Транзистор КТ 807: Описание и основные характеристики
Описание:
Транзистор КТ 807 — это силовой биполярный транзистор, который работает в режиме гетерополярного структурного типа. Он предназначен для усиления аудио- и видеосигналов, а также для переключения больших мощностей. Транзистор имеет три электрода: эмиттер, база и коллектор, и работает на напряжении до 1000 В.
Высокая надежность, стабильность и долговечность являются основными качествами транзистора КТ 807. Он может работать в широком диапазоне температур, от -55°C до +150°C, что позволяет использовать его даже в экстремальных условиях.
Основные характеристики:
1. Максимальное значение коллекторного тока (Ic) — 12 А.
2. Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (Uce) — 1000 В.
3. Максимальная мощность (Ptot) — 150 Вт.
4. Коэффициент усиления по току (hFE) — 20-70.
5. Сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rce) — 1 Ом.
Транзистор КТ 807 широко используется в различных сферах, включая аудио- и видеоусилители, системы связи, преобразователи напряжения и другие электронные устройства, где требуется высокая мощность и стабильность работы.
Особенности данного транзистора включают в себя небольшие габариты, удобство монтажа и низкое потребление энергии. Благодаря этим свойствам, транзистор КТ 807 является одним из самых популярных элементов силовой электроники.
Транзистор КТ807А: основные характеристики
Основные характеристики транзистора КТ807А:
- Тип корпуса: TO-3P, металлический корпус с отводами для улучшения теплоотвода.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 160 В.
- Максимальный ток коллектора (Iк): 20 А.
- Максимальная мощность (Pк): 100 Вт.
- Максимальная рабочая частота: до 100 кГц.
- Коэффициент усиления (h21e): не менее 10.
Транзистор КТ807А обладает низким коэффициентом насыщения (VCEsat) и хорошими динамическими характеристиками, что позволяет его использовать в схемах с высокими требованиями к быстродействию. Он также отличается стабильностью в широком диапазоне рабочих температур и надежностью в экстремальных условиях.
Характеристики
КТ805АМ сопровождается технической документацией, составленной изготовителем, ее мы приложим в конце статьи. В документации представлена информация о приборе, его маркировка, а также характеристики для конкретных условий.
Максимальные характеристики КТ805АМ:
- Постоянное – до 60В;
- Импульсное – до 160В (если tи меньше либо равно 500 мкс, tФ больше либо равно 15 мс, RБЭ = 10 Ом, при температуре перехода до +100°C) и до 180 В в схемах строчкой телевизионной развёртки при других значениях;
- Предельный постоянной ток коллектора (К) – 5А, импульсный – 8 А;
- Предельная постоянная рассеиваемая мощность К без (или с) отвода тепла – 30 Вт;
- В схеме с общим эмиттером статический коэффициент передачи тока больше либо равен 15;
- Обратный ток К – больше либо равен 25 мА;
- Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером – больше либо равно 20 МГц;
- Шумовой коэффициент – до 2,5 дБ.
Кроме максимальных разрешённых значений в datasheet к транзистору приведены электрические значения. В описании каждый параметр указан в определённом режиме измерения, что отображено в столбцах. Представленные показатели действительны, если температура среды вокруг прибора не вырастет более +25°C.
| Электрические характеристики транзистора КТ805АМ (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Параметры тестирования | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| К-т передачи тока при работе в схеме с ОЭ | Uкэ = 10 В, Iк = 2 А,Т = +25 ОС | h21Э | 15 | ||
| Uкэ = 10 В, Iк = 2 А,Т = -60 ОС | h21Э | 5 | |||
| Обратный эмиттерный ток | UБЭ = 160 В | IЭБO | 100 | мА | |
| Напряжение насыщения К – Э | IК = 5 А, IБ = 0,5 А | UКЭ нас | 2,5 | В | |
| Напряжение насыщения Б – Э | IК = 5 А, IБ = 0,5 А | UБЭ нас | 1,5 | В | |
| Обратный кратковременный ток К – Э | RБЭ = 10 Ом, Uкэ = 160 ВТ = +25 ОС | IКЭO и | 60 | мА | |
| Коэффициент передачи тока на высокой частоте | f = 10 МГц, Uкэ = 10 В,Iк = 1 А | IЭБO | 2 | мА |
Применение транзистора КТ807А
Транзистор КТ807А широко применяется в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим хорошим характеристикам. Он может быть использован в качестве ключевого элемента в усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения и других устройствах.
Основное преимущество транзистора КТ807А — высокая мощность, которая составляет до 150 Вт, что позволяет использовать его в мощных устройствах. Благодаря высокому коэффициенту усиления в схеме с транзистором КТ807А можно получить высокую скорость переключения и широкий частотный диапазон работы.
Также транзистор КТ807А обладает высоким значением напряжения коллектор-эмиттер, что позволяет использовать его в схемах с большим напряжением питания. Он также имеет большую рабочую температуру до +150°C, что позволяет использовать его в условиях повышенной нагрузки и температуры.
Цоколевка транзистора КТ807А соответствует стандартной международной системе обозначений, что упрощает его применение в схемах и устройствах. Наиболее часто используется цоколевка TO3.
| Основные характеристики | Значение |
|---|---|
| Максимальная мощность | 150 Вт |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 250 В |
| Максимальная рабочая температура | +150°C |
| Тип корпуса | TO3 |
Характеристики, которые следует учитывать
При выборе аналога транзистора КТ807Б необходимо учитывать ряд характеристик, которые могут влиять на его работу и совместимость с другими элементами электрической схемы.
Тип: При выборе аналога нужно обращать внимание на тип транзистора, так как это определяет его основные характеристики и способ управления.
Максимальное напряжение Vceo: Эта характеристика указывает на максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между коллектором и эмиттером без повреждений.
Максимальный ток коллектора Ic: Эта характеристика указывает на максимальное значение постоянного или пульсирующего тока, который может протекать через коллек
RARE Studio Nova KT382 Summertime Cereal Bowl
Etsy больше не поддерживает старые версии вашего веб-браузера, чтобы обеспечить безопасность пользовательских данных. Пожалуйста, обновите до последней версии.
-
Нажмите, чтобы увеличить
Редкая находка
€21,99
Загрузка
Доступен только 1
Включая НДС (где применимо), плюс стоимость доставки
150 продаж
|
Внесен в список 22 января 2023 г.
Сообщить об этом элементе в Etsy
Выберите причину… С моим заказом возникла проблемаОн использует мою интеллектуальную собственность без разрешенияЯ не думаю, что это соответствует политике EtsyВыберите причину…
Первое, что вы должны сделать, это связаться с продавцом напрямую.
Если вы уже это сделали, ваш товар не прибыл или не соответствует описанию, вы можете сообщить об этом Etsy, открыв кейс.
Сообщить о проблеме с заказом
Мы очень серьезно относимся к вопросам интеллектуальной собственности, но многие из этих проблем могут быть решены непосредственно заинтересованными сторонами. Мы рекомендуем связаться с продавцом напрямую, чтобы уважительно поделиться своими проблемами.
Если вы хотите подать заявление о нарушении прав, вам необходимо выполнить процедуру, описанную в нашей Политике в отношении авторских прав и интеллектуальной собственности.
Посмотрите, как мы определяем ручную работу, винтаж и расходные материалы
Посмотреть список запрещенных предметов и материалов
Ознакомьтесь с нашей политикой в отношении контента для взрослых
не ручной работы
не винтаж (20+ лет)
не ремесленные принадлежности
запрещены или используют запрещенные материалы
неправильно помечен как содержимое для взрослых
Пожалуйста, выберите причину
Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила. Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила.
Влияние температуры на работу КТ807А
Одним из факторов, которые могут влиять на правильную работу транзистора КТ807А, является температура его окружающей среды
Возможность работать при различных температурах является важной характеристикой данного транзистора
Высокие температуры могут привести к повреждению КТ807А или снижению его производительности
Поэтому важно соблюдать температурный режим, указанный в технической документации на данный транзистор
При повышении температуры возможно снижение работоспособности транзистора, а также изменение его электрических параметров. Неконтролируемое повышение температуры может привести к перегреву и выходу транзистора из строя.
Низкие температуры также могут оказывать негативное влияние на работу транзистора. Они могут увеличивать устойчивость к неконтролируемым электрическим параметрам и ухудшать качество усиления сигнала.
Чтобы обеспечить надежную работу КТ807А, необходимо соблюдать рекомендации по теплоотводу, особенно при установке транзистора на радиатор или другую теплоотводящую поверхность. Рекомендуется также применять дополнительные меры охлаждения при работе транзистора в условиях повышенных температур.
Знание и учёт зависимости работы транзистора КТ807А от температуры позволит правильно подбирать и применять данный компонент в различных электронных устройствах.
Технические характеристики транзистора КТ807А: напряжение, ток, мощность
Основные технические характеристики транзистора КТ807А:
Максимальное коллекторное напряжение: 100 В.
Максимальный коллекторный ток: 1,5 А.
Максимальная мощность диссипации: 20 Вт.
Транзистор КТ807А имеет цоколевку TO-3. Он обладает высокими электрическими параметрами, надежностью и стабильностью работы.
С помощью транзистора КТ807А можно построить эффективные усилители мощности для радиоэлектронных устройств различных классов, таких как А, АВ и С.
Использование такого транзистора позволяет получить качественное усиление с низким уровнем искажений и высокой мощностью. Также, благодаря своим характеристикам, транзистор КТ807А может быть применен в схемах драйверов и ключей, где требуется высокая надежность и быстродействие.
Справочный листок по транзисторам КТ203А…В, 2Т203А…Д, КТ203АМ…ВМ:
Электрические
параметры:
| Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА: |
||
| при Т = +25 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 | |
| 2Т203В | 15…100 | |
| 2Т203Г, не менее | 40 | |
| 2Т203Д | 60…200 | |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 | |
| при Т = +125 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…180 | |
| 2Т203В | 15…200 | |
| 2Т203Г, не менее | 40 | |
| 2Т203Д | 60…400 | |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 | |
| при Т = -60 С | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 | |
| 2Т203В, КТ103В, КТ203БМ | 10…100 | |
| 2Т203Г, не менее | 20 | |
| 2Т203Д | 30…200 | |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при UКБ = 5 В, IЭ = 1 мА, не менее: |
||
| 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц | |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: |
||
| при IК = 20 мА, IБ = 4 мА |
2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при IК = 10 мА, IБ = 1 мА |
2Т203Г | 0,5 В |
| при IК = 10 мА, IБ = 1 мА |
2Т203Д | 0,35 В |
| при IК = 20 мА, IБ = 1 мА |
КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Обратный ток коллектора при UКБ = UКБ, макс, не более: |
||
| при Т = +25 С | 1 мкА | |
| при Т = Тмакс | 15 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UКБ = UКБ, макс, не более: |
||
| 1 мкА | ||
| Входное сопротивление в схеме ОБ в режиме малого сигнала при IЭ = 1 мА, не более: |
||
| UКБ = 50 В | 2Т203А, КТ203А, КТ203АМ | 300 Ом |
| UКБ = 30 В | 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 300 Ом |
| UКБ = 15 В | 2Т203В, КТ203В, КТ203ВМ | 300 Ом |
| UКБ = 5 В | 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 5 В, f = 10 МГц, не более: |
||
| 10 пФ |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянное напряжение коллектор — база: |
||
| при Т = -60…+75С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 60 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 30 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 15 В | |
| при Т = +125С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 30 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 15 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 10 В | |
| Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при RБЭ <= 2 кОм: |
||
| при Т = -60…+75С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 60 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 30 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 15 В | |
| при Т = +125С | 2Т203А, 2Т203Г, КТ203А, КТ203АМ | 30 В |
| 2Т203Б, КТ203Б, КТ203БМ | 15 В | |
| 2Т203В, 2Т203Д, КТ203В, КТ203ВМ | 10 В | |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 10 мА | ||
| Импульсный ток коллектора при tимп. <= 10 мкс., Q => 10: |
||
| 50 мА | ||
| Постоянный ток эмиттера |
||
| 10 мА | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: |
||
| при Т = -60…+75С | * при Т > +75С, PК,макс. уменьшается по линейному закону. |
150 мВт |
| при Т = +125С | 60 мВт | |
| Температура p-n перехода |
||
| + 150 С | ||
| Температура окружающей среды |
||
| -60…+125С |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Основные технические характеристики 2n5551
При температуре окружающей среды +25 градусов (°C), транзистор 2n5551 имеет следующие технические значения:
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, для транзистора MMBT5551 корпус SOT-23;
- материал корпуса – пластиковый корпус;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) (Si);
электрические:
- проводимость — обратной проводимости n-p-n;
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс. (Ic max) 600 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс (VCEmax) не более 160 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) U КБ макс. (VCBmax) не более 180 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс. (VЕВ max) не более 6 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 300 МГц (MHz);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.05 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 120 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.05 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 4 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- для ТО-92 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,625 Вт (Watt) или 625 мВт (mW);
- для SOT-23 максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PKмакс. (PC) 0,350 Вт (Watt) или 350 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 55 до +150 °С;
Классификация по hFE
коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) находится в пределах от 80 до 250 hFE, при UКЭ макс. = 5 В (V) и IK макс. = 10 мА (mA).
Возможны небольшие отличия в характеристиках у разных производителей.
Особенности транзистора КТ 807, отличия от аналогов
Основные особенности транзистора КТ 807 включают:
- Высокий коэффициент усиления. КТ 807 обладает высоким значением коэффициента усиления тока, что позволяет эффективно усиливать слабые сигналы и обеспечивает высокую точность передачи информации.
- Высокая мощность. Транзистор КТ 807 способен выдерживать значительные нагрузки, что делает его идеальным выбором для использования в устройствах, требующих высокой мощности.
- Низкое входное сопротивление. КТ 807 обладает низким входным сопротивлением, что позволяет ему легко взаимодействовать с управляющими сигналами и улучшает качество передачи сигнала.
- Стабильность и надежность. Транзистор КТ 807 обладает высокой стабильностью и надежностью работы, что позволяет ему исправно функционировать в широком диапазоне условий эксплуатации.
- Широкий диапазон рабочих температур. КТ 807 может работать в достаточно широком диапазоне рабочих температур, что делает его идеальным выбором для применений, где требуется стабильная работа в различных условиях.
Отличие транзистора КТ 807 от аналогов заключается в его особых характеристиках и способностях, которые делают его более универсальным и эффективным во множестве приложений. КТ 807 может быть использован как усилитель, ключ, стабилизатор, а также в других функциональных блоках электронных устройств.
Благодаря своим уникальным особенностям и применению в разнообразных устройствах, транзистор КТ 807 является незаменимым компонентом многих электронных систем и продолжает быть популярным выбором среди специалистов в области электроники и радиотехники.
BC109 Datasheet (PDF)
..1. bc107 bc108 bc109 4.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..2. bc107 bc108 bc109.pdf Size:49K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.
..3. bc107 bc108 bc109.pdf Size:120K _central
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com
..4. bc107 bc108 bc109 bc147 bc148 bc149.pdf Size:791K _aeg-telefunken
..5. bc107 bc108 bc109 a b c.pdf Size:142K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/CBC108/A/B/CBC109/A/B/CTO-18Metal Can PackageLow Noise General Purpose Audio AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 25 V25VCBOCollector Base Voltage 50 30 V30VEBOEm
..6. bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf Size:228K _microelectronics
..7. bc109.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc General Purpose NPN Small Signal Transistor BC109DESCRIPTIONWith TO-18 package.High DC Current Gain-: h :200-800@ (V = 5V, I = 2mA)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned For Low Noise General Purpose Amplifiers,Driver Stages and Signal Processing ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
0.1. bc107-bc108-bc109.pdf Size:100K _st
BC107BC108-BC109LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC107, BC108 and BC109 are silicon planarepitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver stages, low noise inputstages and signal processing circuits of televisionreceivers. The complementary PNP types are re-spectively the BC177, BC178 and BC179.TO-18INTERNAL SCHEMATI
0.2. bc109dcsm.pdf Size:155K _semelab
SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR BC109DCSM Dual Silicon Planar NPN Transistors Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector Base Vol
Электрические характеристики транзистора КТ807
Ниже приведены основные электрические характеристики транзистора КТ807:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | 160 В |
| Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 В |
| Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 В |
| Максимальный коллекторный ток (IC) | 7 А |
| Максимальный базовый ток (IB) | 1 А |
| Максимальная мощность потерь (PD) | 90 Вт |
| Максимальная рабочая частота (fT) | 25 МГц |
Данные рекомендуемые значения характеристик позволяют эффективно использовать транзистор КТ807 в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, стабилизаторы напряжения и импульсные источники питания.