ASGS117TIPP32GET875T1756GET891TSB146TIPP32C2SA1693-OGET881RCS882GET104GFT22/15GET8962SA1693-PRCS880GET874GET871TIS91M2SA1673-OSML4016GET106TIP30DGFT25/30TIS61FXT757SMTIPP115GFT22/30GS112BSGSD210FXT7552SA1493-PGET536GET889GFT22/60GFT34/30GFT34/60GFT44GS100CGS111EKSA707KSH30COC47RCA30BS1806SGS126SM3160TIP34DTIP507TIP645TSB145ZTX531ZTX531L2SA1494-G2SA1694-P2SA1695-P2SA1725-O2SA1725-PMJE3741TN423640362LAC184VIAC191-4AC191-7AC191-8AC193K8AC242AC515ADY11ADY15AFY21BCY19BD750ABD750BBDS28C-SMBDT30FBDT56BDX34EBDY70BFR69BFR69VIBFR70BBFS90BBFS91BBFV33BFV35BFV86BFV86ABSS53AESM261FMMT5855GA52830GA53149GA53213GD134GET105GET114Ещё…