Транзистор КТ814Г — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Особенности конструкции

Одной из особенностей конструкции КТ814Г является его металлокерамический корпус, который обеспечивает надежную защиту от механических повреждений и влияния внешних факторов. Корпус имеет три вывода, с помощью которых осуществляется подключение транзистора к другим элементам электрической схемы.

Также стоит отметить наличие индикаторной метки на корпусе транзистора, обозначающей его положение и ориентацию при монтаже

Это особенно важно для правильного подключения транзистора и предотвращения его повреждения

Для увеличения эффективности работы и снижения тепловых потерь, корпус транзистора КТ814Г выполнен с отверстиями для снижения теплового сопротивления. Это позволяет предотвратить перегрев транзистора при большой нагрузке и обеспечить его более стабильную работу.

КТ814Г также обладает высокой частотой переключения, что расширяет его область применения в различных устройствах, работающих на высоких частотах. Это делает его эффективным элементом для использования в схемах усилителей, генераторов и других электронных устройствах.

В целом, особенности конструкции транзистора КТ814Г обеспечивают его надежность, стабильную работу и широкие возможности применения в различных областях электроники.

Применение транзистора КТ814Г

Транзистор КТ814Г широко применяется в электронике и радиотехнике. Благодаря своим характеристикам, он находит применение в различных схемах усиления и коммутации.

Основные сферы применения транзистора КТ814Г:

• Аудиоусилители. Транзистор КТ814Г обладает высоким коэффициентом усиления и может использоваться для усиления звуковых сигналов в различных аудиоусилительных схемах.
• Радиоприемники. Благодаря своей надежности и стабильности работы, транзистор КТ814Г применяется в радиоприемниках различных типов.
• Телевизоры. В современных телевизорах транзистор КТ814Г используется для усиления и коммутации видео- и аудиосигналов.
• Электронные блоки питания. Транзистор КТ814Г можно использовать в источниках питания для стабилизации напряжения и коммутации высоких токов.
• Импульсные преобразователи. Благодаря своей высокой коммутационной скорости и низким потерям, транзистор КТ814Г применяется в импульсных преобразователях различных типов.

Также транзистор КТ814Г может использоваться в других устройствах, требующих усиления и коммутации сигналов. Его широкий спектр применения делает его одним из наиболее востребованных биполярных транзисторов на рынке электронных компонентов.

Обзор транзистора КТ814Г

Основные характеристики транзистора КТ814Г:

• Типоразмер: TO-92
• Максимальное коллекторное напряжение: 40 В
• Максимальный коллекторный ток: 150 мА
• Мощность рассеяния: 500 мВт
• Коэффициент усиления по току: 70-500
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Цоколевка транзистора КТ814Г соответствует стандарту TO-92. На его корпусе имеются три вывода: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E). Коллекторный вывод обычно назначается нарабатывающим столиком. Если смотреть на транзистор так, чтобы резинка заказала под собой, то слева окажется база, а справа – эмиттер.

Транзистор КТ814Г обладает низким уровнем шума и минимальными искажениями сигнала, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах, режимных и импульсных преобразователях, а также в других приложениях, где требуется надежная работа в условиях сильных электромагнитных помех.

Чем заменить транзистор КТ814Г?

Если вы не можете найти транзистор КТ814Г, можно воспользоваться его аналогами:

• 2N3904: это общеупотребительный низкочастотный транзистор, который отлично подходит для замены КТ814Г. Он имеет аналогичные электрические характеристики и может использоваться как в усилительных, так и в коммутационных схемах.
• BC547: еще один распространенный аналог КТ814Г. Он также является низкочастотным универсальным транзистором с высоким коэффициентом усиления. Он может быть использован в различных схемах усиления и коммутации.
• 2SC828: японский транзистор, который является подходящей заменой для КТ814Г. Он имеет схожие характеристики, включая высокий коэффициент усиления и низкий шум.

Перед заменой транзистора КТ814Г всегда рекомендуется обратиться к документации или консультации с умельцами в области электроники, чтобы быть уверенным в совместимости и электрической схожести заменяемых элементов.

Описание применения

Благодаря своим характеристикам и надежности, КТ814Г может использоваться в различных схемах усиления и коммутации сигнала.

Применение транзистора КТ814Г в различных электронных устройствах предлагает следующие преимущества:

1.	Высокая частота переключения.
2.	Широкий диапазон рабочих температур.
3.	Малый размер и вес.
4.	Малая потребляемая мощность.
5.	Высокая надежность и долгий срок службы.

Также, транзистор КТ814Г может быть применен в следующих типах устройств:

1. Радиопередатчики и радиоприемники.

2. Усилители мощности.

3. Регуляторы напряжения и тока.

4. Стабилизаторы источников питания.

5. Логические схемы и преобразователи сигналов.

Транзистор КТ814Г обладает высокой электрической прочностью и способен переносить большие мощности, что делает его незаменимым компонентом в современной электронике.

Выбор цоколевки для транзистора КТ814Г

При выборе цоколевки для транзистора КТ814Г необходимо обратить внимание на следующие параметры:

Тип монтажа. Транзистор КТ814Г может быть установлен как в поверхностном монтаже (SMD), так и в печатном монтаже (THT). В зависимости от выбранного типа монтажа нужно выбрать соответствующую цоколевку.
Количество контактов. Цоколевка транзистора КТ814Г может иметь разное количество контактов. Наиболее распространены цоколевки с 3 контактами, но также можно встретить и другие варианты с большим количеством контактов.
Расположение контактов

Важно учитывать расположение контактов на цоколевке и их соответствие с расположением выводов транзистора КТ814Г. Это позволит правильно и надежно подключить транзистор.

При выборе цоколевки рекомендуется обращаться к документации на транзистор КТ814Г или консультироваться с производителем или поставщиком компонента. Это поможет избежать ошибок при подключении транзистора и обеспечит его надежную работу в вашей схеме.

Транзистор КТ814Г

Главными характеристиками транзистора КТ814Г являются:

• Максимальное значение обратного напряжения коллектор-эмиттер (Vceo) — 30 В;
• Максимальное значение тока коллектора (Ic) — 200 мА;
• Максимальная мощность, потребляемая на коллекторе (Pc) — 200 мВт;
• Коэффициент усиления по току (hfe) — от 30 до 120;
• Диапазон рабочих температур — от -55 °C до +150 °C.

Цоколевка транзистора КТ814Г соответствует стандартной международной маркировке. Включение транзистора осуществляется следующим образом:

• Коллектор (C) — электрод, через который входит или выходит основной ток;
• База (B) — электрод, который управляет током между коллектором и эмиттером;
• Эмиттер (E) — электрод, через который входит или выходит вспомогательный ток.

Транзистор КТ814Г является надежным и широко используемым элементом электроники. Его параметры позволяют использовать его в различных схемах и приложениях.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Способы проверки

При проверке транзистора КТ814 мультиметром должно получиться:

• При подключении красного щупа к Б, а черного к Э-К, то должно быть отображено большое сопротивление. Это говорит о закрытости диодов;
• Если подключить минус к Б, то на Э-К подается плюс: отобразится ток от 600 до 800 мВ. Это говорит об открытости перехода;
• Если щупы подключить к Э-К, то не должно быть никаких показаний, во всех случаях переходы будут закрытыми.

Изделие будет открыто только в ситуациях, если красный щуп подключён к Э-К. Если в процессе проверки наблюдаются определённые отклонения, то устройство не работает.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Т ранзисторы П213

— германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p. Корпус металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.

Применение

На КТ814 можно собрать сенсорный выключатель, который будет работать от электрической сети 220 В. С его помощью можно включать и отключать нагрузку мощностью до 60 Вт.

В качестве сенсора Е1 используется пластина из жести размером с пятирублевую монету. Если его коснуться, то наведённое переменное напряжение появится на затворе транзистора VT1 и откроет его. Появиться положительный импульс на 3 выводе микросхемы DD1, и триггер изменит своё состояние.

Когда на выходе DD1 логический 0 (низкое напряжение), транзистор VT2 будет закрыт и ток в нагрузке отсутствует. При появлении на выходе DD1 высокого напряжения транзистор открывается и переводит тиристор VS1 в открытое состояние и через него ток начинает течь через нагрузку.

• Вместо стабилитрона VD1 установить: КС175А, Д808 или Д814А.
• В качестве выпрямительных диодов можно VD2 – VD5 использовать: Д226В, КД258Б.
• Заменить транзистор VT2 можно любым т-ром серий КТ940 и КТ630.

Аналоги КТ814Г: достоинства и особенности

1. КТ814А

Аналог КТ814Г — КТ814А имеет ряд достоинств. Во-первых, он обладает высоким коэффициентом усиления, что позволяет использовать его в усилительных схемах. Во-вторых, КТ814А имеет низкое входное сопротивление, что упрощает его применение в различных электронных устройствах. Однако, стоит отметить, что КТ814А имеет некоторые отличия по параметрам, поэтому перед заменой транзистора КТ814Г на КТ814А необходимо произвести дополнительные расчеты и проверить совместимость в конкретной схеме.

2. КТ814Б

Еще одним потенциальным аналогом для КТ814Г является транзистор КТ814Б. Он обладает схожими характеристиками, что позволяет применять его в тех же самых схемах, где использовался КТ814Г. Также КТ814Б имеет высокий коэффициент усиления и низкое входное сопротивление. Однако, как и в случае с КТ814А, перед заменой транзистора КТ814Г на КТ814Б требуется дополнительный анализ и аккуратность при подборе.

3. КТ814В

Транзистор КТ814В также может быть использован в качестве аналога для КТ814Г. Он обладает схожими характеристиками и может применяться в усилительных схемах и других электронных устройствах. КТ814В имеет высокий коэффициент усиления и низкое входное сопротивление, что делает его подходящим для замены КТ814Г. Однако, рекомендуется провести дополнительные расчеты и учесть возможные различия в параметрах для конкретной схемы.

Вывод

При замене транзистора КТ814Г необходимо учитывать особенности и параметры аналогов. Хотя КТ814А, КТ814Б и КТ814В имеют схожие характеристики, их применение требует дополнительного анализа и аккуратности при выборе

Важно учитывать электрическую совместимость и соответствие параметров заменяемого транзистора и его аналогов для обеспечения стабильной работы электронных устройств

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Транзистор КТ814Г: характеристики и цоколевка

Характеристики транзистора КТ814Г:

Максимальное рабочее напряжение коллектора (Uк): 40 В

Максимальный рабочий ток коллектора (Iк): 2 А

Максимальная мощность (Pк): 20 Вт

Граничная частота тока (fт): 50 МГц

Коэффициент усиления по току (h21е): 40-120

Транзистор КТ814Г имеет транзисторную цоколевку TO-92, которая позволяет легко установить его на печатную плату. Это трехэлектродный элемент, включающий базу (B), коллектор (C) и эмиттер (E).

Цоколевка КТ814Г в TO-92 позволяет правильно подключить транзистор к сигнальным источникам. База является входом сигнала, коллектор — выходом, а эмиттер является общим электродом.

При правильном использовании и подключении транзистора КТ814Г в соответствии с его характеристиками и цоколевкой, он может быть применен в различных схемах уровня сигналов, усилительных каскадах и других электронных устройствах.

Распиновка

Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.

На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
КТ829Б	—	60*
КТ829В	—	60*

КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50

КТ829АП
—
50

КТ829АМ
—
60

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ829А
—
≥4
МГц

КТ829Б

—
≥4

КТ829В
—
≥4

КТ829Г
—
≥4

КТ829АТ
—
≥4

КТ829АП
—
≥4

КТ829АМ
—
≥4

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,} U*_{КЭR проб.,} U**_{КЭО проб.}

КТ829А
1к
100*
В

КТ829Б
1к
80*

КТ829В
1к
60*

КТ829Г
1к
45*

КТ829АТ
—
100

КТ829АП
—
160

КТ829АМ
—
240

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,} 
КТ829А
—5
В

КТ829Б
—5

КТ829В
—5

КТ829Г
—5

КТ829АТ
—5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ829А
—
8(12*)
А

КТ829Б
—
8(12*)

КТ829В
—
8(12*)

КТ829Г
—
8(12*)

КТ829АТ
—
5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
8

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*

КТ829В
60 В
≤1.5*

КТ829Г
60 В
≤1.5*

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ

—
—

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*

КТ829В
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*

КТ829АТ
—

≥1000

КТ829АП
—
≥700

КТ829АМ
—
400…3000

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ829А
—
≤120
пФ

КТ829Б
—
≤120

КТ829В
—
≤120

КТ829Г
—
≤120

КТ829АТ
—

—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ

КТ829Б
—
≤0.57

КТ829В
—
≤0.57

КТ829Г
—
≤0.57

КТ829АТ

—
≤0.3

КТ829АП
—
≤0.25

КТ829АМ
—
≤0.66

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ829Б
—
—

КТ829В
—
—

КТ829Г
—
—

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
КТ829А
——
пс

КТ829Б
——

КТ829В
——

КТ829Г
——

КТ829АТ
——

КТ829АП
——

КТ829АМ
——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40 У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в. У транзисторов КТ814Б – 40 в. У транзисторов КТ814В – 60 в. У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Как выбрать транзистор КТ814Г?

При выборе транзистора КТ814Г необходимо учитывать несколько важных характеристик.

В первую очередь, следует обратить внимание на тип корпуса транзистора. Транзистор КТ814Г имеет корпус типа TO-92, который удобен в использовании и позволяет легко монтировать его на печатные платы

Одной из ключевых характеристик транзистора является его номинальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce). В случае транзистора КТ814Г оно составляет 40 Вольт. Необходимо убедиться, что это значение соответствует требованиям именно вашего проекта.

Важной характеристикой транзистора является его максимальный допустимый ток коллектора (Ic). Для транзистора КТ814Г этот параметр составляет 100 мА

Если ваша схема требует большего тока, следует рассмотреть другие варианты.

Также следует обратить внимание на коэффициент усиления тока (hfe). Для транзистора КТ814Г он обычно составляет от 20 до 200

Этот показатель важен для понимания, насколько сильно транзистор играет роль усилителя в вашей схеме.

Другие параметры, на которые следует обратить внимание при выборе транзистора КТ814Г, включают его рабочую температуру, мощность и шумы. Также рекомендуется изучить дополнительную документацию производителя для получения более подробной информации о характеристиках транзистора

В общем, при выборе транзистора КТ814Г необходимо учитывать требования вашего проекта, а также соответствие характеристик транзистора данным требованиям. Это позволит вам получить оптимальное решение для вашей схемы.