Транзистор кт908

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
22N20	N	MOSFET	156	200	30		22	150		300	220	0.12	TO220 TO220F
2SK3555-01MR	N	MOSFET	95	250	30		37	150		30	220	0.1	TO220F
2SK3607-01MR	N	MOSFET	37	200	30		18	150		2.6	110	0.17	TO220F
2SK3926-01MR	N	MOSFET	95	250	30		34	150		19	220	0.11	TO220F
AOTF27S60	N	MOSFET	50	600	30		27	150		33	80	0.16	TO220F
AOTF29S50	N	MOSFET	50	500	30	3.9	29	150		39	88	0.15	TO220F
AOTF42S60	N	MOSFET	50	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
AOTF42S60L	N	MOSFET	37.9	600	30	3.8	39	150	40	53	135	0.099	TO220F
F21F60CPM	N	MOSFET	60	600	30	3.5	21	150	39	60	100	0.165	TO220F
F25F60CPM	N	MOSFET	70	600	30	3.5	25	150	53	70	120	0.125	TO220F
FCPF099N65S3	N	MOSFET	43	650	30	4.5	30	150	57	20	50	0.099	TO220F
FCPF125N65S3	N	MOSFET	38	650	30	4.5	24	150	44	25	40	0.125	TO220F
FCPF22N60NT	N	MOSFET	39	600	30	4	22	150	45			0.165	TO220F
FDPF18N20F	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150		50	200	0.14	TO220F
FDPF18N20FT	N	MOSFET	41	200	30	5	18	150	20			0.14	TO220F
FDPF18N20FT_G	N	MOSFET	35	200	30		18	150				0.14	TO220F
FDPF2710T	N	MOSFET	62.5	250	30	5	25	150	78			0.0425	TO220F
FDPF33N25T	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150	36.8			0.094	TO220F
FDPF33N25TRDTU	N	MOSFET	37	250	30	5	33	150				0.094	TO220F
FDPF39N20	N	MOSFET	37	200	30	5	39	150	38			0.066	TO220F
FDPF39N20TLDTU	N	MOSFET	37	200	30	5	23.4	150				0.066	TO220F
FDPF44N25T	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150	47			0.069	TO220F
FDPF44N25TRDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	44	150				0.069	TO220F
FDPF51N25	N	MOSFET	38	250	30	5	28	150	55			0.06	TO220F
FDPF51N25RDTU	N	MOSFET	38	250	30	5	51	150				0.06	TO220F
FMV24N25G	N	MOSFET	65	250	30	5	24	150	36	22	200	0.13	TO220F
FQPF18N20V2	N	MOSFET	40	200	30	5	18	150	20	133	200	0.14	TO220F
FQPF19N20C	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5			0.17	TO220F
FQPF19N20CYDTU	N	MOSFET	43	200	30	4	19	150	40.5	150	195	0.17	TO220F
FQPF32N20C	N	MOSFET	50	200	30	4	28	150	82.5			0.082	TO220F
FS20KM-5	N	MOSFET	40	250	30		20					0.15	TO220FN
GP1M018A020XX	N	MOSFET	94	200	30	5	18	150	18	30	180	0.17	TO220 TO220F
IRFI4229	N	MOSFET	46	250	30		19		73			0.046	TO220FP
MTN18N20FP	N	MOSFET	41	200	30		18	150		66	154	0.08	TO220FP
NCE65T130F	N	MOSFET	35	650	30	4	28	150	37.5	12	120	0.13	TO220F
NTPF082N65S3F	N	MOSFET	48	650	30	5	40	150	70	27	70	0.082	TO220F
RCX200N20	N	MOSFET	40	200	30	5	20	150	40	100	120	0.13	TO220FM
RCX220N25	N	MOSFET	40	250	30	5	22	150	60	100	170	0.14	TO220FM
RCX300N20	N	MOSFET	40	200	30	5	30	150	60	160	200	0.08	TO220FM
RCX330N25	N	MOSFET	40	250	30		33	150	80	200	220	0.077	TO220FM
SIHA25N50E	N	MOSFET	35	500	30	4	26	150	57	36	105	0.145	TO220FP
SIHF23N60E	N	MOSFET	35	600	30	4	23	150	63	38	119	0.158	TO220FP
SIHF28N60EF	N	MOSFET	39	600	30	4	28	150	80	40	123	0.123	TO220FP
SMK1820F	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
SMK1820FJ	N	MOSFET	35	200	30		18	150		130	227	0.17	TO220F
STF30NM60N	N	MOSFET	40	600	30	4	25	150	91	24	210	0.13	TO220FP
TK22A65X5	N	MOSFET	45	650	30	4.5	22	150	50	20	60	0.16	TO220F

Всего результатов: 47

Описание и назначение транзистора КТ908Б

Транзистор КТ908Б обладает высоким коэффициентом усиления (более 10000) в режиме с обратной связью, а также низким уровнем шума и малой выходной емкостью. Эти характеристики делают его особенно применимым для работы в усилительных схемах, где требуется высокое качество звука и стабильность сигнала.

Транзистор КТ908Б имеет три вывода: исток (S), сток (D) и затвор (G). Затвор служит для управления током, который протекает между истоком и стоком. При подаче управляющего сигнала на затвор, транзистор открывается и позволяет протекать току. При отсутствии сигнала на затворе транзистор закрывается и препятствует протеканию тока.

Транзистор КТ908Б может работать в широком диапазоне температур и напряжений, что делает его надежным и устойчивым к внешним воздействиям. Он имеет малый размер, что позволяет использовать его в компактных электронных устройствах. Благодаря своим техническим характеристикам и надежности, транзистор КТ908Б широко применяется в различных областях электроники.

Технические характеристики

Серию КТ825 относят к полупроводниковым триодам с p-n-p-проводимостью. Но на самом деле они представляют собой устройства состоящее из двух таких структур, собранных в едином корпусе по схеме Дарлингтона. В СССР их ещё называли — составными.

Максимальные эксплуатационные значения

КТ825Г является лучшим по параметрам транзистором в своей серии, если не рассматривать его аналог 2Т825. Он имеет наибольшие значения предельно допустимых режимов эксплуатации среди «собратьев». Рассмотрим их поподробнее:

максимальное постоянное напряжение: К-Э — до 90 В; Б-Э – до 5 В;
коллекторный ток: постоянный от 20 А; импульсный до 40 А;
рассеиваемая мощность на коллекторе: до 125 Вт (с радиатором); до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла не более 40 Вт;
температура: p-n-перехода до +150°С; окружающей среды от -40 до +100 °C.

Электрические характеристики

Электрические параметры КТ825Г тоже неплохие, по сравнению с другими серии. Согласно данным из даташит, он имеет лучшие показатели статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (H_21э) от 600 до 25000 и пробивное напряжение К-Э до 90В. Такие величины H_21э обусловлены его составной структурой. Эти и другие характеристики устройства представлены в таблице ниже, исходя из условий его работы указанных в отдельном столбце.

Комплементарная пара

В качестве комплементарной пары во многих технических решениях используется составной КТ827А, имеющий NPN-проводимость.

Транзистор КТ908Б: основные характеристики и параметры

Основные технические характеристики и параметры транзистора КТ908Б:

Тип корпуса: TO-92;
Тип транзистора: P-N-P;
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO): 50 В;
Максимальный коллекторный ток (I_C): 100 мА;
Максимальная мощность потери ВЧ (P_f): 0,2 Вт;
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): не более 0,3 В;
Температурный диапазон эксплуатации: от -55 до +150 градусов Цельсия;
Коэффициент усиления тока (h_FE): от 20 до 200;
Максимальная рабочая частота (f_T): 150 МГц.

Транзистор КТ908Б обладает высоким коэффициентом усиления и хорошей линейностью работы. Он имеет небольшие габариты и низкую стоимость, что делает его привлекательным для использования в различных электронных устройствах.

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

американская фирма Motorola,
японская Seiko Instruments
тайваньская Pan Jit.

Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.	Код	Тип	ЭРЭ	Фирма	Рис.
7E	MUN5215DW1T1	K2	MO	2Q
11	MUN5311DW1T1	L3	MO	2Q	7F	MUN5216DW1T1	K2	MO	2Q
12	MUN5312DW1T1	L3	MO	2Q	7G	MUN5230DW1T1	K2	MO	2Q
12	INA-12063	U2	HP	2Q	7H	MUN5231DW1T1	K2	MO	2Q
13	MUN5313DW1T1	L3	MO	2Q	7J	MUN5232DW1T1	K2	MO	2Q
14	MUN5314DW1T1	L3	MO	2Q	7K	MUN5233DW1T1	K2	MO	2Q
15	MUN5315DW1T1	L3	MO	2Q	7L	MUN5234DW1T1	K2	MO	2Q
16	MUN5316DW1T1	L3	MO	2Q	7M	MUN5235DW1T1	K2	MO	2Q
1С	BC847S	N5	SI	2Q	81	MGA-81563	U1	HP	2Q
1P	BC847PN	P6	SI	2Q	82	INA-82563	U1	HP	2Q
31	MUN5331DW1T1	L3	MO	2Q	86	INA-86563	U1	HP	2Q
32	MUN5332DW1T1	L3	MO	2Q	87	INA-87563	U1	HP	2Q
33	MUN5333DW1T1	L3	MO	2Q	91	IAM-91563	U1	HP	2Q
34	MUN5334DW1T1	L3	MO	2Q	A2	MBT3906DW1T1	P5	MO	2Q
35	MUN5335DW1T1	L3	MO	2Q	A3	MBT3906DW9T1	P5	MO	2Q
36	ATF-36163	A1	HP	2Q	A4	BAV70S	E4	SI	2Q
3C	BC857S	P5	SI	2Q	E6	MDC5001T1	U3	MO	2Q
3X	MUN5330DW1T1	L3	MO	2Q	H5	MBD770DWT1	F2	MO	2Q
46	MBT3946DW1T1	P6	MO	2Q	II	AT-32063	N2	HP	2Q
51	INA-51063	U2	HP	2Q	M1	CMY200	U1	SI	2R
52	INA-52063	U2	HP	2Q	M4	MBD110DWT1	F2	MO	Q
54	INA-54063	U2	HP	2Q	M6	MBF4416DW1T1	A3	MO	2Q
6A	MUN5111DW1T1	L2	MO	2Q	MA	MBT3904DW1T1	N5	MO	2Q
6B	MUN5112DW1T1	L2	MO	2Q	MB	MBT3904DW9T1	N5	MO	2Q
6C	MUN5113DW1T1	L2	MO	2Q	MC	BFS17S	N5	SI	2Q
6D	MBF5457DW1T1	A3	MO	2Q	RE	BFS480	N5	SI	2Q
6D	MUN5114DW1T1	L2	MO	2Q	RF	BFS481	N5	SI	2Q
6E	MUN5115DW1T1	L2	MO	2Q	RG	BFS482	N5	SI	2Q
6F	MUN5116DW1T1	L2	MO	2Q	RH	BFS483	N5	SI	2Q
6G	MUN5130DW1T1	L2	MO	2Q	T4	MBD330DWT1	F2	MO	2Q
6H	MUN5131DW1T1	L2	MO	2Q	W1	BCR10PN	L3	SI	2Q
6J	MUN5132DW1T1	L2	MO	2Q	WC	BCR133S	K2	SI	2Q
6K	MUN5133DW1T1	L2	MO	2Q	WF	BCR08PN	L3	SI	2Q
6L	MUN5134DW1T1	L2	MO	2Q	WK	BCR119S	K2	SI	2Q
6M	MUN5135DW1T1	L2	MO	2Q	WM	BCR183S	K2	SI	2Q
7A	MUN5211DW1T1	K2	MO	2Q	WP	BCR22PN	L3	SI	2Q
7B	MUN5212DW1T1	K2	MO	2Q	Y2	CLY2	A1	SI	2R
7C	MUN5213DW1T1	K2	MO	2Q	6s	CGY60	U1	SI	2R
7D	MUN5214DW1T1	K2	MO	2Q	Y7s	CGY62	U1	SI	2R

Механические параметры транзистора КТ908Б

Транзистор КТ908Б представляет собой полупроводниковое устройство, имеющее различные механические параметры, которые определяют его размеры и форму. Важные характеристики транзистора КТ908Б включают:

Размеры корпуса: 11.5 × 6.7 × 4 мм

Масса: 1.2 г

Корпус транзистора КТ908Б выполнен из пластмассового материала, который обеспечивает защиту внутренних элементов от внешних воздействий и электростатических разрядов.

Для установки транзистора КТ908Б на печатную плату используется монтажное отверстие диаметром 0.8 мм. Это позволяет легко и надежно закрепить транзистор на печатной плате в нужном положении.

Максимальные рабочие параметры транзистора КТ908Б

Максимальное обратное напряжение коллектор-эмиттер (U_кэ): 40 В.
Максимальное прямое напряжение коллектор-эмиттер (U_{кэ(макс)}): 35 В.
Максимальный пульсирующий коллекторный ток (I_кмакс): 100 мА.
Максимальный постоянный коллекторный ток (I_к(макс)): 50 мА.
Максимальный пульсирующий базовый ток (I_бмакс): 50 мА.
Максимальный постоянный базовый ток (I_б(макс)): 20 мА.
Максимальная мощность потерь в переходе коллектор-эмиттер (P_к(пот)): 100 мВт.

Указанные максимальные рабочие параметры позволяют определить предельные значения тока и напряжения, которые можно применять при работе с транзистором КТ908Б. Превышение указанных значений может привести к выходу транзистора из строя.

Распиновка и маркировка

Транзистор выполнен в корпусе ТО-220 из пластика. Для электрического подключения предназначены три жёстких вывода одинаковой длины. Вес элемента не превышает пары грамм. Цоколевка КТ829 стандартная. На лицевой части слева направо идут база, коллектор и эмиттер. Внешний вид и схема распиновки представлены на рисунке:

Маркируются устройства очень просто. КТ обозначает кремниевый биполярный транзистор. Первая цифра 8 обозначает, что элемент мощный и высокоточный. Последние два числа 29 обозначают серию. Линейка транзисторов представлена четырьмя моделями, для обозначения каждой из которых используется символ — А, Б, В или Г.

Элемент не оснащен радиатором, и во многих применениях может спокойно эксплуатироваться без него. Однако, при работе на максимальных токовых значения лучше всего установить охлаждающий радиатор.

Достоинства и недостатки транзистора КТ908Б

Достоинства:

Надежность и долговечность: транзистор КТ908Б хорошо справляется с повышенными температурами и вибрациями, благодаря чему может быть использован в сложных условиях эксплуатации.
Высокая мощность: этот транзистор способен обеспечивать высокую мощность в работе с электрическими сигналами, что делает его привлекательным для использования в усилительных устройствах.
Универсальность применения: транзистор КТ908Б может быть использован в различных электронных устройствах, включая источники питания, усилители, модуляторы и другие.
Доступность и стоимость: данный транзистор доступен на рынке и имеет привлекательную цену, что делает его предпочтительным в выборе для многих разработчиков.

Недостатки:

Ограниченный диапазон частот: транзистор КТ908Б имеет ограниченную способность работать с высокими частотами, что ограничивает его применимость в некоторых сферах.
Низкая мощность: по сравнению с некоторыми другими моделями транзисторов, КТ908Б обладает низкой мощностью, что может оказывать влияние на работу некоторых устройств.
Зависимость от температуры: при неблагоприятных условиях окружающей среды, транзистор КТ908Б может начать снижать свою эффективность из-за высокой температуры, необходимой для его работы.

Ключевые особенности транзистора КТ908Б

Основные ключевые особенности транзистора КТ908Б:

Структура: транзистор КТ908Б относится к биполярным транзисторам с p-n-p структурой. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала – эмиттера, базы и коллектора. Промежуточный слой базы контролирует ток эмиттера и определяет коэффициент усиления сигнала.
Монтажные размеры: транзистор КТ908Б имеет стандартную керамическую оболочку с размерами 5,3 x 5,9 x 7,2 мм. Это обеспечивает удобную установку транзистора на печатные платы и возможность его использования в различных электронных устройствах.
Номинальные значения: транзистор КТ908Б имеет номинальное значение величины максимального коллекторного тока IC = 500 мА и максимального коллектор-эмиттерного напряжения UCE0 = 30 В. Он также обладает низким значением параметра h21e – коэффициента усиления тока – на уровне 40-200.
Рабочие условия: транзистор КТ908Б может успешно функционировать в широком диапазоне температур – от -60°C до +150°C. Он обеспечивает стабильную работу при переменных значениях тока и напряжения.

Транзистор КТ908Б является надежным и прочным электронным компонентом, который широко применяется во многих областях техники и телекоммуникаций. Его основные параметры и характеристики делают его идеальным выбором для создания электронных схем с усилителями, коммутаторами и другими электронными устройствами.

(КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д)

Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах.

КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:

КТ203АМ — тёмно-красный.
КТ203БМ — жёлтый.
КТ203ВМ — тёмно-зелёный.

Боковая поверхность всех транзисторов имеет метку красного цвета.
Масса транзистора КТ203 не более 0,5 г.

Рис. 1 — Внешний вид транзисторов КТ203А (слева) и КТ203АМ (справа)

Рис. 2 — Цоколевка и размеры транзистора КТ203

Таблица 1

Электрические параметры транзистора КТ203
Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) = 5 В, = 1 мА:
Т = +25°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	9
2Т203Б	30…90
2Т203В	15…100
2Т203Г, не менее	40
2Т203Д	60…200
КТ203Б, КТ203БМ	30…150
КТ203В, КТ203ВМ	30…200
Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	9
2Т203Б	30…80
2Т203В	15…200
2Т203Г, не менее	40
2Т203Д	60…400
КТ203Б, КТ203БМ	30…230
КТ203В, КТ203ВМ	30…400
Т = -60°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее	7
2Т203Б	15…90
КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ	10…100
2Т203Г, не менее	20
2Т203Д	30…200
КТ203В, КТ203ВМ	15…200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при = 5 В, = 1 мА, не менее:
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ	5 МГц
2Т203Г, 2Т203Д	10 МГц
Напряжение насыщения К-Э, не более:
при = 20 мА, = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ	1 В
при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Г	0,5 В
при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Д	0,35 В
при = 20 мА, = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ	0,5 В
Ток коллектора (обратный), при = , не более:
Т = +25°C	1 мкА
Т = Т_макс	15 мкА
Ток эмиттера (обратный), при = _x, не более	1 мкА
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при = 1 мА, не более:
при = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А	300 Ом
при = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	300 Ом
при = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В	300 Ом
при = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д	300 Ом
Ёмкость коллекторного перехода при = 5 В, f = 10 МГц, не более	10 пФ

Таблица 2

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ203
Напряжение К-Б (постоянное):
при Т = -60…+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	15 В
при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В
Напряжение К-Э (постоянное) при R_бэ ≤ 2 КОм:
при Т = -60…+75°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	60 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	30 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	15 В
при Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В
Напряжение Э-Б (постоянное):
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г	30 В
КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б	15 В
КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д	10 В
Ток коллектора (постоянный)	10 мА
Ток коллектора (импульсный) при t_и ≤ 10 мкс, Q ≥ 10	50 мА
Рассеиваемая мощность коллектора1) (постоянная):
T = -60…+75°C	150 мВт
T = +125°C	60 мВт
Температура p-n перехода	+150°C
Рабочая температура (окружающей среды)	-60…+125°C

1) При T > +75°C уменьшается линейно.

Технические характеристики транзистора КТ908Б

1. Тип корпуса: металл-сюльфидный

2. Максимально допустимый ток коллектора: не менее 150 мА

3. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: не менее 35 В

4. Максимально допустимая мощность потерь: не более 400 мВт

5. Коэффициент усиления по току (размах тока усиления): не менее 40 — 400

6. Температурный диапазон эксплуатации: от -60°C до +100°C

Транзистор КТ908Б отличается хорошими высокочастотными характеристиками и низким разбросом параметров, что позволяет его успешно применять в радиоэлектронике, радиотехнике, автозвуке и других областях. Этот транзистор обеспечивает стабильную работу в различных условиях эксплуатации и является надежным элементом в схемах усилителей и коммутаторов.

Схема

Для знакомства с КТ829 начинающему радиолюбителю можно порекомендовать схему простейшего усилителя низкой частоты. Для этого, кроме транзистора, потребуется ёмкость, резистор, динамик, например от автомобиля, и источник питания. В качестве последнего можно использовать 3 батарейки. Схема сборки представлена далее:

Стоит отметить, что данная схема подходит для ознакомления в учебных целях. Качество звука получается низкое с большой примесью посторонних шумов. Более качественные схемы получается при использовании трех транзисторов, примеры таких схем в большом количестве представлены в интернете.

Характеристики

Для внедрения элемента в свою разработку или схему, необходимо обращать внимание на максимальные параметры эксплуатации. Их лучше выбирать с запасом

Иначе, в лучшем случае элемент выйдет из строя, в худшем, кроме него “пыхнут” другие компоненты платы.

Для этого приведём максимальные характеристики КТ829:

Напряжение: не выше 100 В.
Напряжение между эмиттером и базой: не выше 5 В.
Значение тока коллектора: не выше 8 А.
Значение тока коллектора в импульсном режиме: не выше 12 А.
Рассеиваемая мощность: не более 60 Вт.
Статический коэффициент передачи тока: максимум 730.
Переходная температура: не превышает 150 °C.
Температурный диапазон эксплуатации: от – 40 до + 85 °C.

Также, для проектирования важны электрические параметры. Они представляют собой значения тока, напряжения, емкости в различных цепях при работе элемента при определенных условиях. Для удобства все важные параметры для серии транзисторов КТ829 сведены в одну общую таблицу, представленную на рисунке ниже:

Особенности работы транзистора Кт 835 в различных схемах

Одной из самых распространенных схем подключения Кт 835 является схема усиления постоянного тока (УПТ). В этой схеме транзистор работает как усилитель слабых постоянных сигналов, обеспечивая усиление тока. Основным параметром, определяющим работу транзистора в УПТ, является коэффициент усиления по току (beta — β). Чем больше значение β, тем больше усиление транзистора. Также важными параметрами являются напряжение смещения базы (Vbe) и ток смещения коллектора (Ic), которые должны быть настроены в соответствии с требованиями схемы.

Другой распространенной схемой, в которой используется транзистор Кт 835, является схема выходного каскада. В этой схеме транзистор работает как ключ, обеспечивая передачу сигнала с малой мощностью на высокую нагрузку. Важным параметром в этой схеме является максимальный допустимый ток коллектора (Ic_max), который не должен превышаться, чтобы избежать повреждения транзистора

Также важно настроить рабочую частоту транзистора в соответствии с требованиями схемы

Кроме того, транзистор Кт 835 можно использовать и в других схемах, таких как схема коммутации или схема стабилизации напряжения. В каждой из этих схем важными параметрами будут различные характеристики транзистора, которые нужно настроить для достижения требуемой производительности и надежности.

Таким образом, характеристики и особенности работы транзистора Кт 835 будут зависеть от выбранной схемы подключения

Важно учесть все параметры транзистора и правильно настроить его работу в соответствии с требованиями схемы для достижения оптимальной производительности устройства

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы