Аналоги
Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 0,6 | 1,5 | 8…15 | — | 10…100 | TO-3 | 0,2 / 3,5 / 0,6 |
| КТ840Б | 750 | 350 | 5 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 5 | — | |||||||||
| КТ841А | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 2,2 | 10…25 | 300 | 12…45 | TO-3 | 0,08 / 0,8 / 0,5 |
| КТ841Е | 800 | 400 | |||||||||||
| КТ841Д | 500 | 400 | |||||||||||
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10 / 15 | 150 | 2 | — | 10 | — | 20 | TO-220AB | — |
| 2Т856А | 125 | — | 950 | 5 | 10 / 12 | — | 1,5 | — | — | — | 10…60 | TO-3 | — / — / 0,5 |
| 2Т856Б | — | 750 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856В | — | 550 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856Г | — | 850 | — | — | — | — | |||||||
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 / 10 | 150 | 1 | 1,2 | — | — | 10 | TO-220AB | — / 2,5 / 0,75 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 / 4 | 150 | 1,5 | 1,4 | — | — | 10 | TO-220AB | 0,35 / 3,5 / 0,35 |
| КТ862В | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 1,6 | 20…30 | 250 | 12…50 | TO-3 | 0,4 / 2 / 0,5 |
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 1,5 | — | 8 | — | 10…100 | TO-3 | — |
| КТ868Б | 750 | 375 | 6 / 8 | 150 | — | — | — | ||||||
| КТ8110 | 60 | 500 | 500 | 7 | 7 / 14 | 175 | 0,8 | 1,5 | — | — | 15…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,7 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC3158 | 60 | 500 | 400 | 7 | 7 | — | 1 | 1,2 | — | — | 20 | TO-220F | 1 / 2,5 / 1 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 1 | 1,5 | 20 | — | 100 | TO-220 | 0,5 / 2 / 0,2 |
| 2SC4105 | 40 | 500 | 400 | 7 | 4 / 8 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 50 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4107 | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 / 20 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 120 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4108 | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 / 25 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 160 | 10…50 | TO-3PB | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4109 | 140 | 500 | 400 | 7 | 16 / 32 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 230 | 10…50 | TO-3PN | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 1 | 1,5 | — | — | 25 | TO-220 ٭ | 1 / — / 1 |
| SGSD00020 | 70 | 650 | 400 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | 1000 | TO-220 | — |
| SGSF341 | 85 | 850 | 400 | — | 10 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF343 | 85 | 1000 | 450 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF344 | 85 | 1200 | 600 | 7 | 7 | 175 | 1,5 | 1,5 | — | — | — | TO-220 | 1,2 / 3,5 / 0,4 |
| SM2175 | 60 | — | 400 | — | 15 | 200 | — | — | 20 | — | 200 | TO-220 | — |
| BUL128 | 70 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…40 | TO-220 | — / 3 / 0,4 |
| BUL128B-D | 70 | 700 | 400 | 9…18 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…32 | TO-220 | — / 0,6 / 0,1 |
| BUL128DR7 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220 | — / 4 / 0,8 |
| BUL128DR8 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220F | — / 4 / 0,8 |
| BUL128FP | 31 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…45 | TO-220FP | — / 2,9 / 0,4 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Применение транзистора КТ601А
Транзистор КТ601А широко используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или усиление сигнала.
Основные области применения транзистора КТ601А включают:
| Область применения | Описание |
|---|---|
| Радиоприемники | Транзистор КТ601А может использоваться в микросхемах радиоприемников для усиления слабого радиосигнала и обеспечения более высокой громкости звука. |
| Биполярные источники питания | Транзистор КТ601А может быть использован в источниках питания для управления потоком тока и обеспечения стабильного напряжения на выходе. |
| Аудиоусилители | Транзистор КТ601А применяется в аудиоусилителях для усиления аудиосигнала, что позволяет повысить громкость звука и улучшить качество воспроизведения. |
| Светодиодные драйверы | Транзистор КТ601А может использоваться в схемах светодиодных драйверов для управления яркостью светодиодов и обеспечения стабильного светового эффекта. |
| Регуляторы скорости двигателей | Транзистор КТ601А может быть применен в схемах регуляторов скорости двигателей для управления потоком тока и регулировки скорости вращения. |
| Датчики температуры | Транзистор КТ601А могут использоваться в датчиках температуры для измерения и контроля температуры в различных устройствах. |
Транзистор КТ601А благодаря своим характеристикам и надежности широко применяется в различных областях электроники и может быть использован в самых разных схемах и устройствах.
Цветовая маркировка диодов в корпусах SOD-80
Корпус SOD-80, известный также как MELF, представляет из себя маленький стеклянный цилиндр с металлическими выводами. Примеры маркировки диодов.
Маркировка 2Y4 к 75Y (E24 серия) BZV49 1W кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V) Маркировка C2V4 к C75 (E24 серия) BZV55 500mW кремниевый стабилитрон (2.4 – 75V)
Катодный вывод помечен цветным кольцом.
Маркировка приборов цветными кольцами.
| Вывод катода | Прибор |
| Черный (Black) | BAS32, BAS45, BAV105 LL4148, 50, 51,53, LL4448 BB241,BB249 |
| Черный и кочичневый (Black Brown) | LL4148, LL914 |
| Черный и оранжевый (Black Orange) | LL4150, BB219 |
| Коричневый и зеленый (Brown Green) | LL300 |
| Коричневый и черный (Brown Black) | LL4448 |
| Красный (Red) | BA682 |
| Красный и оранжевый (Red Orange) | BA683 |
| Красный и зеленый (Red Green) | BA423L |
| Красный и белый (Red White) | LL600 |
| Оранжевый и желтый (Orange Yellow) | LL3595 |
| Желтый (Yellow) | BZV55,BZV80,BZV81 series zeners |
| Зеленый (Green) | BAV105, BB240 |
| Зеленый и черный (Green Black) | BAV100 |
| Зеленый и кочичневый (Green Brown) | BAV101 |
| Зеленый и красный (Green Red) | BAV102 |
| Зеленыый и оранжевый (Green Orange) | BAV103 |
| Серый (Gray) | BAS81, 82, 83, 85, 86 |
| Белый (White) | BB219 |
| Белый и зеленый (White Green) | BB215 |
Принцип работы стабилитрона
Рассмотрим принцип работы стабилитрона на примере схемы его включения и вольт-амперной характеристике. Для выполнения своей основной функции стабилитрон VD соединяется последовательно с резистором Rб и вместе они подключаются к источнику входного нестабилизированного напряжения Uвх. Уже стабилизированное выходное напряжение Uвых снимается только с выводов 2, 3 VD. Поэтому нагрузка Rн подключается к соответствующим точкам 2 и 3. Как видно из схемы, VD и Rб образуют делитель напряжения. Только сопротивление стабилитрон имеет не постоянно значение и называется динамическим, поскольку зависит от величины электрического тока, протекающего через полупроводниковый прибор.
Величина напряжения Uвх, подаваемого на стабилитрон с резисторов должна быть выше на минимум на пару вольт выходного напряжения Uвых, в противном случае полупроводниковый прибор VD не откроется и не сможет выполнять свою основную функцию.
Допустим, в какой-то произвольный момент времени на выходах 1 и 3 значение Uвх начало возрастать. В схеме начнут протекать следующие процессы. С ростом напряжения согласно закону Ома начнет возрастать ток, назовем его входным током Iвх. С увеличением ток возрастет падение напряжения на резисторе Rб, а на VD она останется неизменным (это будет пояснено далее на характеристике), поэтому и Uвых останется на прежнем уровне. Следовательно, прирост входного напряжения упадет или погасится на резисторе Rб. Поэтому Rб называют гасящим или балластным.
Теперь, допустим, изменилась нагрузка, например, снизилось сопротивление Rн, соответственно возрастет и ток Iн. В этом случае снизится ток, протекающий стабилитрон Iст, а Iвх останется практически без изменений.
Идея
На рисунке представлена принципиальная схема усилителя. Микросхема IC1 управляется операционным усилителем IC3. На микросхеме IC2 собран источник постоянного тока, величина которого определяется номиналом резистора R9 и рассчитывается по формуле: I=1.25/R9.
Резисторы R11 и R10 образуют цепь отрицательной обратной связи и определяют коэффициент усиления. Благодаря этой цепи компенсируется напряжение смещения в 1,25 В и на выходе поддерживается нулевое напряжение.
Краткое резюме: две микросхемы LM317, один ОУ и три резистора — вот всё, что необходимо для построения простого усилителя класса А. И кстати, заметим для аудиофилов — в тракте нет ни одного конденсатора!
Немного подробнее о модуле и принципе его работы
Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.
Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.
Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 7. Графики изменений временных параметров ton, ts, tf при изменении коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания UCC = 200 В и соотношении токов: IC = 5IB1 = -2,5IB2, (tstg = ts).
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса Tc = 25°C. Ограничения:
— по току коллектора для постоянного тока — IC (режим DC OPERATION), для однократного импульса — ICP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;
— по напряжению UCEO = 400 В;
— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).
Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер UCE(sus) = 500 В.
Характеристика снята при температуре корпуса Tc = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы IB2 = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).
Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды Ta.
Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).
Транзисторы в корпусе типа КТ-26
Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б – желтая, В – темно-зеленая, Г – голубая, Д – синяя, Е – белая, Ж – темно-коричневая, И – серебристая, К – оранжевая, Л – светло-табачная, М – серая.
Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.
- КТ203 соответствует прямоугольный треугольник (катетами вниз и вправо) либо темно-красная точка.
- КТ208 – маленький круг (для этого типа цветовой маркировки нет).
- К209 – ромб (серая точка).
- К313 – символ, напоминающий перевернутую букву Т (оранжевая точка).
- КТ326 – перевернутый равносторонний треугольник (коричневая точка).
- КТ339 – равносторонний треугольник (голубая точка).
- КТ342 – четверть круга (синяя точка).
- КТ502 – полкруга (желтая точка); КТ503 – круг (белая точка).
- КТ3102 – прямоугольный треугольник катетами вверх и влево (темно-зеленая точка).
- КТ3157 – прямоугольный треугольник катетами влево и вниз (цветового обозначения нет).
- К366 – буква Т (цвета нет).
- КТ6127 – перевернутая буква П.
- КТ632 – символьного обозначения нет (серебристая точка).
- КТ638 – без символа (оранжевая точка).
- КТ680 – буква Г.
- КТ681 – вертикальная палочка.
- КТ698 – буква П.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
| выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
| 2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
| 3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
| 4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
| 6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
| > 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
| Название | Расшифровка | кол-во выводов |
| SOT | small outline transistor | 3 |
| SOD | small outline diode | 2 |
| SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
| TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
| SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
| TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
| QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
| VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
| PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
| LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
| BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
| LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
| CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
| CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
| μBGA | микро BGA | массив выводов |
| FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
| LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Литература по электронике
Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:
- Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
- Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
- Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .
В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.
Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются
В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники
Источники
- https://habr.com/ru/post/133136/
- https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
- https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
- https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
- https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
- https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
- https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/
КТ601А транзистор: подробное описание и рекомендации
Транзистор КТ601А имеет цоколь TO-92 и состоит из трех основных областей: эмиттера, базы и коллектора. Данный транзистор относится к типу NPN, что означает, что ток проходит от эмиттера к коллектору, когда базовый ток подается на базу.
Основные характеристики транзистора КТ601А:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальный коллекторный ток: 1 А
- Максимальная мощность: 400 мВт
- Ток базы: 300 мА
- Коэффициент усиления тока: в диапазоне от 60 до 180
КТ601А используется в различных электронных схемах, включая усилители, генераторы, высокочастотные устройства, различные ключевые и переключающие схемы, автоматические регуляторы, стабилизаторы и многие другие электронные устройства.
При выборе транзистора КТ601А для конкретной схемы необходимо учесть его технические характеристики, чтобы он соответствовал требуемым параметрам электрической схемы
Также рекомендуется обратить внимание на качество и надежность производителя транзистора
Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.
У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.
Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.
Применение транзистора КТ601А
Транзистор КТ601А используется в различных электронных схемах и устройствах, где требуется усиление или переключение сигнала. Его широкий диапазон рабочих параметров и высокая надежность делают его востребованным во многих областях электроники.
Основные области применения транзистора КТ601А:
- Аудиоусилители. КТ601А используется в усилителях звукового сигнала, как в небольших hi-fi системах, так и в профессиональном звуковом оборудовании.
- Телевизионная техника. Транзистор КТ601А может быть использован в блоках горизонтальной развертки, управлении яркостью и контрастом.
- Радиоприемники. Наличие высокой частоты переключения позволяет использовать транзистор КТ601А в схемах радиоприемников.
- Светодиодные драйверы. Благодаря высокой надежности и малому потреблению энергии, транзистор КТ601А может быть использован в схемах управления светодиодами.
- Импульсные исправители. Транзистор КТ601А способен выдержать большие токи и имеет низкое сопротивление, что делает его идеальным для использования в импульсных исправителях.
Транзистор КТ601А имеет многообластное применение в различных сферах электроники. Благодаря своим характеристикам и функциональным возможностям, он является незаменимым элементом во многих современных устройствах.