Транзистор кт815: характеристики, распиновка, аналоги

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока.

У транзистора П213 без буквы
— от 20
до 50

У транзистора П213А
— 20

У транзистора П213Б
— 40

Граничная частота передачи тока

— от 100
до 150
КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер

— 30
в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)

— 5
А.

Обратный ток коллектора
при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре
окружающей среды +25 по Цельсию:
У транзисторов П213
0,15
мА.
У транзисторов П213А, П213Б —
1
мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер
при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе
у транзисторов П213 —
20
мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом-
10
мА.

Обратный ток эмиттера
при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию,
у транзисторов П213 —
0,3
мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в —
0,4
мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

— не более
0,5
в.

Напряжение насыщения база-эмиттер
при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более
0,75
в.

Рассеиваемая мощность коллектора
—
11,5
Вт(на радиаторе).

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых
, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение
. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NECСфера применения: Medium Power, High VoltageПопулярность: 13955Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Транзистор Кт815: особенности и недостатки

Одной из основных особенностей транзистора Кт815 является его высокая мощность и эффективность. Он способен выдерживать значительные токи и напряжения, что делает его незаменимым компонентом в большинстве схем усиления и передачи сигналов.

Транзистор Кт815 обладает также высокой скоростью переключения, благодаря чему может использоваться в цифровых схемах и системах связи. Это позволяет ему обрабатывать быстро меняющиеся сигналы и обеспечивать стабильную работу устройств на высоких частотах.

Однако, как и любой другой транзистор, Кт815 обладает определенными недостатками. Главным из них является его чувствительность к статическому электричеству и перегрузкам, что может привести к его повреждению или выходу из строя.

Еще одним недостатком Кт815 является его относительно высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими транзисторами. Это может быть проблемой при массовом производстве устройств, где требуется экономия средств.

Необходимо отметить, что транзистор Кт815 имеет широкий спектр применения, и его преимущества часто перевешивают недостатки. Все зависит от конкретной задачи и требований к устройству, в котором он будет использоваться.

Цоколёвка и маркировка КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89
. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.

Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.

На сегодняшний день
, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.

Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Т
ранзисторы П213
— германиевые, мощные,
низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса.
На рисунке ниже — цоколевка П213.

Характеристики транзистора КТ815

В этой статье рассмотрим транзистор КТ815, его технические характеристики, цоколевку, узнаем какие существуют аналоги, а так же содержится ли в нем золото. Итак, КТ815 — довольно мощный биполярник, технология изготовления эпитаксиально-планарная, структура перехода n-p-n, базовый материал кремний . Устройство используется в разнообразных усилителях: НЧ, ДИФФ, операционных, или в другом оборудовании в качестве ключей.

Распиновка

Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.

На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают максимально допустимые параметры своего изделия. Характеристики, при которых работает устройство, не должны их превышать, иначе КТ815 с большой вероятностью выйдет из строя. Также недопустима работа при режимах близких к максимальным.

Параметры, при которых производилось тестирование, указываются в технических характеристиках.

максимально допустимое постоянно действующее напряжение при сопротивлении Б-Э меньше 100 Ом U_кэmax = 40 В;
постоянное напряжение между U_{эбmax (максимально выдерживаемое)} = 5 В;
наибольший возможный ток I_кmax = 1,5 А;
предельно возможный импульсный ток, на протяжении промежутка времени меньше 10 мс I_киmax = 3 А;
наибольший возможный ток I_бmax = 0,5 А;
максимальная мощность, которая может рассеиваться на коллекторе в течении длительного времени (при температуре корпуса от -40 О С до + 25 О С) с теплоотводом – 10 Вт, без теплоотвода – 1 Вт;
максимальная температура перехода 150 О С.

Далее в технических характеристиках идут электрические параметры. Их измерение также производится при температуре + 25 О С, если другое не оговорено специально для конкретного значения. Остальные условия приведены в таблице.

Характеристики электрические транзистора КТ815:

Помимо этого в Datasheet также приводятся сведения о безопасности при монтаже. Не допускается пайка на расстоянии ближе 5 мм от корпуса. Температура припоя должна быть ниже +250 О С. Тепловое воздействие не должно длиться более 2 с.

Содержание драгметаллов

Извлечением драгоценных металлов из радиокомпонентов занимаются скупщики и специализированные компании. Для того чтобы это дело приносило прибыль необходимы огромные объёмы перерабатываемого материала, иначе затраты на переработку будут больше, чем стоимость металла на выходе. Что касается героя данной статьи, то в нем содержится некоторое количество золота (0,1819г. в 1000шт) и серебра (2,1877г. на 1000шт.). Ознакомиться с этой информацией можно из этикетки, которая представлена ниже.

Аналоги

Среди идентичных аналогов кт815 можно назвать следующие транзисторы: BD813, TIP29, TIP61, BD165.

Для КТ815 существует также комплиментарная пара. Это отечественный (назовём его триод) КТ814. Он имеет структуру обратную рассматриваемому, а именно p-n-p, ведь транзисторы в паре должны иметь взаимно обратную структуру.

Производители

Производством транзистора занимаются два российских предприятия. Это АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск (скачать Datasheet), которое входит в холдинг «Концерн ВКО Алмаз – Антей». А также АО «Кремний» г. Брянск. В Белоруссии это изделие выпускают на заводе АО «ИНТЕГРАЛ» г. Минск (Datasheet здесь).

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n.

Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Важность правильного выбора аналогов для Кт815

При поиске аналогов для Кт815 необходимо учитывать параметры замены, такие как напряжение коллектор-эмиттер, ток коллектора и максимальная мощность. Неправильный выбор аналога может привести к перегреву транзистора, его выходу из строя и негативным последствиям для всей схемы.

Одним из популярных аналогов для Кт815 является транзистор 2N3055. Он обладает схожими электрическими характеристиками и может быть использован вместо Кт815. Однако, при замене необходимо проверить его совместимость с остальными компонентами схемы.

Другим возможным аналогом для Кт815 является транзистор MJ15003. Он также имеет схожие характеристики и может быть успешно применен в замене Кт815. Однако, для достижения оптимальной производительности и надежности необходимо провести предварительный анализ и сравнение технических характеристик этих транзисторов.

В заключение, выбор аналогов для замены транзистора Кт815 имеет важное значение для обеспечения нормальной работы электронных устройств. Неправильный выбор аналогов может привести к поломке схемы и повреждению других компонентов

Поэтому рекомендуется проводить тщательное исследование и выбирать аналоги на основе их совместимости и соответствия характеристикам заменяемого транзистора.

Правильная цоколёвка транзисторов

Приветствую!

Думаю, многим начинающим (и продолжающим) любителям электроники знакомо чувство разочарования, когда собираешься какое-то устройство по готовой схеме, а устройство отказывается работать. Проверяешь все в очередной раз. Рыщешь в интернете в поиске похожих ошибок. Убиваешь на эту простейшую схему кучу времени, а она не работает и все тут! И вроде схема-то проверенная. Вот решил поделиться случаем из практики. Когда бился над проблемой не один день, а решение оказалось до смешного простейшим!

Думаю, хватит тянуть кота за… что попалось:) Опишу суть.

Кому лень читать много букв, можете посмотреть все на видео:

https://www.youtube.com/watch?v=eFxy8aDVwOc

Собирал как-то простейший H-мост для управление моторчиком. Сопротивление обмотки его в районе 1 кОма. В инете полно похожих схем. Единственное отличие было в питании. Двигателю нужно было 24 В, а управление шло от микроконтроллера, т.е. 5 В. В общем-то, сложностей никаких возникнуть не должно. Схема следующая:

Подаём на управляющие транзисторы либо 5 В, либо 0, двигатель вращается в одну, либо в другую сторону.

Сначала для проверки подаю с контроллера на один транзистор (не важно какой) 1, на другой 0. При этом нагрузки никакой нет. Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы

Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В

Включаю питание – выгорают транзисторы! Проверяю плату на сопли, правильность соединений – все ОК! Меняю транзисторы. Не буду описывать тут весь геморрой. Только основные моменты. Ограничил ток на блоке питания до 50 мА. Включаю, транзисторы pnp потихоньку разогреваются, ток 50 мА напряжение просело до 12 В.

В итоге спалил несколько транзисторов. Перед впайкой проверяю транзисторы мультиметром на проверке диодов. По даташиту на BC557 слева направо идёт коллектор-база-эмиттер (смотрим на лицевую сторону). Вот картинки из нескольких даташитов известных фирм (On Semiconductor, NXP и Farnell):

Тыкаем минусовой щуп в базу, плюсовой сначала в эмиттер, потом в коллектор. В обоих случаях прибор показывает 0.7 В. Вроде все правильно. Транзистор целый, база в середине. Но! На своих ли местах коллектор и эмиттер?

Помог мне более опытный знакомый. Он усомнился в правильности цоколёвки китайских транзисторов. И высказал предположение, что коллектор с эмиттером не на своих местах, т.е. цоколёвки в даташиту не совпадает с реальной. Как это проверить?

При проверке тестером можно убедиться только в том, что переходы база-коллектор и база-эмиттер целые, и проверить тип транзистора (pnp или npn). Но нельзя определить где коллектор, а где эмиттер. Для определения нужно собрать две простенькие схемки:

Первая

И вторая

При таком включении ток базы будет определятся так: напряжение питания (5 В) минус падение напряжения на переходе база-эмиттер (0.6-0.7 В) деленное на R1 (4.7 кОм). Получается около 0.9 мА.

Подаём питание, измеряем ток.

При правильном включении (схема 1) ток, измеренный амперметром будет равен ток базы (0.9 мА), умноженный на коэффициент усиления транзистора (по даташиту минимальный 90).

Затем меняем крайние выводы (коллектор, эмиттер) местами, снова подаем питание и смотрим ток.

Приведу значения, которые получились у меня: при первом включении ток был равен 6 мА, при другом включении 143 мА.

В итоге оказалась, что расположение выводов купленных транзисторов не совпадает с расположением в даташитах.

В моем случае получалось, что при подаче напряжения в схему открывались эмиттерные переходы pnp транзисторов, а при открытии одного из управляющих транзисторов протекал сквозной ток.

Еще один метод определения коллекторного и эмиттерного переходов состоит в измерении сопротивления. Из-за особенностей изготовления коллекторный переход имеет меньшее сопротивление, в отличие от эмиттерного перехода. Например, у меня получались следующие значения: 6.5 МОм – сопротивление перехода база-коллектор и 6.67 МОм – сопротивление перехода база-эмиттер. Но, думаю, метод определения по измерению тока является более точным.

Мультиметр, используемый мной.

И его обзор.

Мультитестер для измерения характеристик транзисторов, ESR конденсаторов и др.

Оставить сообщение:

См. также:

Правильная цоколёвка транзисторов обновлено: 19 ноября, 2019 автором: Deneb-80

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h21э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА	0,6	В

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

КТ815А, КТ815А9 — 40 В
КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
КТ815В, КТ815В9 — 70 В
КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

КТ815А, КТ815А9 — 30 В
КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
КТ815В, КТ815В9 — 65 В
КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Транзистор КТ815А

КТ815А Транзисторы КТ815А кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 1 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126). Технические условия: аА0.336.185 ТУ/02.

Основные технические характеристики транзистора КТ815А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм); • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В); • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Транзистор Кт317: лучшие характеристики

Вот некоторые из лучших характеристик транзистора Кт317:

Ток коллектора: Кт317 способен выдерживать высокий ток коллектора, что делает его идеальным выбором для использования в устройствах с высокими энергетическими требованиями.
Низкое напряжение насыщения: Этот транзистор обладает низким значением напряжения насыщения, что позволяет достичь более эффективной работы устройств и существенно снизить энергопотребление.
Высокая частота переключения: Кт317 обладает высокой частотой переключения, что делает его идеальным выбором для применения в устройствах, требующих быстрого и стабильного переключения сигналов.

В целом, транзистор Кт317 — это надежное и функциональное устройство, которое может быть использовано во множестве приложений.

Примеры обозначения транзисторов

КТ937А-2 — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (см рисунок в начале статьи).

Орлов Анатолий Владимирович

Начальник службы РЗиА Новгородских электрических сетей

Задать вопрос

Биполярные транзисторы, разработанные до 1964 г. и выпускаемые по настоящее время, имеют систему обозначений, включающую в себя два или три элемента.

Первый элемент

— буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП — для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент

— двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной частоты:

от 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.