Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Разновидности и характеристики
Существует достаточно большое количество различных вариантов данного прибора, отличающихся друг от друга теми или иными показателями. Для рассмотрения всех вариантов прибора, введём следующие параметры КТ3102 :
- Максимальный допустимый ток на коллекторе( I K MAX ) – 0,1 A .
- Максимальный импульсный ток на коллекторе( I K I MAX ) – 0,2 A .
- Максимальная мощность коллектора( P K MAX ) – 0,25 B т. ( Данное значение мощности подсчитано без использования радиатора)
- Максимальная частота при подключении по схеме с общим эмиттером ( f гр ) – 150МГц.
Вышеперечисленные характеристики КТ3102 одинаковы для всех моделей прибора. То есть, при любой маркировке прибора, вы должны учитывать вышеперечисленные значения. Описанные ниже показатели будут отличаться в зависимости от типа элемента. В последующем приведём краткую сводку параметров для каждого типа.
- U КБ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-база.
- U КЭ – максимальная разность потенциалов системы коллектор-эмиттер.
- H 21э – коэффициент усиления при подключении с общим эмиттером.
- I КБ – обратный ток коллектора.
- К Ш – коэффициент шума.
Для удобства, все показатели будут вынесены в таблицу. Буква М и её отсутствие в обозначении пары транзисторов (например, КТ3102А и КТ3102АМ) означает тип корпуса. С буквой М – пластиковый корпус. Без неё – металлический. Показатели не зависят от типа корпуса. В таблице, также, будут приведены зарубежные аналоги КТ3102.
Функциональные возможности КТ817
Основные характеристики КТ817:
- максимальный ток коллектора — 1 А;
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 600 В;
- максимальная мощность потерь — 0,625 Вт;
- коэффициент усиления по току — от 100 до 300;
- скорость переключения — не быстрее 2 мкс;
- диапазон рабочих температур — от -65°C до +150°C;
- тип корпуса — TO-92.
КТ817 обладает хорошими электрическими и тепловыми характеристиками, что делает его идеальным для применения в низкочастотных усилительных цепях, транзисторных ключах и драйверах. Транзистор также можно использовать в схемах стабилизации напряжения и тока, а также в импульсных источниках питания.
Благодаря своим надежным рабочим характеристикам и доступной цене, КТ817 является популярным выбором для электронных разработчиков и любителей, занимающихся созданием радиоэлектронных устройств.
Технические характеристики транзистора КТ817Г
Ниже приведены основные технические характеристики транзистора КТ817Г:
- Максимальное значение коллекторного тока: 1.5 А
- Максимальное значение обратного коллекторно-эмиттерного напряжения: 60 В
- Максимальная мощность потери на тепло: 1.25 Вт
- Максимальная рабочая температура: +150 °C
- Коэффициент усиления тока h21е: 30 — 120
- Вид монтажа: в отверстия
- Расположение выводов: на корпусе
- Модификация: с повышенным коэффициентом усиления h21е (КТ817Г-1)
Транзистор КТ817Г имеет широкое применение в различных электронных схемах, включая источники питания, усилители звука, радиоприемники и телевизоры
Важно соблюдать указанные максимальные значения токов, напряжений и температуры, чтобы обеспечить надежную и стабильную работу устройств
Зарубежные аналоги КТ3102
Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.
Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.
Некоторые альтернативы транзистору КТ817Г
KT815G
Транзистор KT815G является аналогом КТ817Г, однако имеет немного отличающиеся характеристики. Он также низкочастотный кремниевый NPN-транзистор и может использоваться в обычных электронных схемах.
2N3904
2N3904 – это еще один популярный аналог транзистора КТ817Г. Он также имеет низкочастотную положительную ПЭП и может использоваться в широком спектре электронных устройств.
BC547
BC547 является общеиспользуемым низкочастотным NPN-транзистором и может быть использован вместо КТ817Г. Он обладает высоким коэффициентом усиления и известен своей надежностью.
BC546
BC546 – это NPN-транзистор общего назначения, обладающий высокой скоростью работы и низким уровнем шума. Он также может быть рассмотрен в качестве альтернативы транзистору КТ817Г.
При выборе альтернативного транзистора необходимо учитывать его характеристики и соответствие поставленным требованиям электрической схемы
Важно обратить внимание на коэффициент усиления, напряжение пробоя коллектора-эмиттер и другие параметры, чтобы обеспечить надежную работу системы
Производители
Ниже представлены DataSheet российских и белорусских производителей:
Характеристики отечественного транзистора КТ3102 говорят о том, что он кремневый маломощный биполярный эпитаксиально-планарный с n-p-n- структурой, относится к универсальным. Используется в низкочастотных устройствах, чувствительных к шумам. Встречается в переключающих, генераторных устройствах, входных и последующих каскадах усилителей СЧ и ВЧ, селекторах телевизионных каналов. Радиолюбители иногда называют его “супербетта”. Из за небольшой толщины базы статический коэффициент усиления по току hFE достигает тысячи.
Технические характеристики транзистора КТ817
Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С
| Паpаметpы | Обозн. | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
|---|---|---|---|---|---|
| Граничное напряжение колл- эмит | |||||
| КТ817 А, А9 | Uкэо гp. | B | Iэ =0,1 A tи =0,3 — 1 мс | 25 | |
| КТ817 Б, Б9 | 45 | ||||
| КТ817 В, В9 | 60 | ||||
| КТ817 Г, Г9 | 80 | ||||
| Обратный ток коллектора | |||||
| КТ817 А, А9 | Iкбо | мкА | Uкэ =40 В | 100 | |
| КТ817 Б, Б9 | Uкэ =45 В | 100 | |||
| КТ817 В, В9 | Uкэ =60 В | 100 | |||
| КТ817 Г, Г9 | Uкэ =100 В | 100 | |||
| Обратный ток коллектор — эмиттер | |||||
| КТ817 А, А9 | I кэr | мкА | Uкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |
| КТ817 Б, Б9 | Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| КТ817 В, В9 | Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| КТ817 Г, Г9 | Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм | 200 | |||
| Статический коэффициент передачи тока | h21э | Uкб =2 B, Iэ =1 A | 25 | 275 | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=1 A, Iб =0,1 A | 0,6 |
Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817
Аналоги транзистора КТ817А 2N5190, 2SD234, TIP31, 2N6121, BD433, BD435, BD611, BD613
Цоколевка транзистора КТ817А 
Цоколевка и размеры транзистора КТ817А
Характеристики транзистора КТ817А
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275 Обратный ток коллектора 3 МГц Коэффициент шума биполярного транзистора
Замена транзистора КТ817: возможности и альтернативы
Транзистор КТ817 широко используется в электронных схемах для усиления сигналов и коммутации. Однако, по разным причинам, может возникнуть необходимость замены данного транзистора
В таком случае, важно знать о возможных альтернативах, которые могут быть использованы вместо КТ817
При выборе альтернативы транзистора КТ817 следует обратить внимание на следующие параметры:
- Максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера (Uкэ)
- Максимальное значение тока коллектора (Iк)
- Мощность (Pт)
- Коэффициент усиления по току (hFE)
- Скорость переключения (tсх)
Среди альтернатив, которые могут быть использованы вместо КТ817, можно выделить следующие модели:
- 2N3904 — параметры этого транзистора близки к КТ817, он имеет высокое значение коэффициента усиления hFE и хорошую скорость переключения. Однако его максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера ниже, чем у КТ817, поэтому он подходит для схем с низкими значениями напряжения.
- BC547 — данный транзистор также имеет близкие параметры к КТ817 и обладает хорошей скоростью переключения. Максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера у него тоже ниже, поэтому BC547 может быть использован в схемах с низким напряжением.
- 2N2222 — данный транзистор имеет высокую скорость переключения и превосходные характеристики. Максимальное значение напряжения коллектора-эмиттера у него выше, чем у КТ817, и он подходит для схем с более высокими значениями напряжения.
Необходимо отметить, что при замене транзистора КТ817 на альтернативную модель следует учитывать, что их пины могут быть размещены по-разному. Таким образом, перед заменой необходимо проверить схему и подключение транзистора, чтобы убедиться, что альтернативная модель совместима и может быть использована без проблем.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Как заменить транзистор КТ817Г?
1. КТ315Г
КТ315Г — это транзистор общего назначения с похожими характеристиками, который может быть использован вместо КТ817Г. Он также имеет типовое обозначение NPN и может работать с теми же параметрами напряжения и тока.
2. КТ827Г
КТ827Г — это еще один транзистор общего назначения, который может быть заменой для КТ817Г. Он также имеет типовое обозначение NPN и подходит для работы с похожими параметрами.
3. КТ814Г
КТ814Г — это аналог КТ817Г, который также может использоваться вместо него. Этот транзистор имеет похожие характеристики и может работать в тех же условиях.
Перед заменой транзистора КТ817Г на аналог или замену, рекомендуется ознакомиться с документацией на ваше устройство и убедиться, что выбранный транзистор подходит по параметрам и спецификациям.
Важно отметить, что при замене транзистора на аналог или замену, могут потребоваться дополнительные меры, такие как изменение схемы или настройка устройства. Рекомендуется провести тщательные исследования и проконсультироваться с опытными специалистами, чтобы избежать проблем и получить наилучшие результаты
тестер оптопар
На многих форумах можно прочитать, что раз деталь такая дешевая, то и проверять её не стоит, а просто меняем и все. У меня против этого мнения следующие доводы: все равно нужно узнать сгорела оптопара или нет, потому что это поможет понять, что ещё могло сгореть, да и новый оптрон может оказаться бракованным. Проверить оптопару можно прозвонив тестером светодиод и проверить на короткое замыкание транзистор, потом пропустить через светодиод ток и посмотреть, что транзистор открылся.
Но проще всего соорудить простейший тестер оптопар, для него понадобятся только:
- Два светодиода,
- Две кнопки,
- Два резистора.
Светодиоды подойдут на ток 5-20 мА и напряжение около 2-х вольт, R1, R2 — 300 Ом.
Питается тестер от USB порта получая от него 5 В, но можно питать тестер и от 3-х или 4-х батареек AA. Можно питать и от батарейки 9 В или 12 В или источника питания, вот только тогда нужно будет пересчитать сопротивления резисторов R1, R2.
42 thoughts on “ Оптрон PC817 схема включения, характеристики ”
Подбор выгодных аналогов
Для замены транзистора КТ817 можно использовать различные аналоги, которые предлагаются на рынке. При выборе подходящего аналога необходимо учитывать следующие параметры:
Тип корпуса: наличие или отсутствие пинов, соответствие размеров корпуса требуемым параметрам.
Максимальное рабочее напряжение: необходимо выбрать аналог с максимальным рабочим напряжением, которое соответствует требованиям вашей схемы.
Максимальный ток: аналог должен иметь максимальный ток, достаточный для работы вашей схемы.
Коэффициент усиления: для некоторых приложений важно, чтобы аналог имел такой же коэффициент усиления, как и заменяемый КТ817.
Популярными аналогами транзистора КТ817 являются:
- 2SC2530. Этот транзистор имеет пин-корпус и характеристики, сходные с КТ817.
- BC337. Это один из самых распространенных транзисторов по всему миру. Он также является подходящим аналогом для замены КТ817.
- 2N3904. Хотя его параметры несколько отличаются от КТ817, этот транзистор также может использоваться в качестве замены.
Важно отметить, что при выборе аналога необходимо учитывать все требования вашей схемы и проводить сравнительный анализ характеристик транзисторов, чтобы быть уверенным в их совместимости
Цоколевка транзистора КТ817
Транзистор КТ817 имеет трехконтактную цоколевку, которая обозначается символами E, B и C.
Контакт E соответствует эмиттеру транзистора. Он является активным контактом и используется для подключения к источнику питания.
Контакт B соответствует базе транзистора. Он является управляющим контактом и используется для подачи управляющего сигнала на транзистор.
Контакт C соответствует коллектору транзистора. Он является выходным контактом и используется для подключения к нагрузке.
Правильное подключение транзистора КТ817 позволяет использовать его для усиления и переключения сигналов в электронных устройствах. Неправильное подключение может привести к сбоям и поломкам устройства.
Популярные аналоги транзистора КТ817
1. 2N3904: Этот биполярный NPN-транзистор также широко используется и имеет схожие параметры и характеристики с КТ817.
2. BC547: Другой популярный NPN-транзистор, который может быть использован вместо КТ817 во многих приложениях.
3. BC337: Этот транзистор является PNP-аналогом КТ817 и может быть использован, если вам нужен такой вариант.
4. 2N2222: Этот NPN-транзистор обладает высокой частотой работы и может использоваться в схемах, требующих быстрый переключений и высоких частот.
Учтите, что при замене транзистора на аналог всегда следует проверять параметры и характеристики нового компонента, чтобы быть уверенными в его совместимости с вашей схемой.
Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзисторы КТ817, – кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры – n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ817.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В – 20. У транзистора КТ817Г – 15.
Граничная частота коэффициента передачи тока – 3 МГц.
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзистора КТ817А – 25в. У транзисторовКТ817Б – 45в. У транзистора КТ817В – 60в. У транзистора КТ817Г – 80в.
Максимальный ток коллектора. – 3А. Рассеиваемая мощность коллектора – 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт – с теплоотводом.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А – не более 1,5в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А – не более 0,6в.
Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в – 100мкА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц – не более – 60 пФ.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в – 115 пФ.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор – КТ816.
Характеристики транзистора КТ817
В таблице приведены основные характеристики транзистора КТ817:
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное коллекторное напряжение (Vceo) | 45 В |
| Максимальный коллекторный ток (Ic) | 1.5 А |
| Максимальная мощность потерь (Pc) | 0.625 Вт |
| Коэффициент усиления тока (hfe) | от 100 до 400 |
| Максимальная рабочая температура (Tj) | 150 °C |
Транзистор КТ817 имеет стандартную цоколевку TO-92, которая облегчает его подключение к электрическим схемам. В TO-92 транзистор имеет три вывода: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E).
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ817 является надежным и универсальным элементом электроники, который широко применяется в различных устройствах.
Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.
Транзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.
Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.
Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа. Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР. Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.
Наиболее важные параметры.
Граничная частота передачи тока — 250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.
Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.
Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.
Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.
Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.
Рассеиваемая мощность коллектора.
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ361. Буква определяющая класс у КТ361 расположена посередине корпуса.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.
Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.
Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.
Аналог КТ315В — BFP721.
Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
| Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
| 7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
| 11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
| 1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
| 31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
| 32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
| 33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
| 34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
| 35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
| 36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
| 3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
| 3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
| 51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
| 52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
| 54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
| 6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
| 6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
| 6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
| 6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
| 6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
| 6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
| 6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
| 6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
| 7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
| 7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
| 7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
| 7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Выводы и рекомендации
Мы провели обзор наиболее выгодных аналогов и совместимых моделей, которые могут быть использованы вместо КТ817. Некоторые из них являются прямыми заменами, имеют аналогичные характеристики и могут быть использованы без дополнительных изменений в схеме. Другие аналоги могут требовать некоторого изменения в схеме или замены дополнительных компонентов.
Для решения задачи замены транзистора КТ817 рекомендуется изучить особенности требуемого применения, а также убедиться в совместимости и соответствии характеристик выбранного аналога с требованиями схемы. При необходимости можно обратиться к документации производителя и консультации с опытными специалистами.
Важно отметить, что замена транзистора КТ817 может потребоваться не только по причине его выхода из строя, но и для улучшения характеристик устройства или использования более доступной или дешевой альтернативы. В таких случаях рекомендуется провести тщательное сравнение характеристик и выбрать наиболее подходящую модель
Итак, в процессе исследования мы рассмотрели наиболее выгодные аналоги и совместимые модели для замены транзистора КТ817, предоставили информацию о их особенностях и удобстве использования. Выбор конкретного аналога или модели зависит от требований конкретной схемы и применения
В решении вопроса о замене транзистора КТ817 рекомендуем принять во внимание вышеуказанные рекомендации и провести дополнительные исследования, если это необходимо