Транзистор кт829

КТ828: аналоги и заменители

• КТ814 – это ближайший аналог КТ828, имеющий схожие технические характеристики и может использоваться как заменитель в многих случаях.
• КТ807 – другой аналог КТ828, который также имеет совместимые характеристики и может быть использован вместо КТ828.
• КТ602 – это еще один заменитель для КТ828, который имеет похожие параметры и может быть использован в различных устройствах.

Прежде чем заменять КТ828 на аналог, рекомендуется ознакомиться с техническими характеристиками аналога и убедиться, что он подходит для конкретного применения. Также следует учесть различия в пиновой раскладке и прочих особенностях между КТ828 и аналогом. В некоторых случаях может потребоваться внести изменения в схему или провести дополнительную настройку после замены транзистора.

В большинстве случаев аналоги и заменители КТ828 достаточно надежны и подходят для использования во многих электронных устройствах

Однако при выборе аналога следует обратить внимание на его технические характеристики, такие как максимальное напряжение и ток, спецификацию частоты, а также наличие дополнительных функций, если это нужно

Характеристики

Для внедрения элемента в свою разработку или схему, необходимо обращать внимание на максимальные параметры эксплуатации. Их лучше выбирать с запасом

Иначе, в лучшем случае элемент выйдет из строя, в худшем, кроме него “пыхнут” другие компоненты платы.

Для этого приведём максимальные характеристики КТ829:

• Напряжение: не выше 100 В.
• Напряжение между эмиттером и базой: не выше 5 В.
• Значение тока коллектора: не выше 8 А.
• Значение тока коллектора в импульсном режиме: не выше 12 А.
• Рассеиваемая мощность: не более 60 Вт.
• Статический коэффициент передачи тока: максимум 730.
• Переходная температура: не превышает 150 °C.
• Температурный диапазон эксплуатации: от – 40 до + 85 °C.

Также, для проектирования важны электрические параметры. Они представляют собой значения тока, напряжения, емкости в различных цепях при работе элемента при определенных условиях. Для удобства все важные параметры для серии транзисторов КТ829 сведены в одну общую таблицу, представленную на рисунке ниже:

Важность выбора КТ828 для электронных устройств

Один из ключевых аспектов, определяющих важность выбора КТ828, — это его высокая мощность. Он способен выдерживать значительные токи и напряжения, что позволяет использовать его в устройствах с высокой энергопотребляющей нагрузкой

Благодаря этой особенности, КТ828 прекрасно подходит для применений в мощных усилителях, питаниях и других электронных системах.

Еще одним важным аспектом является высокая скорость переключения КТ828. Быстрое переключение транзистора позволяет ему эффективно управлять сигналами и обеспечивать быструю реакцию системы

Это особенно важно для устройств с высокой операционной частотой, таких как радиосистемы, телефоны и компьютеры

КТ828 также отличается большой стойкостью к высоким температурам и агрессивным окружающим воздействиям. Это делает его надежным решением для применений в экстремальных условиях, например, в автомобилях или промышленных устройствах.

Однако, помимо технических характеристик, очень важно выбирать КТ828 от надежного производителя. Имитация и контрафактные продукты могут иметь непредсказуемые особенности и несоответствовать заявленным характеристикам

Поэтому рекомендуется всегда покупать транзисторы КТ828 у проверенных поставщиков или производителей.

В заключение, выбор КТ828 для электронных устройств является важным этапом. Его высокая мощность, скорость переключения и стойкость к экстремальным условиям делают его идеальным решением для различных приложений. Однако необходимо приобретать транзисторы КТ828 только у надежных поставщиков или производителей, чтобы избежать покупки подделок с несоответствующими характеристиками.

КТ828: применение и сферы применения

Одной из основных сфер применения КТ828 является электроника. Транзистор используется в качестве ключевого элемента для управления током или напряжением. Он может быть использован для усиления сигнала, переключения или преобразования электромагнитных сигналов.

КТ828 также находит применение в сфере автоматического управления, робототехники и автоматизации производства. Транзистор используется для управления различными устройствами, например, двигателями, сенсорами, светодиодами и т.д. Он позволяет регулировать работу этих устройств в соответствии с заданными параметрами и условиями.

Также КТ828 используется в сфере энергетики. Он может быть применен в источниках питания, солнечных батареях, инверторах и других устройствах, где требуется управление и регулировка электрической мощностью. Транзистор обеспечивает стабильность работы этих устройств и позволяет эффективно использовать энергию.

В области аудиотехники КТ828 используется для усиления звука в различных устройствах, таких как усилители, радиоприемники, акустические системы и др. Транзистор обеспечивает высокое качество звучания и улучшает производительность этих устройств.

Исходя из своих технических характеристик, КТ828 также может использоваться в других сферах, таких как телекоммуникации, медицинская техника, вычислительная техника и другие области, где требуется эффективное управление электрическими сигналами или схемами.

В целом, КТ828 является универсальным и надежным компонентом, который находит широкое применение в различных областях техники и электроники. Благодаря своим характеристикам и возможностям, транзистор КТ828 является неотъемлемой частью многих современных устройств и систем.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

KT829A Datasheet (PDF)

0.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max),B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h21(h21) 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh21), 4R -(R -),/ 2.08

0.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

 0.3. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы… KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, 2SC1740, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A.

КТ828: основные технические характеристики

Основные технические характеристики КТ828:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 30 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 2 А
• Максимальная мощность коллектора (Pc): 625 мВт
• Максимальное напряжение база-эмиттер (Vbe): 5 В
• Максимальный ток базы (Ib): 100 мА
• Коэффициент усиления тока (hfe): 100-300
• Максимальная рабочая температура (Tj): +150 °C
• Тип корпуса: TO-92

Транзистор КТ828 предназначен для работы с постоянным и переменным током, обладает высокой коммутационной способностью и низким сопротивлением включения, что делает его незаменимым элементом в современной электронике.

Обратите внимание, что указанные технические характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от производителя транзисторов КТ828