Bc213b параметры транзистора биполярного высокочастотного pnp. справочник параметров транзисторов

Основные характеристики транзистора П213б

Основные характеристики транзистора П213б:

Наименование	Обозначение	Значение
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (U_кэ)	U_кэmax	60 В
Максимальный коллекторный ток (I_к)	I_кmax	2 А
Максимальная мощность потерь в транзисторе (P_т)	P_тmax	20 Вт
Коэффициент усиления тока по току коллектора (β)	β	не менее 40
Максимальная рабочая частота (f_max)	f_max	не менее 125 МГц

Транзистор П213б является низкочастотным, предназначен для работы в электронных схемах усилителей мощности, усилителях низкого уровня сигнала и других аналогичных устройствах.

Принцип работы транзистора П213б основан на изменении токов и напряжений, протекающих в его трех слоях: эмиттерном, базовом и коллекторном. Благодаря этому изменению, транзистор может выполнять функцию усиления и коммутации сигналов.

Характеристики германиевых транзисторов П213

П213 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Предельные параметры П213

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

П213А, П213Б, П213 — 5 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (U_{КЭR max}) при Т_п = 25° C:

П213А, П213Б, П213 — 30 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_п = 25° C:

П213А, П213Б, П213 — 45 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

П213 — 15 В
П213А — 10 В
П213Б — 10 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (P_max) при Т_к = 45° C:

П213 — 11,5 Вт
П213А — 10 Вт
П213Б — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

П213, П213А, П213Б — 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

П213, П213А, П213Б — 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П213 при Т_п = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э)

П213 — 20 — 50 при U_КЭ 5 В, при I_К 1 А
П213А — 20 при U_КЭ 5 В, при I_К 0,2 А
П213Б — 40 при U_КЭ 5 В, при I_К 0,2 А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

П213 — 0,5 В
П213Б — 2,5 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

П213А — 1 мА
П213Б — 1 мА

Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (I_КЭ0)

П213 — 20 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

П213А, П213Б, П213 — 0,15 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

П213 — 3,5 ° C/Вт
П213А — 4 ° C/Вт
П213Б — 4 ° C/Вт

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30. У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: У транзисторов КТ815А — 25 в. У транзисторов КТ815Б — 45 в. У транзисторов КТ815В — 60 в. У транзисторов КТ815Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора. При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

Тип проводимости транзистора NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >

Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

ТРАНЗИСТОР П213А МЕТ

Новости: 9. Высказывания: Критиковать — значит доказывать автору, что он не сделал этого так, как сделал бы я, если б умел. Карел Чапек. Справка об аналогах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SAB Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SAB Перед заменой транзистора на аналогичный,!

Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SAB20? Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Добавить описание полевого транзистора. Добавить описание биполярного транзистора. Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором. Поиск транзистора по маркировке. Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.

Поиск полевого транзистора по основным параметрам. Типоразмеры корпусов транзисторов. Магазины электронных компонентов. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.

Спасибо за терпение и сотрудничество. Добавьте эту страницу в закладки: В Мой Мир. Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SAB Добавить аналог транзистора 2SAB Замена производится без внесения изменений в существующую электрическую схему. Ближайший аналог — выводы на корпусе совпадают, но в параметрах транзисторов есть некоторые различия, например — разная граничная частота.

Функциональный аналог — транзисторы входят в одну функциональную группу, со схожими характеристиками. Замена возможна с изменением схемы печатной платы. Аналог, возможный аналог — данная информация предоставляется в ознакомительных целях. Перед заменой обязательно читать документацию на эти транзисторы. Комплементарная пара — транзисторы с точным соответствием параметров но различным типом проводимости например, PNP к NPN. По маркировке.

Технические характеристики П213б

Основные технические характеристики П213б:

Ток коллектора: от 50 до 100 мА.
Ток эмиттера: от 50 до 100 мА.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 25 до 50 В.
Коэффициент усиления тока: от 200 до 800.
Температурный диапазон: от -65 до +150 градусов по Цельсию.
Мощность потребления: от 100 до 150 мВт.

Принцип работы П213б основан на управлении током коллектора с помощью тока базы. Полевая структура транзистора обеспечивает низкое потребление энергии и высокую линейность усиления. Транзистор П213б имеет три вывода: коллектор (K), база (B) и эмиттер (E), и может быть использован как в схемах с общим эмиттером, так и в схемах с общим коллектором.

Транзистор П213б является надежным и стабильным элементом электроники, обладающим высокими рабочими характеристиками. Он широко применяется в различных устройствах и схемах и является одним из основных элементов в мировой электронной промышленности.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89
. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день
, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.

Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт

Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц. Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт

Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Транзистор П213А

By norse , July 14, in Аналоговые блоки питания и стабилизаторы напряжения. Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. Зачем тебе этот хлам? Сделай стабилизатор на LM

Электронные схемы. Практическое руководство — Ленк Дж. Ленк Дж.

К началу. В конец. ПМ были выделены в отдельную группу. А дополнительная разбраковка по параметрам привела к появлению новых типов.

Линсена Б. Строение и свойства адсорбентов и катализаторов — М. Скачать прямая ссылка : stroenieisvoystvaadsorbentov Они работают как детекторы высокочастотных сигналов, как стабилизаторы напряжения стабилитроны ; в интегрирующих и ограничивающих цепях и т. Мощные диоды применяют для выпрямления переменного напряжения в цепях питания низким и высоким дапряжением.