Транзистор КТ9115А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают максимально допустимые параметры своего изделия. Характеристики, при которых работает устройство, не должны их превышать, иначе  КТ815 с большой вероятностью выйдет из строя. Также недопустима работа при режимах близких к максимальным.

Параметры, при которых производилось тестирование, указываются в технических характеристиках.

• максимально допустимое постоянно действующее напряжение при сопротивлении Б-Э меньше 100 Ом U_кэmax = 40 В;
• постоянное напряжение между U_{эбmax (максимально выдерживаемое)}  = 5 В;
• наибольший возможный ток I_кmax = 1,5 А;
• предельно возможный импульсный ток, на протяжении промежутка времени меньше 10 мс I_киmax = 3 А;
• наибольший возможный ток I_бmax = 0,5 А;
• максимальная мощность, которая может рассеиваться на коллекторе в течении длительного времени (при температуре корпуса от -40 ОС до + 25 ОС) с теплоотводом – 10 Вт, без теплоотвода – 1 Вт;
• максимальная температура перехода 150 ОС.

Далее в технических характеристиках идут электрические параметры. Их измерение также производится при температуре + 25 ОС, если другое не оговорено специально для конкретного значения. Остальные условия приведены в таблице.

Характеристики электрические транзистора КТ815:

Название параметра	Обозн	Режимы измерения	MIN	MAX	Ед. измер.
Граничное напряжение между коллектором и эмиттером	Uкэо гp	Iэ=50mA tи=0,3 — 1 мс	25		В
Обратный ток  коллектора	Iкбо	UКБ = 40 В Тк=-40…+25ОС		50	мкА
Обратный ток  коллектора	Iкбо	UКБ = 40 В Тк=+100ОС		1000	мкА
Напряжение насыщения перехода К-Э	Uкэ нас	Iк=0,5 A Iб=50 мA		0,6	В
Коэффициент передачи тока в схеме с общим Э (стат)	h21э	Uкб=2 B Iэ=0,15A	40	275
Граничная частота к-та передачи в схеме с общим эмиттером	fгр		3		МГц
Входное сопротивление измеренное для режима малого сигнала	h11э	Uкэ = 5 В Iк=5 мА f=800 Гц	800		Ом
Емкость на коллекторном переходе	ск	Uкэ = 5 В f=465 Гц		60	пФ
Емкость на переходе Э	сэ	Uэб =0,5 В		75	пФ

Помимо этого в Datasheet также приводятся сведения о безопасности при монтаже. Не допускается пайка на расстоянии ближе 5 мм от корпуса. Температура припоя должна быть ниже +250 ОС. Тепловое воздействие не должно длиться более 2 с.

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки

Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд

Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
КТ315, КТ315-1	0,15	15…60	15…60	6	0,1	120	250	7	20…350	КТ13, TO-92
КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9	0,2	20…80	20…80	5	0,1	175	100	15	20…80	SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A9	0,15	60	50	5	0,4	150	250	4,5	100…300	SOT23 (КТ-46А)
КТ3102	0,25	20…50	20…50	5	0,2	125	—	6	100…1000	TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP719 ٭	0,15	25	25	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP720 ٭	0,15	20	20	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
BFP721 ٭	0,15	40	40	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ13
2SC641	0,1	40	15	5	0,1	150	400	6	45…160	TO-92
КТ315Е	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ13
2N3397	0,36	25	25	5	0,1	150	—	10	55…800	TO-92
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	250	7	30…250	КТ13
2SC545	0,12	20	20	4	0,03	125	175	—	60	TO-92
2SC546	0,12	30	30	4	0,03	125	300	—	40	TO-92
BFY37i	0,15	25	20	5	0,1	175	270	2,3	˃ 35	TO-18
2SC388	0,3	30	25	4	0,05	150	300	2	20…200	TO-92
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	250	—	˃ 30	КТ13
2SC634	0,18	40	40	—	0,1	125	140	4,5	—	TO-923
2SC9014	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60	TO-92
BC547	0,5	50	50	6	0,1	150	300	6	110	TO-92
2N3904	0,31	60	40	6	0,2	135	300	4	40	TO-92
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	TO-92
2SC633	0,3	26	26	6	0,2	125	112	7	45…660	TO-92
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	150…350	TO-92
BFP722 ٭	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Характеристики и параметры транзистора КТ315

Технические характеристики и параметры транзистора КТ315 на удивление хороши даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в техпаспорте современного производителя КТ315 представлена ​​только основная информация. В характеристиках и параметрах отсутствуют графики, отражающие поведение и частоту прибора в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие такие же электроприборы зарубежных производителей.

Максимальные характеристики и параметры транзистора КТ315

Максимальные значения допустимых электрических режимов работы КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток (мА) транзистора КТ315 может достигать уровня 100 мА, а рабочая частота транзистора КТ315 в некоторых случаях превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ 2хх/3хх даже с металлическим корпусом такими характеристиками частоты похвастаться не могли. КТ315 долгое время был чем-то вроде технического лидера, пока не был заменен улучшенным КТ3102. Рассмотрим такие характеристики, как: максимально допустимые электрические режимы работы КТ315 в корпусе ТО-92 белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения стоит цифра «1». Например, кт315ж1 или кт315и1.

Основные электрические параметры и характеристики транзистора КТ315

Имейте в виду, что, несмотря на довольно хорошую производительность и рабочую частоту, транзисторKT315 не может конкурировать с современными устройствами в некоторых отношениях по своим параметрам и характеристикам. Поэтому современная серия полевого модуля транзистора КТ315 mosfet, как и 50 лет назад, имеет сравнительно небольшой диапазон рабочих частот и температур от -45 до +100°С. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 дБ, что уже немало для современного устройства, предназначенного для усиления в низких частотах тракта.

Классификация транзистора КТ315

Помимо основных параметров, в техническом описании транзистора КТ315 можно найти такие характеристики, как распределение аппаратов по группам. Классификационная таблица дает представление о параметрах всей серии транзистора КТ315. С ее помощью можно выбрать подходящий, сравнив основные характеристики и параметры всей серии.

Комплементарная пара транзистора КТ315

КТ315 имеет комплементарную пару: КТ361. Они часто использовались вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное исполнение этой пары безусловно вошло в историю отечественной электроники.

Маркировка транзистора КТ315

По маркировке транзистора КТ315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ 13. Транзистор имеет буквенно-цифровое обозначение и может отличаться от своих товарищей цветом. Чаще всего встречается в оранжевом/желтом цвете. В правом верхнем углу корпуса есть знак производителя, а в левом- группа коэффициента усиления. Под символами группы и производителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всех цветах.

Транзисторы КТ315 с такой конструкцией до 1986 г имели позолоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгоценных металлов в них значительно уменьшилось. А на современных электроаппаратах их практически нет. Модернизированный транзистор КТ315 доступен в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТ-46А (СОТ-23) для поверхностного монтажа. На фото пример такого транзистора КТ315Г1 (ТО-92).

Цифра «1» в конце указывает на современный КТ315 (ТО-92), а предпоследняя буква «Г» указывает на группу, к которой относится транзистор этой серии. По значениям параметров в группе можно определить основное назначение транзистора КТ315. Например, транзистор КТ315Н1 ранее применялся в цветных телевизорах, а КТ315П и КТ315Р1 — в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Виды полевых транзисторов

Полевой транзистор с n-р переходами подразделяется на несколько классов в зависимости:

1. От типа каналов проводников: n или р. Каналы воздействую на знаки, полярности, сигналы управления. Они должны быть противоположны по знакам n-участку.
2. От структуры приборов: диффузных, сплавных по р -n — переходам, с затворами Шоттки, тонкопленочными.
3. От общего числа контактов: могут быть трех или четырех контактными. Для четырех контактных приборов, подложки также являются затворами.
4. От используемых материалов: германия, кремния, арсенид галлия.

В свою очередь разделение классов происходит в зависимости от принципа работы транзистора:

• устройства под управлениями р-n переходов;
• устройства с изолированными затворами или с барьерами Шоттки.

Характеристика КТ315

Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.

Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:

1. рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
2. максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
3. предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
4. наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
5. максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
6. рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.

Электрическая характеристика

Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).

Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.

• Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
• Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
• Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
• Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
• Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
• Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.

Классификация

Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.

Маркировка

КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать

Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса

КТ315 — отечественные и зарубежные аналоги

Список аналогов для КТ315:

1. Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой мало мощный транзистор (3 рубля за штуку) со значительным коэффициентом усиления.Также стоить отметить, что еще существует распространенный тип корпуса для маломощных устройств To-92.  По сравнению с КТ315 зарубежный аналог довольно дорог. Но у него есть то преимущество, что он не так быстро выходит из строя при пайке и перепайке (в основном из-за увеличенной и укрепленной конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность 2,5е-7 мВт. В направлении «коллектор-база» может подаваться до 50 вольт. На коллектор-эмиттер — до 45 вольт. Максимальная сила для направления эмиттер-база составляет 6 вольт. Переход коллектора на эмиттер имеет емкость 8. Предельная температура перехода коллектора на эмиттер — 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока (мкА) коллектора на эмиттер- 200.
2. Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 вполне сбалансирован по характеристикам и цене. Максимальное значение рассеиваемой мощности равно 0,18. Максимально допустимая сила на коллектор-базу и коллектор-эмиттер составляет 40 вольт. База-эмиттер — всего 6 вольт. Емкость перехода коллектора -эмиттера — 8. Предельная температура перехода коллектора — эмиттера — 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока (мА) коллектора — эмиттера — 90.
3. Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что для КТ315 это отечественный аналог, было бы неправильно, так как исторически сложилось так, что такие детали изготавливались одного вида, отвечающего всем необходимым требованиям и способного выполнять возложенные на него функции. Дело в том, что КТ3102 просто не существует, за этим обязательно следует еще одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Вы можете получить более подробную информацию, посмотрев на каждый транзистор. Отечественная разработка представляет собой усовершенствованный КТ315. Аналог в данном случае неправильное слово, больше подойдет усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 — 0,25. На базу коллектора можно подавать максимальную интенсивность 20-50 вольт. Максимальный поток, который можно подать на коллектор-эмиттер, тоже 20-50 вольт. Максимальный поток на эмиттер-базу — 5 вольт. Емкость перехода коллектора на эмиттер — 6. Предельная температура перехода коллектора на эмиттер- 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока (мА) коллектора на эмиттер равен 100.
4. Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность 0,1. Сила на направлении коллектор-база не должна превышать 40 вольт. Максимальный поток в направлении коллектор-эмиттер не должно превышать 15 вольт. Для направления эмиттер — база это значение не должно превышать 5 вольт. Емкость перехода коллектора на эмиттер равняется 6 единицам. Предельная температура перехода коллектора на эмиттер составляет 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока (мА) коллектора на эмиттер равен 35.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус

КТ315, КТ315-1	0,15	15…60	15…60	6	0,1	120	250	7	20…350	КТ 13, ТО-92
КТ3151 А9/Б9/Д9/Е9/Г9/В9	0,2	20…80	20…80	5	0,1	175	100	15	20…80	SОТ23 (КТ-46)
КТ3153 А9	0,15	60	50	5	0,4	150	250	4,5	100…300	SОТ23 (КТ-46А)
КТ3102	0,25	20…50	20…50	5	0,2	125	—	6	100…1000	А-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус

КТ315А	0,15	25	25	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ 13
BFP719	0,15	25	25	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ 13
КТ315Б	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ 13
BFP720	0,15	20	20	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ 13
КТ315В	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ 13
BFP721	0,15	40	40	5	0,1	120	250	7	20…90	КТ 13
КТ315Г	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ 13
BFP722	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ 13
КТ315Д	0,15	40	40	6	0,1	120	250	7	20…90	КТ 13
2SC641	0,1	40	15	5	0,1	150	400	6	45…160	ТО-92
КТ315Э	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	50…350	КТ 13
2Н3397	0,36	25	25	5	0,1	150	—	10	55…800	ТО-92
КТ315Ж	0,1	15	15	6	0,05	120	250	7	30…250	КТ 13
2SC545	0,12	20	30	4	0,03	125	175	—	60	ТО-92
2SC546	0,12	30	30	4	0,03	125	300	—	40	ТО-92
BFY37i	0,15	25	20	5	0,1	175	270	23	35	А-18
2SC388	0,3	30	25	4	0,05	150	300	2	20…200	ТО-92
КТ315И	0,1	60	60	6	0,05	120	250	—	30	КТ 13
2SC634	0,18	40	40	—	0,1	125	140	4,5	—	ТО-923
2SC9014	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60	ТО-92
До н.э.547	0,5	50	50	6	0,1	150	300	6	110	ТО-92
2Н3904	0,31	60	40	6	0,2	135	300	4	40	ТО-92
КТ315Н1	0,15	20	20	6	0,1	120	250	7	50…350	ТО-92
2SC633	0,3	26	26	6	0,2	125	112	7	45…660	ТО-92
КТ315Р1	0,15	35	35	6	0,1	120	250	7	150…350	ТО-92
BFP722	0,15	35	35	5	0,1	120	250	7	50…350	КТ13

٭ — Продукт в настоящее время не производится, но может быть в наличии на складах.

Примечание: данные таблиц взяты из даташит компаний-производителей.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, накопленные в СССР в области разработки интегральных схем. Разработка транзистора КТ315 в 60-х годах велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторных бюро на советских промышленных предприятиях. В 1962 году НИИ «Пульсар» перешел на планарную кремневую технологию, которая впоследствии породила КТ315.

Небольшой промежуток времени от разработки до серийного выпуска этого прибора позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, насколько быстро и качественно это было сделано. В 1966 г. министр энергетики Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 году Фрязинский завод полупроводниковых приборов также начал выпускать первый в СССР высокой частоты электроприбор в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии — КТ315.

В 1968 году начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором таких транзисторов было около 400. А в 1973 году он стал основой для разработки более 20 таких полупроводниковых приборов. Примерно до начала 90-х почти вся бытовая электроника комплектовалась КТ315, так как, несмотря на свою невысокую стоимость, он оказался очень надежным и технологичным. В настоящее время в мире насчитывается более 7 миллиардов таких транзисторов. Их производили не только в нашей стране, но и за границей по государственной лицензии СССР.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Б и коллектора I_К незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.