Транзистор КТ961В - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Технические характеристики транзистора КТ 961

1. Максимальное значение тока коллектора (Ic max) — 0.1 A.

2. Максимальное значение обратного тока эмиттера (Ie max) — 0.1 A.

3. Максимальное значение тока базы (Ib max) — 50 mA.

4. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Uce max) — 30 V.

5. Максимальное значение обратного напряжения эмиттер-база (Ueb max) — 6 V.

6. Максимальное значение напряжения база-эмиттер (Ube max) — 6 V.

7. Коэффициент усиления тока (hFE) — 40-160.

8. Мощность потери включения (Pc max) — 300 mW.

Транзистор КТ 961 применяется в низкочастотных усилителях, импульсных преобразователях, автоматическом регулировании температуры и других электронных устройствах, где требуется коммутация или усиление низкочастотных сигналов.

Маркировка

Изначальные кодовые обозначение пластикового корпуса КТ-13 были написаны в виде единичного символа по центру. И маркировка КТ361 запутывала технических специалистов, так как на момент начала изготовления КТ361 в 1967 году на рынке уже были аналогичные устройства, но с другими характеристиками. В итоге, было решено наносить единичное обозначение коэффициента посередине корпуса. Затем идёт дата выпуска. Благодаря такому решению стало возможно отличить транзистор от КТ315. Производители и сейчас продолжают использовать принятый в то время формат. Изделия в корпусе КТ-26 характеризуются полной маркировкой – с их идентификацией практически не возникает проблем.

Описание транзистора КТ 961

Транзистор КТ 961 относится к типу малогабаритных полевых транзисторов. Он имеет три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G), обеспечивая возможность управления сигналом от источника к стоку с помощью затвора.

Важной особенностью транзистора КТ 961 является его высокая частотная производительность. Он способен работать в широком диапазоне частот, что делает его идеальным для использования в радиочастотных устройствах, усилителях сигналов и других подобных приложениях

Транзистор КТ 961 также обладает низким уровнем шума и небольшими размерами, что позволяет его использование в миниатюрных устройствах и системах с ограниченным пространством.

КТ 961 имеет следующие технические характеристики:

Максимальное напряжение стока: 50В
Максимальный ток стока: 100мА
Максимальная мощность потери: 200мВт
Температурный диапазон: -55°C до +150°C
Усиление по току: не менее 60

Все эти характеристики делают транзистор КТ 961 универсальным и удобным в использовании в широком спектре радиоэлектронных приложений.

Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N1711

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N1711
Datasheet (PDF)

..1. Size:623K rca 2n1711.pdf

..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit

..3. Size:46K st 2n1711.pdf

2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va

..4. Size:47K st 2n1711 .pdf

..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf

http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com

..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE

..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf

9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf

INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive

9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf

9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf

9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf

Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.

Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1

Транзистор КТ961В: особенности и характеристики

Особенности транзистора КТ961В:

Низковольтный: Транзистор работает на низком напряжении, что позволяет использовать его в различных цепях низкочастотных усилителей, устройствах радиосвязи и звуковой аппаратуры.
Высокая усиливающая способность: КТ961В обладает высоким коэффициентом усиления, что является важным параметром для усилителей с низким уровнем сигнала.
Стабильность работы: Транзистор обладает стабильными характеристиками работы в широком диапазоне температур, что повышает надежность и долговечность его использования.
Низкий уровень шумов: КТ961В характеризуется низким уровнем шумов, что особенно важно для устройств, где требуется высокое качество звука.

Характеристики транзистора КТ961В:

Параметр	Значение
Максимальное рабочее напряжение, В	25
Максимальный ток коллектора, мА	50
Максимальная мощность потерь, Вт	0,6
Коэффициент усиления в диапазоне частот 20 Гц — 20000 Гц	не менее 120
Температурный диапазон, °C	-60…+100

Транзистор КТ961В является надежным и многофункциональным прибором, который нашел широкое применение во многих электронных схемах и устройствах.

Применение транзистора КТ854Б в электронике

Основными областями применения транзистора КТ854Б являются:

1. Источники питания

Благодаря высокой производительности транзистора КТ854Б и его способности выдерживать большие токи, он часто используется в силовых блоках источников питания. Транзистор обеспечивает стабильную работу и защиту от короткого замыкания.

2. Усилители

Транзистор КТ854Б обладает высоким коэффициентом усиления и малыми искажениями сигнала, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах. Он может быть применен как в низкочастотных, так и в высокочастотных усилителях.

3. Аудио и видео устройства

Благодаря своей надежности и стабильности, транзистор КТ854Б используется в различных аудио и видео устройствах, таких как усилители звука, ресиверы, телевизоры и др. Он обеспечивает высокое качество звука и изображения.

4. Коммутационные схемы

Транзистор КТ854Б также может быть использован в коммутационных схемах, где необходимы высокие скорости переключения и надежность. Он может управлять различными устройствами, такими как реле, светодиоды и другие.

Характеристики транзистора КТ854Б делают его универсальным элементом во многих схемах и устройствах электроники. Он обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его одним из самых популярных транзисторов на современном рынке.

Характеристики и цоколевка транзистора КТ961В

Следующие характеристики транзистора КТ961В несут важную информацию о его работе:

Тип: P-N-P.
Максимально допустимый коллекторный ток (I_C): 100 мА.
Максимально допустимое обратное напряжение коллектор-эмиттер (U_CEO): 30 В.
Максимально допустимая мощность потерь (P_T): 400 мВт.
Коэффициент усиления по току (h_FE): 60-120.
Частота переключения (f_T): не менее 50 МГц.

Цоколевка транзистора КТ961В представлена следующим образом:

Коллектор (К): один из выводов транзистора, обозначается буквой К.
База (Б): второй вывод транзистора, обозначается буквой Б.
Эмиттер (Э): третий вывод транзистора, обозначается буквой Э.

Правильное подключение к контуру устройства обеспечит нормальную работу транзистора и достижение требуемых результатов.