Транзистор кт838а

Преимущества использования транзистора КТ834А

Транзистор КТ834А представляет собой биполярный p-n-p транзистор с эпитаксиальным контактом, предназначенный для работы в усилительных схемах высокочастотной (до 400 МГц) радиоэлектроники. У транзистора КТ834А имеется ряд преимуществ, которые делают его очень популярным и востребованным в различных применениях:

1. Высокая частотная пропускная способность: транзистор КТ834А обладает высокой скоростью переключения и низким временем реакции, что позволяет использовать его в схемах с высокими частотами.
2. Низкий уровень шума: данный транзистор имеет малое количество шума, что позволяет использовать его в чувствительных усилительных схемах.
3. Высокая надежность и долговечность: транзистор КТ834А обладает стабильными характеристиками в широком диапазоне рабочих температур и позволяет осуществлять высокую надежность и долговечность работы устройств.
4. Хорошая линейность передаточной характеристики: транзистор КТ834А имеет низкое искажение сигнала, что позволяет использовать его в качестве усилителя.
5. Широкий рабочий диапазон напряжений и токов: благодаря своей конструкции и материалам, транзистор КТ834А способен работать в широком диапазоне напряжений и токов, что расширяет его возможности применения.

Преимущества использования транзистора КТ834А позволяют его эффективно применять в различных радиоэлектронных устройствах, таких как усилители сигнала, передатчики и приемники, радиостанции и другие высокочастотные устройства.

Технические особенности транзистора КТ834А

Основные технические параметры транзистора КТ834А:

• Типоразмер: TO-18.
• Максимальная рабочая температура: 150°C.
• Допустимое напряжение коллектора-эмиттер: 30 В.
• Максимальный коллекторный ток: 0.2 А.
• Коэффициент усиления по току: не менее 70.
• Коэффициент усиления по напряжению: не менее 15.

Транзистор КТ834А отличается высокой надежностью и стабильностью работы в различных условиях эксплуатации. Это позволяет использовать его в широком спектре электронных устройств, включая усилители мощности, телевизионные и радиоприемники, а также в безопасности и военной технике.

Транзистор ГТ308 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.

В
Б
—
20

В
—
20

Г
—
20*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,} 
А
 —3
В

Б
—3

В
—3

Г
—

3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
А
—
50(120*)
мА

Б
—
50(120*)

В
—
50(120*)

Г
—
50(120*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*_КЭR, I**_КЭO
А
5 В
≤2
мкА

Б
5 В
≤2

В
5 В
≤2

Г
5 В
≤2

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
А 
1 В; 10 мА
20…75*

Б

1 В; 10 мА
50…120*

В
1 В; 10 мА
80…200*

Г
1 В; 10 мА
80…150

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
А
5 В
≤8
пФ

Б
5 В
≤8

В
5 В
≤8

Г
5 В
≤8

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером

 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас}
А
—
≤30
Ом
Б
—
≤24

В
—
≤24

Г
—
≤24

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P_вых
А
—
—
Дб, Ом, Вт

Б
—
—

В

1. 6 МГц
≤8

Г
1.6 МГц
≤8

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
А
—
≤400
пс

Б
—
≤1000*

В
—

≤400

Г
—
≤500

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.