Характеристики транзистора кт815

Кт315: характеристики транзистора, аналоги и схемы

Аналог КТ827А

     Здравствуйте уважаемые читатели. Существует много схем, где с большим успехом используются замечательные мощные составные транзисторы КТ827 и естественно иногда возникает необходимость в их замене. Кода под рукой данных транзисторов не обнаруживается, то начинаем задумываться об их возможных аналогах.

     Полных аналогов среди изделий иностранного производства я не нашел, хотя в интернете есть много предложений и утверждений о замене этих транзисторов на TIP142. Но у этих транзисторов максимальный ток коллектора равен 10А, у 827 он равен 20А, хотя мощности у них одинаковые и равны 125Вт. У 827 максимальное напряжение насыщения коллектор – эмиттер равно два вольта, у TIP142 – 3В, а это значит, что в импульсном режиме, когда транзистор будет находиться в насыщении, при токе коллектора 10А на нашем транзисторе будет выделиться мощность 20Вт, а на буржуйском – 30Вт, поэтому придется увеличивать размеры радиатора.

     Хорошей заменой может быть транзистор КТ8105А, данные смотрим в табличке. При токе коллектора 10А напряжение насыщения у данного транзистора не более 2В. Это хорошо.

     При неимении все этих замен я всегда собираю приблизительный аналог на дискретных элементах. Схемы транзисторов и их вид приведены на фото 1.

     Собираю обычно навесным монтажом, один из возможных вариантов показан на фото 2.

     В зависимости от нужных параметров составного транзистора можно подобрать транзисторы для замены. На схеме указаны диоды Д223А, я обычно применяю КД521 или КД522.

     На фото 3 собранный составной транзистор работает на нагрузку при температуре 90 градусов. Ток через транзистор в данном случае равен 4А, а падение напряжения на нем 5 вольт, что соответствует выделяемой тепловой мощности 20Вт. Обычно такую процедуру я устраиваю полупроводникам в течении двух, трех часов. Для кремния это совсем не страшно. Конечно для работы такого транзистора на данном радиаторе внутри корпуса устройства потребуется дополнительный обдув.

     Для выбора транзисторов привожу таблицу с параметрами.

     Параметры самодельного составного транзистора (Рвых, Iк макс.)будут конечно соответствовать параметрам примененного выходного транзистора. Вот вроде и все. До свидания. К.В.Ю.

Просмотров:92 738

Архивы

АрхивыВыберите месяц Ноябрь 2023  (3) Октябрь 2023  (1) Февраль 2023  (1) Ноябрь 2022  (1) Февраль 2022  (2) Январь 2022  (3) Декабрь 2021  (4) Ноябрь 2021  (2) Октябрь 2021  (6) Апрель 2021  (1) Март 2021  (3) Февраль 2021  (2) Январь 2021  (1) Декабрь 2020  (1) Ноябрь 2020  (1) Октябрь 2020  (1) Сентябрь 2020  (2) Июль 2020  (2) Июнь 2020  (1) Апрель 2020  (1) Март 2020  (3) Февраль 2020  (2) Декабрь 2019  (2) Октябрь 2019  (3) Сентябрь 2019  (3) Август 2019  (4) Июнь 2019  (4) Февраль 2019  (2) Январь 2019  (2) Декабрь 2018  (2) Ноябрь 2018  (2) Октябрь 2018  (3) Сентябрь 2018  (2) Август 2018  (3) Июль 2018  (2) Апрель 2018  (2) Март 2018  (1) Февраль 2018  (2) Январь 2018  (1) Декабрь 2017  (2) Ноябрь 2017  (2) Октябрь 2017  (2) Сентябрь 2017  (4) Август 2017  (5) Июль 2017  (1) Июнь 2017  (3) Май 2017  (1) Апрель 2017  (6) Февраль 2017  (2) Январь 2017  (2) Декабрь 2016  (3) Октябрь 2016  (1) Сентябрь 2016  (2) Август 2016  (1) Июль 2016  (9) Июнь 2016  (3) Апрель 2016  (5) Март 2016  (1) Февраль 2016  (3) Январь 2016  (3) Декабрь 2015  (3) Ноябрь 2015  (4) Октябрь 2015  (6) Сентябрь 2015  (5) Август 2015  (1) Июль 2015  (1) Июнь 2015  (3) Май 2015  (3) Апрель 2015  (3) Март 2015  (2) Январь 2015  (4) Декабрь 2014  (9) Ноябрь 2014  (4) Октябрь 2014  (4) Сентябрь 2014  (7) Август 2014  (3) Июль 2014  (2) Июнь 2014  (6) Май 2014  (4) Апрель 2014  (2) Март 2014  (2) Февраль 2014  (5) Январь 2014  (4) Декабрь 2013  (7) Ноябрь 2013  (6) Октябрь 2013  (7) Сентябрь 2013  (8) Август 2013  (2) Июль 2013  (1) Июнь 2013  (2) Май 2013  (4) Апрель 2013  (7) Март 2013  (7) Февраль 2013  (7) Январь 2013  (11) Декабрь 2012  (7) Ноябрь 2012  (5) Октябрь 2012  (2) Сентябрь 2012  (10) Август 2012  (14) Июль 2012  (5) Июнь 2012  (21) Май 2012  (13) Апрель 2012  (4) Февраль 2012  (6) Январь 2012  (6) Декабрь 2011  (2) Ноябрь 2011  (9) Октябрь 2011  (14) Сентябрь 2011  (22) Август 2011  (1) Июль 2011  (5)

Технические характеристики

КТ805АМ, как все полупроводниковые приборы, имеет техническое описание от производителя. Оно содержит информацию об устройстве, его обозначению, а так же предельно допустимые характеристики. Рассмотрим их более подробно:

  • максимальное напряжение К-Э: постоянное (UКЭ ) до 60 В; импульсное (UКЭ и) до 160 В при tИ ≤ 500 мкс, tФ ≥15 мс, RБЭ = 10 Ом, температуре перехода  (ТП) ≤ +100OС; до 180 вольт в схемах строчной телевизионной развертки при ТК ≤, tИ ≤ 50 мс;
  • напряжение Э-Б (UЭБ): — 5 В, импульсное (UЭБ и)  до 8 В, при tИ  ≤ 40 мс;
  • ток коллектора (IК): -5 А; импульсный (IК и) при tИ≤ 40 мс и Q≥1.5 — 8 А;
  • ток базы (IБ) — 2 А; импульсный (IБ и) при tИ ≤ 20 мc — 2.5 А;
  • тепловое сопротивление кристалл-корпус (RТ(П-К)) — 3.3 OС/Вт;
  • средняя рассеиваемая мощность (PК)  на коллекторе при ТК ≤ +50 OС  до 30 Вт, а при ТК = +100 OС до 15 Вт. Если ТК ≥  +50 OС, то мощность PK рассчитывается по стандартной формуле PK макс = (150 – TК)/RТ(П-К),Вт;
  • максимальная температура ТП  до + 150 OС, вокруг корпуса от -60 до +100 OС.

Электрические

Кроме предельно допустимых значений, в даташит на КТ805АМ указаны электрические значения. В них каждый параметр приводится с учётом определенных режимов измерений, указанных в отдельном столбце. Температура вокруг корпуса прибора при этом составляет не более  +25 OС:

Аналоги

Полным отечественным аналогом у КТ805АМ, с идентичными электрическими параметрами, но в другом металлостеклянном корпусе является транзистор КТ305А. Эти два устройства указаны в одном техническом описании у всех российских производителей. Зарубежными аналогами в пластиковом корпусе ТО-220 можно считать: 2SC2562, 2SC3422 (Toshiba), в металлизированном TO3 — BDY60.

Назначение выводов

Цоколевка КТ805АМ следующая. Прибор выполнен в пластиковом корпусе типа КТ-28 (КТ-28-2), для дырочного монтажа. Он имеет встроенный радиатор с отверстием (3.6 мм) для крепления на электрическую плату. В зарубежной классификации это корпус TO-220 (ТО-220AB). Три контакта, если смотреть на маркировку, слева на право, имеют следующие назначение: 1- эмиттер (Э), 2- коллектор(К), 3- база(Б). Масса устройства не более 2.5 гр.

Многие радиолюбители путают КТ-28 с корпусом КТ-27. Но это разные упаковки. Будьте внимательны при покупке. КТ805АМ(КТ-27) не бывает !

Вместе с тем, существует транзистор КТ805А в металлостеклянном светлом корпусе, с аналогичными параметрами. Он имеет габариты побольше и весит 24 гр. Характеристики, рассмотренные ниже, относятся к обеим видам устройств.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: