Транзистор КТ908А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Варианты воплощения

Электрические параметры

Существуют тысячи типов транзисторов с разными свойствами для разных целей. Важными параметрами являются

• допустимая нагрузка по току I _C (ток коллектора; от нескольких миллиампер до примерно 50 ампер),
• максимальное напряжение нагрузки U _CE (обратное напряжение коллектор-эмиттер; от нескольких вольт до нескольких сотен вольт),
• максимальная потеря мощности P _max (от нескольких милливатт до нескольких сотен ватт),
• коэффициент усиления по току B (примерно от 5 до примерно 1000) и
• частота среза (примерно от 10 кГц до примерно 100 ГГц).

1. Малосигнальные транзисторы (общее применение):
   • Корпус TO-92 (проводной): BC547B (транзистор npn) / BC557B (транзистор pnp): потери мощности P _max  = 0,50 Вт; Величина коллекторного тока I _C  ≤ 100 мА; Величина обратного напряжения U _CE  ≤ 45 В; Коэффициент усиления по току B ≈ 290 (при I _C  = 2 мА)
   • Корпус SOT-23 ( SMD ): BC817 (npn) / BC807 (pnp): P _max = 0,25 Вт; I _C  ≤ 500… 800 мА; U _CE  ≤ 45 В; B = 100… 600 (при I _C  = 100 мА); Частота передачи F _{T (мин.)} 100 МГц

   Цена на эти типы составляет около 3 центов за небольшие количества, а за большие количества цена снова значительно снижается.

2. Силовые транзисторы:
   • Корпус ТО-32N3055 (npn) / MJ2955 (pnp): P _max  = 115 Вт; I _C  ≤ 15 А; U _CEO  ≤ 60 В; B = 20… 70 (при I _C | = 4 A); Частота передачи не менее 0,8 МГц
   • Корпус ТО-220 , транзисторы Дарлингтона : TIP130… 132 (npn) / TIP135… 137 (pnp); Ток коллектора до 8 ампер, коэффициент усиления по току не менее 1000 (при токе коллектора 4 ампера), обратное напряжение от 60 до 100 вольт.

Транзисторы Дарлингтона объединяют два транзистора на кристалле в одном корпусе, меньший из которых используется для управления базой большего в схеме эмиттерного повторителя . Коэффициент усиления по току двойного транзистора значительно выше (от 1000 до 30 000), чем у одиночного транзистора, но напряжение насыщения также (около 1 В). Напряжение BE примерно в два раза больше, чем у одиночного транзистора (1,4 В).

Жилищные конструкции

см. также: Список корпусов полупроводников

Дискретные биполярные транзисторы размещаются в разных корпусах в зависимости от предполагаемого использования. Самыми распространенными формами жилья являются:

• Проводной корпус ( монтаж в сквозное отверстие , короткий THT от технологии сквозного отверстия ):
  • ТО-92 (пластиковый корпус 5 мм × 5,2 мм)
  • ТО-18 и ТО-39 (корпус металлический чашеобразный, герметизированный; устаревший)
  • ТО-220 (пластиковый корпус с выступом для крепления радиатора, 9,9 мм × 15,6 мм)
  • ТО-218 (15 мм × 20,3 мм; пластик с металлической охлаждающей поверхностью)
  • ТО-247 (пластиковый корпус с металлической поверхностью для крепления радиатора)
  • ТО-3 (металлический корпус для крепления радиатора; устарел)
  • ТО-3П (аналог ТО-218; с металлической поверхностью для крепления радиатора)

• Корпус для поверхностного монтажа ( SMD англ. Surface mount device ); Отвод тепла через паяные соединения на печатной плате :
  • СОТ-23 (1,3 мм × 2,9 мм)
  • СОТ-89 (2,6 мм × 4,5 мм)
  • СОТ-223 (3,5 мм × 6,5 мм)
  • Д-ПАК, Д2-ПАК (повышенные потери мощности)

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности

Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h21е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

• максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R_БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
• предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ОС) – до 250 В.
• наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
• предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
• наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
• максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
• рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
• вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

Драгоценные металлы

В официальном справочнике по транзистору, написанному в 2003 году, указано, что в модуле содержится:

• Золото – до 0.0257251 г;
• Серебра — 0.0804669 г;
• Медь – 17,7 г.

Платины в транзисторе нет. Изделие является ценным ресурсом для скупщиков устаревших радиодеталей. Они вытаскивают из корпуса дорогостоящие металлы и направляют их на переработку. Извлекать компоненты из элементов достаточно трудно, так как в домашних условиях для этого понадобятся сильнодействующие кислоты.

В указанном транзисторе содержание драгметаллов отличается в разных справочниках. В нем не так много элементов, если сравнивать с другими изделиями. Возможно, показатели со временем изменялись из-за корректировок в процессе производства.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.

И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше!

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Транзистор КТ908Б — ka-elcom.ru

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	90,00руб.	83,70руб.	81,00руб.	79,20руб.	73,80руб.	72,00руб.	70,20руб.	64,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	162,90руб.	149,40руб.	146,70руб.	143,10руб.	133,20руб.	130,50руб.	126,90руб.	114,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	210,60руб.	194,40руб.	189,90руб.	185,40руб.	172,80руб.	168,30руб.	164,70руб.	147,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	108,00руб.	99,00руб.	97,20руб.	94,50руб.	88,20руб.	86,40руб.	83,70руб.	75,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	207,90руб.	191,70руб.	187,20руб.	182,70руб.	177,30руб.	171,00руб.	162,00руб.	145,80руб.

Дополнительная информация

Корпус	кт-18
Структура	npn
Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А)	10
Статический коэффициент передачи тока h31э мин	20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	50

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815

. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схема УНЧ

Первый каскад усилителя собран на операционном усилителе А1. Для того чтобы скорость нарастания сигнала на входе усилителя не превысила допустимого значения, применен фильтр нижних частот R1C1R2 с частотой среза около 20 кГц. Усиливаемый сигнал подается на инвертирующий вход операционного усилителя, сигнал ООС (с выхода усилителя) — на его неинвертирующий вход.

Конденсатор С2 корректирует фазовую характеристику усилителя в области высоких частот. Частота среза каскада (с учетом коррекции через конденсатор С3) — около 30 кГц.

Второй каскад выполнен на транзисторах V4—V7 по схеме двухтактного каскодного усилителя. Частота среза этого каскада 4,7 МГц. Помимо инвертирования сигнала, он выполняет функции генератора стабильных токов смещения для транзисторов предоконечного каскада на транзисторах разной структуры V8 и V9.

Включенные в их эмиттерные цепи резисторы R12, R13 создают местные ООС по току, что вместе со стабильными токами смещения и определяет высокую термостабильность усилителя в целом. Ток покоя транзисторов, V8, V9 равен 30 мА (при температуре 60 °С он возрастает до 50 мА). Частота среза этой ступени усилителя 130 кГц.

Частота среза каскада на транзисторах V10, V11 — около 140 кГц.

Усилитель 200 Вт — простой и надежный аппарат

Желающим повторить эту схему, есть широкое поле для ее усовершенствования, например: вместо УД7 можно поставить более быстрый ОУ. Можно поднять мощность на выходе, увеличив при этом количество транзисторов в выходном тракте и подняв напряжение питания до 70v. Этот вариант может гарантировать мощность на выходе до 450 Вт. Так, что с этой схемой можно смело экспериментировать.

Мощные транзисторы в оконечном тракте необходимо монтировать на радиаторе. Теплоотвод по площади своего сечения, должен быть достаточно большим. То есть, чтобы мог эффективно рассеивать тепло выделяемое транзисторами в выходном тракте с некоторым запасом. Выходные транзисторы крепить к радиатору обязательно нужно через изолирующие прокладки с использованием теплопроводной пасты, например: КПТ-8.

В приложении ниже, находятся печатная плата на восьми транзисторах и принципиальная схема:

Оконечный усилитель на 200 Вт

Резисторы: R1 R11 =1к R2 = 36 кОм R3 = 240 Ом R4 R5 = 330 Ом R6 R7 = 20 кОм R8R9 = 3.3кОм.5w R10 = 27 Ом 2w R12 R13 R14 R15 = 0.22 Ом 5w R16 = 10 кОм

Конденсаторы: С1 = О.ЗЗ мкФ С2=180 пФ СЗ С4= 10 мкФ 25v С5 С6 = 0.1 мкФ С7 = 0.1 мкФ С8 = 0.22 мкФ С9-С10 = 56 пФ

Транзисторы: VD1 VD2 = KC515A VT1 = КТ815Г VT2 = КТ814Г VT3VT5VT…= 2SA1943 VT4 VT6 VT…= 2CA5200

Вместо выходных транзисторов указанных в схеме, можно поставить комплементарные транзисторы советского производства КТ8101А и КТ8102А. Использовать их можно в любом количестве.

Усилитель звука на TEA2025B

TEA2025B питается в широком диапазоне однополярного напряжения: 3…15 В. Выходная мощность в режиме стерео 2 по 2,3 Вт. Нагрузкой являются два динамика, сопротивлением звуковой катушки 4 Ом. Также на микросхему можно подавать и моно сигнал. Тогда нагрузкой будет служить один динамик.

Важно!!! Приучите себя проверять схемы, найденные в интернете, с типовыми схемами включения, приведенными в даташите соответствующей микросхемы. Очень часто встречают ошибки. Поэтому не лишним будет заглянуть в первоисточник

Поскольку производители микросхем в технической документации ошибок не допускают, в отличие от сайтов радиолюбителей

Поэтому не лишним будет заглянуть в первоисточник. Поскольку производители микросхем в технической документации ошибок не допускают, в отличие от сайтов радиолюбителей.

Мы будем делать стерео усилитель.

Прежде всего, для подключения к выходу звуковой карты компьютера или смартфона или просто к аудиовыходу другого устройства, например приемника или тюнера, нам понадобится аудио штекер.

Аудио штекеры бывают для моно сигнала (однопиновый), стереосигнала (2-х пиновый), стерео с микрофоном (4-х пиновый). В нашем случае необходимо использовать аудио штекер 2-х пиновый и без микрофона.

Один пин – это левый канал. Второй пин – правый канал. Третий контакт – это общий провод для двух каналов.

Во избежание ошибки, место пайки проводов проще всего прозвонить с соответствующими пинами.

И так, штекер готов, но пока что мы его никуда не припаиваем.

Также нам понадобятся два самых простых, но одинаковых по характеристикам динамика. Вполне подойдут динамики, мощность по 3 Вт, сопротивлением звуковой катушки 4 Ом.

Обратите внимание, динамики также имеют полярность, которая обозначает начало и конец звуковой катушки. В дальнейшем нам ее также необходимо придерживаться. Я буду применять блок питания с регулировкой выходного напряжения, который я показывал, как сделать в своем курсе для начинающих электронщиков

Я буду применять блок питания с регулировкой выходного напряжения, который я показывал, как сделать в своем курсе для начинающих электронщиков.

Детали УНЧ

Для работы в этом усилителе пригоден операционный усилитель с коэффициентом усиления напряжения не менее 2000. Транзисторы оконечного каскада желательно подобрать с одинаковыми коэффициентами передачи тока (h21э> 50).

Вместо транзисторов ГТ321А в усилителе можно применить транзисторы КТ626 (с буквенными индексами А, Б, В), вместо ГТ905А и ГТ806В — соответственно КТ814Г и КТ816Г. Катушка L1 (30 витков) намотана в два слоя проводом ПЭВ-2 — 1,0 на каркасе диаметром 7 и длиной 25 мм.

Для охлаждения транзисторов V8, V9 применен теплоотвод П-образной формы, согнутый из полосы (размеры 100 X 50 мм) листового алюминиевого сплава толщиной 2мм. Размеры основания теплоотвода — 50 X 50 мм, полок (на них закреплены транзисторы) — примерно 25 X 50 мм.

Теплоотвод крепят на монтажной плате с таким расчетом, чтобы выводы транзисторов можно было соединить с остальными деталями короткими проводниками. Транзисторы V10 и V11 устанавливают на универсальных теплоотводах типа 8.650.022 с эффективной площадью охлаждения 300 см2.

• Что можно сделать из титана своими руками

    

• Как сделать цвет как на фоне

    

• Прикормочный кораблик своими руками

    

• Камаз с рамы своими руками

    

• Рамка из бамбука своими руками мастер класс

Транзисторы КТ808, 2Т808А — параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ, 2Т808А.

Транзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.Корпус металлостеклянный с жесткими выводами.
Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно — цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус — T03.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов КТ808А, 2Т808 — 50 Вт
с радиатором и 5 Вт — без.У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 60 Вт
с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер:
У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в. У транзисторов 2Т808А — 200 в, пульсирующее — 300 в. У транзисторов КТ808БМ — 100 в, пульсирующее — 160 в. У транзисторов КТ808ВМ — 80 в, пульсирующее — 135 в. У транзисторов КТ808ГМ — 70 в, пульсирующее — 80 в.

Максимальное напряжение эмиттер — база
— 4 в.

Максимальный ток коллектора — импульсный
10 А.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов КТ808А, 2Т808 — от 10 до 150, при
типовом значении — 15.У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — от 20 до 125

Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию —
не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор — эмиттер 200 в и
у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор — эмиттер 120 в. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 2мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА.

Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В.

Граничная частота передачи тока: У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ — 8МГц.У транзисторов КТ808А, 2Т808А — 7,5МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ808.

КТ808А — 2N4913, 2N4914, 2SD201.КТ808АМ — 2SC1619A, 2SD867.КТ808БМ — 2N6374, 2SC1618.КТ808ГМ — 2N6372, 2N6373.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы