Транзистор П201Э - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (U_КБ=10 В), мкА	I_КБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (I_Э=1 мА, U_КБ=10 В)	h_21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=25 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=20 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=40 В), мА (R_БЭ=10 кОм U_КЭ=35 В), мА	I_КЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U_КБ = 10 В, I_Э= 5 мА, f = 100 МГц)	\|h_21Э\|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (I_Э= 5 мА, U_КБ=10 В, f=5 МГц), пс	τ_к		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361

Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса

Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом

Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М

Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г

Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса

Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95%

Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом

Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

КТ201 , 2Т201 (кремниевый транзистор, n-p-n)

Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n усилительные с ненормированным
(2Т201А, КТ201А, 2Т201Б, КТ201Б, 2Т201В, КТ201В,
2Т201Г, КТ201Г) и нормированным (2Т201Д,
КТ201Д) коэффициентом шума на
частоте 1 кГц..
Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном
(2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, 2Т201Д, КТ201А,
КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д)
и пластмассовом (КТ201АМ, КТ201БМ,
КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ) корпусах с
гибкими выводами.
Тип прибора в металлическом
корпусе указывается на боковой
поверхности корпуса,
а в пластмассовом корпусе — на
боковой поверхности корпуса
указывается сокращенное
обозначение:
КТ201АМ — «201А», КТ201БМ — «201Б»,
КТ201ВМ — «201В», КТ201ГМ — «201Г»,
КТ201ДМ — «201Д».
Масса прибора не более 0,6 г.

Краткая
справочная таблица:

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	R_{Т п-с}, °C/Вт
		при T = 25°C
I_{К, max} мА	I_{К и. max} мА	U_{КЭR max}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, мВт	T, °C	T_{п max}, °C	T_max, °C	h_21Э	U_КБ, В	I_К, мА	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мкА	f_гр, МГц	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_рас, мкс
КТ201 А	30	100	20	20	20	150	90	150	125	20…60	1	5		0,5	10	20		556
КТ201 Б	30	100	20	20	20	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556
КТ201 В	30	100	10	10	10	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556
КТ201 Г	30	100	10	10	10	150	90	150	125	70…210	1	5		0,5	10	20		556
КТ201 Д	30	100	10	10	10	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556

2Т201 А	20	100	20	20	20	150	105	150	125	20…60	1	5		0,5	10	20		556
2Т201 Б	20	100	20	20	20	150	105	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556
2Т201 В	20	100	10	10	10	150	105	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556
2Т201 Г	20	100	10	10	10	150	105	150	125	70…210	1	5		0,5	10	20		556
2Т201 Д	20	100	10	10	10	150	105	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20		556

КТ201 АМ	30	100	20	20	20	150	90	150	125	20…60	1	5		0,5	10	20
КТ201 БМ	30	100	20	20	20	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20
КТ201 ВМ	30	100	10	10	10	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20
КТ201 ГМ	30	100	10	10	10	150	90	150	125	70…210	1	5		0,5	10	20
КТ201 ДМ	30	100	10	10	10	150	90	150	125	30…90	1	5		0,5	10	20

Схема одноканального усилителя мощностью 200 Вт на 2SC5200 2SA1943

Силовые транзисторы схемы усилителя на 200 Вт не требуют классической настройки тока покоя выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943. Одноканальный усилитель может выдавать среднеквадратичную мощность 100 Вт с сопротивлением динамика 8 Ом и 200 Вт с нагрузкой 4 Ом.

Рабочее постоянное напряжение одноканального усилителя должно быть 2X50V и ток 6A (можно использовать готовые трансформаторы 2X33VAC или 2X36VAC), конденсаторы фильтра в цепи питания нужно устанавливать от 4700uf до 10.000uf. В качестве диодных мостов можно использовать готовую сборку KBU10M на 1000v/10A или четыре выпрямительных диода P600J, с максимальным постоянным обратным напряжением 600v и максимальным постоянным прямым током 6А.

Керамический конденсатор 330pF защищает усилитель от высокочастотных колебаний. Если вы не можете найти 330pF, тогда вместо него можете установить емкость на 270pF.

Что касается транзисторов 2SA1015, установленных в дифференциальном каскаде, то автор заявляет, что продавцов сбывающих поддельные транзисторы на рынке очень много. Поэтому, нужно быть внимательнее при покупке. Чтобы понять, что транзисторы оригинальные, необходимо измерить коэффициент усиления транзистора по току (hFE) цифровым мультиметром.

Транзистор 2SA1015 должен показать параметр 180 или чуть меньше при измерении hFE. Вместо 2SA1015 можно использовать 2N5401, но соединения выводов будут несколько другие, поэтому будьте осторожны. При сборке печатной платы следует менять ножки базы и коллектора (я экспериментировал с транзисторами 2SA733, которые у меня есть)

Транзисторы 2SC5200 и 2SA1943 должны быть установлены на радиаторы через изоляционные прокладки, хорошо пропускающие тепло, например, керамические или слюдяные.

Кроме этого, для эффективного охлаждения транзисторов TIP41-TIP42 можно использовать кулер, я пока оставил отверстие для его установки, посмотрю как все будет работать, потом видимо установлю и вентилятор.

Катушка на выходе усилителя имеет параметр 5 мкГн и намотана медным проводом диаметром 1мм в количестве 11 витков на резисторе 10 Ом, рассчитанным на мощность 1 Вт.

Тестирование усилителя 200 Вт и измерения напряжения

Представленная здесь схема заслуживает доверия, так как источник проекта довольно надежен, и, поскольку схема была сделана нашими читателями раньше, то у меня получилось быстро собрать аппарат и сразу приступил к тесту. В моем распоряжении были готовый трансформатор 2X30V и басовый громкоговоритель на 50 Вт, а также среднечастотный динамик 30 Вт. Я не мог увеличить громкость более чем на 50%, так как было уже слишком громко, качество звука при этом было отличным. Резистор 27 Ом 1 Вт я не использовал, вместо него я применил 2 параллельно соединенных резюка 56 Ом.

Размеры печатной платы составляют 100X49 мм, а чертеж однослойной печатной платы был выполнен с помощью программы Sprint Layout PCB.

Максимальное напряжение питания при использовании выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943 (2SD1047 (NPN) 2SB817 (PNP)), может быть 2X62v постоянного тока, в этом случае напряжение используемых конденсаторов должно быть более 63v и вместо TIP41 следует установить TIP42 2SCC2073 (NPN) 2SA940 (PNP) или 2SA1837 (PNP) 2SC4793 (NPN). Я думаю, 2X50V или 2x30v будет достаточно, даже если вы захотите громкого звука.

Перечень компонентов одноканального усилителя 200 Вт:

Транзисторы

2X 2SC5200
2X 2SA1943
3X A1015
2X TIP41C
2X TIP42C

Резисторы

2 резистора 6,8 Ом — 1 Вт; (синий, серый, золотой)
2X 100-Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, коричневый)
2X 10 Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, черный)
270 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, коричневый)
56 Ом — 1 Вт; (зеленый, синий, черный)
27 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, черный)
4X0,47 Ом — 5Вт или 0,33 Ом — 5Вт; керамический резистор
820 Ом — 1/4 Вт; (серый, красный, коричневый)
10 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, черный, оранжевый)
330 Ом — 1/4 Вт; (оранжевый, оранжевый, коричневый)
18 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, серый, оранжевый)
1 кОм — 1/4 Вт; (черно-коричневый, красный)

Конденсаторы

100НФ (104) 100В
47 мкФ 63 В
2,2 мкФ 63 В
330 пФ (331) (керамический или многослойный)

Диоды

5X 1N4004

Скачать: Макет печатной платы

Предыдущая запись Что такое низкоуровневое форматирование SD-карты
Следующая запись Стерео усилитель на TDA1554Q

Шаг 2: Определение базовых параметров транзистора

Для определения базовых параметров транзистора П201Э необходимо использовать тестер или мультиметр

Важно убедиться, что транзистор выведен из схемы и не подключен к ней. В противном случае, результаты измерений могут быть неточными

Итак, для определения базовых параметров транзистора следует выполнить следующие действия:

Установите тестер или мультиметр в режим измерения hFE (коэффициента усиления тока).
Подключите к мультиметру зонды, чтобы они соприкасались с выводами транзистора: коллектором, базой и эмиттером.
Следуйте инструкциям мультиметра и считайте показания. Проанализируйте полученные результаты. Если коэффициент усиления тока близок к номинальному значению, транзистор, скорее всего, исправен. Если показания значительно отличаются от номинала, возможно, транзистор вышел из строя и требует замены.

Нужно отметить, что проверка базовых параметров транзистора может оказаться недостаточной для полной диагностики его состояния. В случае сомнений или неопределенных результатов рекомендуется провести более глубокую диагностику с использованием специализированного оборудования.

Таблица 1: Выводы транзистора П201Э
Вывод
Обозначение

1
Коллектор

2
База

3
Эмиттер

Тестирование и проверка замены транзистора п 201

Подбор замены транзистора для проекта не гарантирует его успешную реализацию. Для того, чтобы убедиться, что выбранный заменитель п 201 будет работать в проекте корректно, необходимо провести тестирование и проверку.

Первым шагом является сравнение технических характеристик выбранного заменителя и оригинального транзистора п 201. Необходимо убедиться, что значения параметров совпадают или близки друг к другу

Важно обратить внимание на максимально допустимые значения для тока, напряжения и мощности

После сравнения характеристик следует провести функциональное тестирование. Настройте свою схему для использования выбранного заменителя и проверьте его работу в различных условиях. Испытания могут включать в себя проверку работы транзистора при разных температурах, обеспечение требуемой частотной характеристики, проверку наличия неисправностей и т.д.

Если выбранный заменитель не прошел тестирование, необходимо вернуться к подбору и выбрать другой транзистор с лучшими характеристиками или попробовать использовать дополнительные компоненты для обеспечения совместимости.

Если тестирование пройдено успешно и заменитель п 201 подтвердил свою работоспособность, возможно приступить к реализации проекта с использованием выбранного заменителя. Однако, необходимо помнить, что тестирование следует проводить на этапе разработки и перед масштабированием проекта, чтобы избежать нежелательных последствий в дальнейшем.

Какие компоненты необходимы для работы транзистора п 201

Для успешной работы транзистора п 201 необходимо использовать следующие компоненты:

Электролитический конденсатор — для стабилизации и фильтрации напряжения.
Сопротивление — для ограничения тока и снижения перегрева.
Диод — для защиты от обратной полярности и стабилизации напряжения.
Керамический конденсатор — для фильтрации и подавления помех.
Индуктивность — для фильтрации высокочастотных помех и создания стабильного сигнала.
Разъемы и провода — для подключения транзистора к остальным компонентам и внешним устройствам.

Выбор и сочетание этих компонентов должно быть осуществлено с учетом требуемых характеристик и условий работы транзистора п 201.

Шаг 4: Проверка диода база-эмиттер

Для этого нам понадобится мультиметр, настройка которого должна быть установлена в режиме «диода» (обычно это значок диода на мультиметре).

Для проверки диода база-эмиттер, нужно подключить эмиттер транзистора (соответствующий вывод) к отрицательному (черному) проводу мультиметра, а базу (соответствующий вывод) — к положительному (красному) проводу.

При выполнении этой операции, мультиметр должен показывать напряжение примерно 0.6 и 0.7 В. Если мультиметр не показывает напряжение или показывает нулевое или очень высокое значение, это может указывать на повреждение диода или неисправность транзистора.

Проверку диода база-эмиттер следует проводить в разных полярностях подключения.

Неправильное подключение или отсутствие напряжения может быть признаком неполадок в транзисторе или его диоде база-эмиттер.

Применение в электронике

Одно из главных применений транзистора п 201 — это усиление сигнала. Благодаря его высокой усилительной способности и маленьким габаритам, он часто используется в усилителях мощности, радиоприемниках, радиопередатчиках.

Также транзистор п 201 может быть использован в качестве ключевого элемента в схеме коммутации. Он способен быстро переключаться между включенным и выключенным состоянием, что делает его полезным в цифровых схемах, таких как логические элементы и триггеры.

Благодаря своей надежности и долговечности, транзистор п 201 также часто используется в источниках питания, стабилизаторах напряжения, таймерах и других устройствах, где требуется точная регуляция напряжения и тока.

Транзистор п 201 также можно использовать в различных электронных схемах для контроля и управления электрическими сигналами. Он может быть частью аналоговых и цифровых схем, автоматических устройств, пультов управления и других приборов.

Транзистор п 201 — незаменимый элемент электроники, который нашел свое применение в самых разных областях.

Преимущества использования замены для транзистора п 201

1. Непрерывность производственного процесса: В случае недоступности или дефицита транзистора п 201, наличие возможности замены позволяет продолжить работу над проектом без простоев и задержек. Это особенно актуально для компаний, в которых время – деньги, а паузы в производстве могут нанести значительный ущерб.

3. Улучшение характеристик продукта: В некоторых случаях замена для транзистора п 201 может привести к улучшению характеристик готового продукта. Новый компонент может иметь более высокую эффективность, более широкий диапазон рабочих параметров или другие полезные возможности, которые не присущи оригинальному транзистору.

4. Расширение выбора поставщиков: При использовании замены для транзистора п 201, разработчики могут выбрать компоненты от различных производителей, что позволяет расширить возможности по поставке и получению компонентов. Это помогает диверсифицировать риски связанные с одним поставщиком и может привести к лучшему качеству и надежности готового изделия.

Все перечисленные факторы подчеркивают важность выбора правильной замены для транзистора п 201 в процессе разработки проекта. Комплексное рассмотрение всех аспектов даст возможность создания качественного продукта с минимальными затратами

Устройство и принцип работы

Принцип работы транзистора п 201 основывается на управлении током через базу при помощи изменения напряжения между базой и эмиттером. При достаточно большом напряжении на базе электроны из эмиттера начинают переходить в базу, образуя базовый ток. Затем, эти электроны переходят в коллекторный контакт, образуя коллекторный ток.

Основной принцип работы транзистора п 201 заключается в усилении сигнала, поступающего на базу, и передаче его на коллектор. Если на базу подается слабый сигнал, то через транзистор будет протекать сильный ток, соответствующий усиленному сигналу.

Важно отметить, что транзистор п 201 может работать как в режиме усилителя, так и в режиме ключа. В режиме усилителя он усиливает электрические сигналы, а в режиме ключа используется для управления другими устройствами или электрическими цепями

Транзистор п 201 имеет свои аналоги и замены, которые могут использоваться вместо него в различных электронных устройствах

Важно выбрать аналог или замену схожей характеристики и спецификации для успешной замены транзистора

Tip3055 транзистор характеристики и его российские аналоги

Биполярный транзистор TIP3055 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP3055

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO218

TIP3055 Datasheet (PDF)

1.1. tip3055r.pdf Size:104K _motorola

Order this document MOTOROLA by TIP3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN TIP3055 Complementary Silicon Power PNP TIP2955 Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4.0 Adc 15 AMPERE � Collector�Emitter Saturation Voltage � VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII POWER TRANSISTO

TIP2955 TIP3055 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 3 2 1 Description TO-247 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagr

TIP3055 (NPN), TIP2955 (PNP) Complementary Silicon Power Transistors Designed for general-purpose switching and amplifier applications. http://onsemi.com Features � DC Current Gain — 15 AMPERE hFE = 20 — 70 @ IC POWER TRANSISTORS = 4.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON � Collector-Emitter Saturation Voltage — 60 VOLTS, 90 WATTS VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc � Excellent Safe

1.4. tip3055.pdf Size:82K _bourns

TIP3055 NPN SILICON POWER TRANSISTOR ? Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE TIP2955 Series (TOP VIEW) ? 90 W at 25�C Case Temperature B 1 ? 15 A Continuous Collector Current C 2 ? Customer-Specified Selections Available 3 E Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRAAA absolute maximum ratings at 25�C case temperature (unless otherwise noted) RAT

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company POWER TRANSISTORS TIP2955F PNP TIP3055F NPN TO- 3P Fully Isolated Plastic Package B C E Designed for General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage VCEO 60 V Collector-Emitter Voltage VCER 70 V Collector-Bas

1.7. tip3055.pdf Size:142K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ Complement to type TIP2955 Ў¤ 90 W at 25°C case temperature Ў¤ 15 A continuous collector current APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose switching and amplifier applications. PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION TIP3

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Описание

NPN 70V, 15A, 90W (Comp. TIP2955)

Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 15 А, 90 Вт

Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Транзистор 2N3055

Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.

Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.

Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.

Распиновка транзистора 2N3055

Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.

Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.

Шаг 1: Подключение мультиметра и установка выходного сопротивления

Перед началом проверки транзистора П201Э необходимо правильно подключить мультиметр и установить необходимое выходное сопротивление.

Для начала, установите мультиметр в режим измерения тока постоянного напряжения (DC) и выберите диапазон измерений. Обычно используется диапазон до 200 мА.

Подключите мультиметр к тестовым точкам транзистора П201Э. Для этого подключите минусовой (черный) провод к общему (катоду) транзистора, а плюсовой (красный) провод — к эмиттеру (коллектору) транзистора

Обратите внимание на правильность подключения проводов

Далее необходимо установить выходное сопротивление мультиметра. Выходное сопротивление мультиметра должно быть больше, чем входное сопротивление транзистора П201Э, чтобы не искажать результаты проверки.

Выключите или отпустите автоматическую функцию выходного сопротивления, если такая имеется на вашей модели мультиметра. Установите выходное сопротивление примерно в 10 кОм.

После выполнения всех этих шагов вы будете готовы к следующему шагу проверки транзистора П201Э.