Применение транзисторов КТ 825 и КТ 827 в различных областях
В источниках питания:
Транзисторы КТ 825 и КТ 827 могут использоваться для создания стабилизаторов напряжения и тока. Они обладают высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума, что является важным свойством для источников питания. Благодаря своей надежности и стабильности, они могут обеспечивать стабильное и качественное питание для различных электронных устройств и систем.
В усилителях звука:
Транзисторы КТ 825 и КТ 827 обладают высоким коэффициентом усиления и низким уровнем искажений, что делает их идеальными для применения в усилителях звука. Они могут использоваться в различных аудиосистемах, включая радиоприемники, усилители мощности, колонки и другие устройства. Благодаря своей надежности и качественному звучанию, транзисторы КТ 825 и КТ 827 позволяют создавать высококлассные звуковые системы.
В коммутационных схемах:
Транзисторы КТ 825 и КТ 827 могут использоваться для коммутации сигналов и управления различными устройствами. Они обладают высоким переключающим свойством и низким временем реакции, что позволяет эффективно управлять работой других компонентов системы. Транзисторы КТ 825 и КТ 827 нашли широкое применение в коммутационных схемах, таких как датчики, реле, клавиатуры и другие устройства.
В источниках света:
Транзисторы КТ 825 и КТ 827 могут использоваться для управления световыми источниками, такими как светодиоды и лампы. Они обладают высоким уровнем устойчивости к высоким токам и высокой мощности, что позволяет им работать в условиях повышенного нагрева. Транзисторы КТ 825 и КТ 827 обеспечивают эффективное управление освещением в различных системах, включая домашнее освещение, промышленное освещение и автомобильные фары.
В системах автоматизации:
Транзисторы КТ 825 и КТ 827 нашли применение в системах автоматизации и управления, таких как контроллеры, робототехнические системы и промышленные устройства. Они обеспечивают эффективное управление и коммутацию сигналов в различных системах, что позволяет повысить производительность и надежность работы систем автоматизации.
В заключение, транзисторы КТ 825 и КТ 827 являются универсальными компонентами, которые находят применение в различных областях электроники и электротехники. Их характеристики и особенности делают их идеальными для использования в источниках питания, усилителях звука, коммутационных схемах, источниках света и системах автоматизации.
Основные технические характеристики транзисторов КТ819
| Тип | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | Корп. | ||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UЭБ0 max, В при T = 25°C |
PК max, Вт | Tп max, °C | TК max, °C | UКЭ (UКБ), В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | CК, пФ | CЭ, пФ | tвыкл, мкс | |||
| КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г | 10 | 15 | 5 | 60 | 125 | 100 | (5) | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1,67 | КТ-28 | |
| КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ | 15 | 20 | 5 | 100 | 125 | 100 | 5 | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1 | КТ-9 | |
| 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В | 15 | 20 | 5 | 100 | 150 | 125 | (5) | 5 | 1000 | 2,5 | 1,25 | КТ-9 | ||
| 2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 | 15 | 20 | 5 | 40 | 150 | 100 | (5) | (5) | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | КТ-28 |
Где:
- IКmax — максимальный ток коллектора;
- IК и.max — максимальный импульсный ток коллектора;
- Pкmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
- Uкэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
- Iкбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
- fгр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.
В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:
| Тип | UКЭ0 гр, В |
| КТ819А, КТ819АМ | 25 |
| КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2 | 40 |
| КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2 | 60 |
| КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 | 80 |
И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:
| Тип | h21Э |
| КТ819Г, КТ819ГМ | 12 |
| КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ | 15 |
| КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2 | 20 |
Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Просмотров:90 855
Характеристики транзистора КТ829А
- Структура n-p-n
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(12000) мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (60) Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
- Обратный ток коллектора
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
- Коэффициент шума биполярного транзистора
Приложение в электронных схемах
Транзистор КТ827А нашел широкое применение в электронных схемах благодаря своим характеристикам и особенностям. Он отличается высокой частотой переключения, низким уровнем шума и малыми габаритами.
Одним из основных применений транзистора КТ827А является его использование в усилителях сигнала. Благодаря своей высокой частоте переключения, он обеспечивает эффективное и качественное усиление сигнала. Кроме того, транзистор КТ827А может использоваться в цепях управления и модуляции, что делает его востребованным компонентом для различных типов радиосистем и телекоммуникационного оборудования.
Важной характеристикой транзистора КТ827А является его низкий уровень шума. Это позволяет использовать его в чувствительных электронных схемах, где требуется максимально точное и чистое воспроизведение сигнала
Например, в приемниках радиосигналов или аудиоусилителях.
Также транзистор КТ827А может применяться во вспомогательных схемах, например, в блоках питания. Благодаря своим малым габаритам, он занимает мало места на плате и позволяет создавать компактные и эффективные блоки питания.
Благодаря своим характеристикам и особенностям, транзистор КТ827А является незаменимым компонентом в современной электронике и широко применяется в различных электронных схемах.
Транзистор КТ827 — DataSheet
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ827А |
BDX63A, MJ3521, SK9440, SK3858,
2N6284, PMD1603K *2 , MJ3521 *2 |
|||
| КТ827Б | BDX65, PMD1602K, SK9438 *2, SMD4006 *2, 2N6357 *2 | ||||
| КТ827В |
BDX85, MJ3520, PMD1601К, 2N6282,
SDM4005 *2, 2N6057 *2 |
||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ827А | — | 125* | Вт |
| КТ827Б | — | 125* | |||
| КТ827В | — | 125* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ827А | — | ≥4 | МГц |
| КТ827Б | — | ≥4 | |||
| КТ827В | — | ≥4 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ827А | 1к | 100* | В |
| КТ827Б | 1к | 80* | |||
| КТ827В | 1к | 60* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора |
UЭБО проб.,
КТ827А
—
5
В
КТ827Б
—
5
КТ827В
—
5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ827А
—
20(40*)
А
КТ827Б
—
20(40*)
КТ827В
—
20(40*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО , I*КЭR, I**КЭO
КТ827А
100 В
≤3
мА
КТ827Б
80 В
≤3
КТ827В
60 В
≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ827А
3 В; 10 А
750..18000*
КТ827Б
3 В; 10 А
750..18000*
КТ827В
3 В; 10 А
750..18000*
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ827А
10 В
≤400
пФ
КТ827Б
10 В
≤400
КТ827В
10 В
≤400
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.
КТ827А
—
≤0.2
Ом, дБ
КТ827Б
—
≤0.2
КТ827В
—
≤0.2
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ827А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ827Б
—
—
КТ827В
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ827А
—
≤4.5* мкс
пс
КТ827Б
—
≤4.5* мкс
КТ827В
—
≤4.5* мкс
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Что такое транзистор КТ827Б и для чего он используется
КТ827Б обладает хорошими высокочастотными характеристиками, что позволяет использовать его в радиосхемах и приемниках. Транзистор обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его привлекательным для использования в производстве.
Основное применение транзистора КТ827Б включает:
- Усилители низкой частоты;
- Усилители средней и высокой частоты;
- Радиоприемники и передатчики;
- Аналоговые телевизионные устройства;
- Лабораторные и измерительные приборы;
- Аудиоусилители и гитарные усилители;
- И другие электронные устройства и системы.
В случае необходимости замены транзистора КТ827Б на аналог, следует обратить внимание на характеристики и параметры заменяемого транзистора, чтобы выбрать аналог со схожими или лучшими характеристиками
Важно также учитывать совместимость заменяемого транзистора с другими элементами схемы
Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -“Гулливер”.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – “Весна 205-1”, “Вильма 204 стерео”, Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.
КТ827 характеристики (datasheet) | Техника и Программы
September 18, 2012 by admin
Комментировать »
Кремниевый составной транзистор КТ827 (n-p-n)
Составной транзистор КТ827 аналог, графики входных и выходных характеристик. Подробные параметры, размеры и цоколевка транзисторов КТ827А, КТ827Б, КТ827В.
Основные технические характеристики тарнзисторов КТ827:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКЭR, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| КТ827В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 100 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827А2 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827А5 | 20 | 40 | 100 | 100 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т827Б | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т827Б2 | 20 | 40 | 80 | 80 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 | |
| 2Т872В | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…10,9 | |
| 2Т872В2 | 20 | 40 | 60 | 60 | 5 | 125 | 25 | 200 | 125 | 750…18000 | 3 | 10 | 2 | 3 | 4 | 400 | 350 | 1 | 6 | 1,4…19,4 |
Зарубежные аналоги транзистора КТ827: 2N6057, BDX87
Советы по замене транзистора КТ827Б
При замене транзистора КТ827Б необходимо учесть несколько важных моментов, чтобы гарантировать правильную работу устройства.
1. Подбор аналога
Перед заменой транзистора КТ827Б необходимо подобрать подходящий аналог. Для этого можно воспользоваться справочными таблицами или специализированными интернет-ресурсами
Важно учитывать не только электрические параметры, но и корпусное исполнение, чтобы новый транзистор подошел по габаритам
2. Проверка работоспособности
Перед заменой рекомендуется проверить работоспособность транзистора КТ827Б. Для этого необходимо использовать специальные приборы, такие как мультиметр или осциллограф. Если транзистор окажется исправным, возможно, проблема заключается в другой детали или схеме в целом.
3. Подготовка к замене
Перед заменой транзистора необходимо отключить устройство от источника питания и разрядить все конденсаторы. Также рекомендуется запомнить или снять фотографию расположения выводов транзистора, чтобы не перепутать их при установке нового элемента.
4. Тепловое соединение
Транзистор КТ827Б требует теплового соединения с радиатором для отвода излишнего тепла. При установке аналога необходимо также заботиться о правильном тепловом соединении, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора.
5. Тестирование и настройка
После замены транзистора необходимо провести тестирование устройства и при необходимости настроить его для оптимальной работы. Может потребоваться небольшая корректировка схемы или параметров управления для достижения требуемого результата.
Следуя этим советам, можно успешно заменить транзистор КТ827Б и восстановить работу устройства.
Аналог КТ827А
Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.
Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.
Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.
При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.
Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.
В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.
На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.
Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.
Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.
Многим радиолюбителям-конструкторам в последнее время все чаще приходится иметь дело с радиоэлектронными устройствами, ориентированными на питание от бортовой сети автомобиля. Это мощные автомагнитолы и радиостанции, а также специальные электронные системы. Такие устройства потребляют ток около 3 А, поэтому при их эксплуатации в стационарных условиях возникает проблема блока питания.
Решить ее поможет выпрямительное устройство «ВУ-1» производства Ульяновского приборостроительного завода, предназначенное для зарядки автомобильных аккумуляторных батарей. Дело в том, что «ВУ-1», по сути, представляет собой половину нужного устройства. Оно имеет достаточную мощность (до 100 Вт). Остается только дополнить его стабилизирующей приставкой на напряжение 12 В при токе до 6 А. Приставка выполнена по классической схеме (рис. 3.17) стабилизатора напряжения из недефицитных деталей невысокой стоимости.
Работой составного транзистора VT1 управляет усилитель постоянного тока на транзисторе VT2, его эмиттер подключен к источнику образцового напряжения, состоящего из стабилитрона VD1 и резистора R2, а база — к измерительной цепи R3, R4. Резистор R1 служит для подачи смещения на базу транзистора VT1. Резистором R4 устанавливают необходимое выходное напряжение. Конденсаторы С4 и С5 предотвращают возбуждение стабилизатора по высокой частоте, а С1. СЗ образуют фильтр, сглаживающий пульсации выходного напряжения «ВУ-1».
Детали приставки монтируют на печатной плате из любого фоль-гированного материала. Печатные проводники сильноточных цепей должны быть шириной не менее 10 мм и хорошо облужены. Площадь сечения монтажных проводов — не менее 2 мм2.
Аналоги
Выбор аналога для КТ825Г зависит от схемы в которой он используется. В любом случае полной его копии не существует и прототип BDX88 уже не производится. При этом, для большинства ситуаций подходят такие импортные транзисторы: 2N6052, MJ11013, MJ11015, 2N5884
Для его замены в выходных каскадах усилителей, в первую очередь стоит обратить внимание на российский 2Т825А или на эквивалентную конструкцию их двух биполярников КТ814Г и КТ818В
Часто, для ремонта или модернизации популярного УНЧ Солнцева (Квод-405) вместо КТ825Г применяют зарубежные дарлингтоны: MJ11015, TIP147, BDV64B. При таком подходе в данном усилителе также рекомендуют поменять его комплементарник КТ827А и тоже на импортные аналоги. Соответственно подойдут: MJ11016, TIP142, BDV65B. Стоит учитывать, что коллекторный ток у двух последних значительно меньше (до 10 А), чем у рассматриваемого. Но при этом считается, что качество звука в этом случае будет на много лучше.
Бывают и другие случаи, когда вместо дорогого импортного транзистора дарлингтона довольно успешно применяют наш КТ825Г. Например, его нередко используют для замены мощных Т1829-1 и FW26025A1, которые установлены для регулировки напряжением на вентиляторах в автомобильных блоках управления отоплением Valeo 833817E.
Технические характеристики
Первое, на что стоит обратить внимание при подборе транзистора для замены или проектировании новой схемы, это предельные эксплуатационные данные. Превышение их недопустимо даже в течение небольших промежутков времени
Также устройство не сможет долго функционировать при значениях параметров равных максимальным. Для КТ827А эти характеристики равны:
- наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном RБЭ = 1000 Ом) – 100 В;
- максимально возможное напряжение (действующее постоянно или длительное время) между К-Э – 100 В;
- предельное импульсное напряжение действующее между К-Э (при tФ = 0,2 мкс) – 100 В;
- наибольшее возможное постоянно действующее напряжение между Э — Б – 5 В;
- максимально допустимый ток через коллектора (действующий на протяжении длительного времени) – 20 А;
- наибольший кратковременный ток через коллектора – 40 А;
- максимальный длительный ток через базу – 0,5 А;
- предельно допустимый кратковременный ток через базу – 0,8 А;
- максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе при (ТК = -60 … +25ОС) – 125 Вт;
- тепловое сопротивление между переходом и корпусом – 1,4 ОС /Вт;
- наибольшая возможная температура перехода – +200ОС;
- рабочий диапазон температур окружающего воздуха – -60 … +100ОС.
При конструировании схем кроме максимальных значений следует также обращать внимание на электрические параметры. Из таблицы, которая находится ниже по тексту, можно узнать их основные величины
Условия тестирования приведены в столбце под названием «Режимы измерения». Наибольшие и наименьшие значения, полученные во время измерения, находятся в колонках «min» и «max».
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Статический к-т передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A, ТК = 25ОС
Т = ТК макс ТК = — 60ОС UКЭ = 3 В, IК= 20 A |
h21Э | 750
750 100 100 |
6000
3500 |
|
| Граничная частота к-та передачи тока для транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером | UКЭ = 3 В, IК= 10 A | fгр | 4 | МГц | |
| Напряжение насыщения перехода К-Э | IК = 10 A, IБ = 40 мA
IК = 20 A, IБ = 200 мA |
UКЭнас | 1
1,8 |
2
3 |
В
В |
| Напряжение насыщения перехода Б-Э | IК = 20 A, IБ = 200 мA | UБЭнас | 2,6 | 4 | В |
| Входное напряжение Б-Э | IК= 10 A, UКЭ = 3 В | 1,6 | 2,8 | В | |
| Время включения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвкл | 0,3 | 1 | мкс |
| Время выключения | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tвыкл | 3 | 6 | мкс |
| Время рассасывания | IК= 10 A, IБ = 40 мA | tрас | 2 | 4,5 | мкс |
| Обратный ток К-Э, | UКЭ = UКЭ макс RБЭ = 1000 Ом
Т = +25 и — 60ОС Т = ТК макс |
IКЭO |
3 5 |
мА мА |
|
| Обратный ток через эмиттер | UЭБ = 5 В | IЭБО | 2 | мА | |
| Емкость коллекторного перехода | UКБ = 10 В | cк | 200 | 400 | пФ |
| Емкость эмиттерного перехода | UЭБ = 5 В | cк | 160 | 350 | пФ |
Детали и конструкция
Вместо составных транзисторов КТ827А в стабилизаторе тока можно применить транзисторы этой серии с индексами Б, В, Г или комбинации из двух транзисторов соответствующей мощности (например, КТ315 + КТ819 с любыми буквенными индексами).
Резистор R1 может быть любого типа, R2 желательно применить высокостабильный, например, С2-29. Для регулирования тока нагрузки был использован переменный резистор СП5-35А (с высокой разрешающей способностью), но можно, конечно, применить и любой другой, обеспечивающий требуемую точность установки тока.
Конденсатор СЗ набран из десяти конденсаторов К50-32А, С4, С6 — К50-35, остальные — любого типа. Использовать в качестве СЗ один конденсатор большой емкости нельзя, так как он будет сильно перегреваться из-за того, что его выводы не рассчитаны на такие большие токи (недостаточное сечение провода).
Сдвоенные ОУ DA1. DA8, транзисторы VT17. VT32, интегральный стабилизатор напряжения DA11, резисторы R2, R3 и конденсаторы С4. С7 монтируют на печатной плате, изготовленной по чертежу, показанному на рисунке 2.
Рис. 2. Печатная плата для мощного стабилизатора тока.
Транзисторы VT1-VT16 закрепляют на теплоотводах, способных рассеять не менее 100 Вт каждый. Все 16 теплоотводов собраны в батарею, для их охлаждения применены четыре вентилятора, что позволило включать стабилизатор тока на долговременную постоянную нагрузку. Если нагрузка будет кратковременной или импульсной, можно обойтись и теплоотводами меньших размеров.
Резисторы R4. R19 изготавливают из высокоомного (манганинового или константанового) провода диаметром 1. 2 мм и закрепляют на теплоотводах соответствующих им транзисторов Для охлаждения диодов VD5. VD8 используют стандартные теплоотводы, рассчитанные на установку диодов Д200 (обдув их вентилятором не требуется).
Микросхему DA9 и транзистор VT33 размещают на небольших пластинчатых теплоотводах. При монтаже стабилизатора тока нужно учитывать, что через некоторые цепи будет течь ток 150 А, поэтому их необходимо выполнить проводом соответствующего сечения.
Вторичная обмотка трансформатора Т2 должна обеспечивать напряжение около 14 В при токе нагрузки 150 А (хорошо подходит сварочный трансформатор). Падение напряжения на сопротивлении нагрузки стабилизатора должно быть не более 10 В (остальное напряжение падает на транзисторах VT1. VT16 и резисторах R4. R19).
При большем падении напряжения на нагрузке придется повысить напряжение вторичной обмотки трансформатора Т2, однако в этом случае необходимо проследить, чтобы мощность рассеяния каждого из транзисторов не превысила максимально допустимую.
Поиск аналогов транзистора КТ827
Ниже представлен список рекомендованных аналогов транзистора КТ827:
- КТ3102 — широко распространенный транзистор, имеющий схожие характеристики и область применения;
- КТ315 — еще один популярный вариант, который может быть использован вместо КТ827;
- 2N2222 — американский аналог, широко применяемый в электронике;
- BC547 — популярный низкочастотный транзистор, который также может быть заменен на КТ827.
Необходимо отметить, что характеристики и параметры этих транзисторов могут немного отличаться от КТ827, поэтому при подборе аналогов следует обратить внимание на требования к конкретной схеме и устройству. Перед заменой транзистора КТ827 на аналоги, рекомендуется ознакомиться с даташитом и провести дополнительные исследования, чтобы минимизировать возможность ошибки и неправильной замены
Перед заменой транзистора КТ827 на аналоги, рекомендуется ознакомиться с даташитом и провести дополнительные исследования, чтобы минимизировать возможность ошибки и неправильной замены.