Транзистор КТ502Г — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Цоколевка транзисторов КТ502 и КТ503

Транзисторы КТ502 и КТ503 принадлежат к серии КТ, которая представляет собой низкочастотные пластмассовые биполярные кремниевые двухполосные транзисторы. Они имеют широкое применение в различных электронных устройствах.

Цоколевка этих транзисторов КТ502 и КТ503 соответствует стандартной цоколевке транзисторов серии КТ. Они имеют три вывода, помеченные буквами B, C и E. B обозначает базу, C — коллектор, а E — эмиттер.

Особенностью цоколевки транзисторов КТ502 и КТ503 является ее универсальность, то есть эти транзисторы могут быть установлены на одну и ту же печатную плату, имея различные функции. Например, можно установить КТ502 как усилитель, а КТ503 как ключ или инвертор.

Для правильной установки и обозначения цоколевки транзисторов КТ502 и КТ503 необходимо обратить внимание на их маркировку и документацию, в которой указано соответствие выводов и их функции. Следуя указаниям документации, можно легко и правильно установить эти транзисторы и обеспечить их надежное функционирование

Таким образом, цоколевка транзисторов КТ502 и КТ503 соответствует общепринятой цоколевке транзисторов КТ и позволяет их гибкую установку и применение в различных электронных устройствах.

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.15 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ502А, 2Т502А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Б, 2Т502Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502В, 2Т502В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Г, 2Т502Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502Д, 2Т502Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Е, 2Т502Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 90 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

1

2

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Усилитель на полевом транзисторе. FET, MOSFET. Звуковая, низкая частот…
Применение полевых транзисторов в низкочастотных усилителях….

Резонансный инвертор, преобразователь напряжения повышающий. Принцип р…
Сборка и наладка повышающего преобразователя напряжения. Описание принципа работ…

Операционные усилители К544УД1, К544УД1A, К544УД1Б, 544УД1, 544УД1A, 5…
Характеристики и применение операционных усилителей 544УД1. Распиновка…

Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать…
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов…

Качественный усилитель мощности звуковой, низкой частоты, звука, нч. В…
Качество усилителей звуковой частоты. Обзор, схемы….

ШИМ, PWM контроллер. Схема. Микросхема. Принцип работы. Описание, выво…
ШИМ контроллер описание принципа работы….

Микроконтроллеры. Области применения. Преимущества. Особенности. Новые…
Для чего применяют микро-контроллеры? В чем преимущества использования? …

Стабилизация тока. Двухполюсный стабилизатор, источник, генератор. Пре…
Двухполюсный источник тока. Преобразователь напряжение — ток. Схема, расчет
…

Применение КТ502 транзистора в электронике и промышленности

Одно из основных применений транзистора КТ502 – это использование его в усилительных схемах. Благодаря высокой частотной характеристике, он позволяет увеличить сигнал и обеспечить надежное усиление звука или других сигналов. КТ502 также может применяться в цифровых схемах как ключевой элемент для переключения сигналов между уровнями логики «0» и «1».

Транзисторы КТ502 также находят широкое применение в электроприборах и устройствах автоматизации. Они могут использоваться для управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели и лампы накаливания. Благодаря малым размерам и высокой надежности КТ502, он может быть установлен в различных устройствах с ограниченным пространством.

Также КТ502 транзистор может применяться в промышленных установках, где требуется высокая стабильность и надежность работы. Он может использоваться для управления переключением энергии в больших мощностях и обеспечения безопасности и контроля процессов в промышленной автоматике.

В целом, КТ502 транзистор является важным элементом в современной электронике и промышленности. Его высокие характеристики и широкий спектр применения делают его незаменимым компонентом для создания различных устройств и систем.

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:

1. Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
2. Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
3. Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

1. «Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
2. «Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
3. На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

BD243C аналог BD243C и TIP41CG

150℃

Материал — Silicon Silicon
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания — — 3 MHz
Длина — 10.4 mm 10.28 mm
Ширина — 4.6 mm 4.83 mm
Высота — 9.15 mm 15.75 mm
Стиль Монтажа Through Hole Through Hole Through Hole
Упаковка — Tube Tube
REACH SVHC Комплаенс No SVHC No SVHC No SVHC
Бессвинцовая Статус Lead Free Lead Free Lead Free
RoHS Комплаенс Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
Жизненный Цикл Продукта — Not Recommended for New Designs Active
Рассеиваемая Мощность (Макс) — 65000 mW 2000 mW
Рабочая температура (мин) — -65 ℃ -65 ℃
Транзисторная полярность NPN NPN NPN
REACH SVHC Compliance Edition 2016/06/20 2015/12/17 2015/12/17
Усиление постоянного тока (hFE) 15 30 3
Максимальная входная мощность — 65 W 2 W
Рабочая температура (Макс) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
Automative Application — — Yes
Industrial Application — — Yes
Справочная цена（ ） $ 0.339Все цены (3 позиции)$ 0.211Все цены (9 позиции)$ 0.259Все цены (15 позиции)

Коммутационный транзистор

Сборка транзистора для переключения

Мы называем операцию «все или ничего», режим работы транзистора, при котором транзистор либо блокируется, либо пропускается током, достаточно большим для его насыщения (то есть сниженного до уровня менее 1  В ). На рисунке напротив, когда переключатель Int разомкнут, он равен нулю, следовательно, равен нулю и (точка B на характеристиках транзистора). С другой стороны, когда мы закрываем Int, в базе циркулирует ток . Таким образом, транзистор будет пытаться поглотить ток коллектора, равный . Однако обычно нагрузка R _L выбирается так, чтобы она ограничивалась значением, меньшим, чем обычно . Затем транзистор насыщается (точка А на характеристиках).
Vпротиве{\ displaystyle V_ {ce}}яб{\ displaystyle I_ {b}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}Vпротивзнак равноUпротивпротив{\ displaystyle V_ {c} = Ucc}(Uпротивпротив-Vбе)рB{\ displaystyle (Ucc-V_ {be}) / R_ {B}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}βяб{\ displaystyle \ beta \, I_ {b}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}βяб{\ displaystyle \ beta \, I_ {b}}10яб{\ displaystyle 10I_ {b}}

Мощность, рассеиваемая на транзисторе

Мощность, рассеиваемая в транзисторе, может быть рассчитана по формуле:

пзнак равно(Vпротивеяпротив+Vбеяб){\ Displaystyle P = (V_ {ce} \, Ic + V_ {be} \, I_ {b}) \,}

Vпротиве{\ displaystyle V_ {ce}}, , , Были определены выше, RC является цикл, то есть, доля времени , в течение которого транзистор является проводящим. В режиме переключения мощность, рассеиваемая в транзисторе, намного ниже, чем рассеиваемая в нагрузке. Действительно, когда транзистор заблокирован, и они равны нулю и, следовательно, P равно 0; а когда транзистор проводит, может быть высоким (до нескольких ампер для силовых транзисторов), но низким — это напряжение насыщения (от 0,2 до 1  В ). Мощность, рассеиваемая в нагрузке, стоит
Vбе{\ displaystyle V_ {be}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}яб{\ displaystyle I_ {b}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}яб{\ displaystyle I_ {b}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}Vпротиве{\ displaystyle V_ {ce}}

пзнак равно((Uпротивпротив-Vпротиве)япротив){\ Displaystyle P = ((U_ {cc} -V_ {ce}) \, I_ {c}) \,}

где — напряжение питания.
Uпротивпротив{\ displaystyle U_ {cc}}

Приложения

Операция «все или ничего» часто используется для управления такими нагрузками, как:

• лампы накаливания; лампы должны использоваться с номинальным напряжением, равным или немного большим, чем Ucc (когда на лампу подается напряжение ниже номинального, она горит меньше, но ее срок службы увеличивается);
• Светодиод или LED; в этом случае диод устанавливается последовательно с R _L , последний служит для ограничения тока в диоде; напряжение на выводах светодиода варьируется от 1,5 до 3,6  В в зависимости от протекающего через него тока и его цвета (что зависит от материала, из которого он изготовлен);
• катушка реле  : номинальное напряжение катушки реле будет выбрано равным  ; параллельно катушке , к которой подключен катод, необходимо поставить диод  ; диод защитит транзистор, предотвратив появление значительного перенапряжения при его отключении.Uпротивпротив{\ displaystyle U_ {cc}}Uпротивпротив{\ displaystyle U_ {cc}}япротив{\ displaystyle I_ {c}}

Пример

Представьте себе лампочку мощностью 12  Вт, которой мы хотим управлять. Мы выбираем источник питания 12  V , и транзистор , способный поддерживать ток лампы, или 1  A .
Uпротивпротив{\ displaystyle U_ {cc}}

Сопротивление базы будет рассчитано, чтобы обеспечить базу током I / 10 или 100  мА . Следовательно, R _B будет равно 12/100 × 10 -3 = 120  Ом . Мощность, рассеиваемая транзистором в проводящем состоянии, равна 0,2 × 1 + 0,75 × 100 × 10 -3 = 275  мВт . Типичные значения здесь принимаются насыщения 0,2  V и насыщения 0,75  V .
Vпротиве{\ displaystyle V_ {ce}}Vбе{\ displaystyle V_ {be}}

Отметим, что здесь, в отличие от ситуации, когда транзистор не насыщен, мощность, связанная с током базы, больше не является незначительной по сравнению с мощностью, связанной с током коллектора. Это связано с тем, что во время насыщения напряжение коллектор-эмиттер очень низкое.

Примечание: когда лампа включена, ее нить холодная, а ее сопротивление намного ниже, чем ее сопротивление в горячем состоянии; следовательно, ток, циркулирующий в лампочке и, следовательно, в транзисторе сразу после зажигания, намного выше, чем 1  А, который циркулирует, когда нить накаливания нагревается; поэтому необходимо выбрать транзистор, способный принимать этот пик тока при зажигании.

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.15 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ502А, 2Т502А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Б, 2Т502Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502В, 2Т502В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Г, 2Т502Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502Д, 2Т502Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Е, 2Т502Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 90 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

1

2

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Усилитель на полевом транзисторе. FET, MOSFET. Звуковая, низкая частот…
Применение полевых транзисторов в низкочастотных усилителях….

Операционные усилители К544УД1, К544УД1A, К544УД1Б, 544УД1, 544УД1A, 5…
Характеристики и применение операционных усилителей 544УД1. Распиновка…

Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать…
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов…

Транзисторный силовой ключ. Биполярный транзистор. Ключевой режим. Рас…
Биполярный транзистор в ключевом режиме. Схема. Расчет….

Резонансный инвертор, преобразователь напряжения повышающий. Принцип р…
Сборка и наладка повышающего преобразователя напряжения. Описание принципа работ…

Светомузыка, светомузыкальная приставка своими руками. Схема, конструк…
Как самому собрать свето-музыку. Оригинальная конструкция свето-музыкальной сист…

Импульсный источник питания светодиода светодиодного фонаря, светильни…
Схема импульсного источника питания ярких светодиодов….

Качественный усилитель мощности звуковой, низкой частоты, звука, нч. В…
Качество усилителей звуковой частоты. Обзор, схемы….

Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

№1 — Эмиттер

№2 — База

№3 — Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_П = 25° C:

• КТ502А — 25 В
• КТ502Б — 25 В
• КТ502В — 40 В
• КТ502Г — 40 В
• КТ502Д — 60 В
• КТ502Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т_П = 25° C:

• КТ502А — 40 В
• КТ502Б — 40 В
• КТ502В — 60 В
• КТ502Г — 60 В
• КТ502Д — 80 В
• КТ502Е — 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_П = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{К max}) при Т = 25° C:

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —

(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ502 при Т_П = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при (U_КЭ) 5 В, (I_Э) 10 мА:

• КТ502А — 40 — 120
• КТ502Б — 80 — 240
• КТ502В — 40 — 120
• КТ502Г — 80 — 240
• КТ502Д — 40 — 120
• КТ502Е — 40 — 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U_{КЭ нас}):

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц

if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }

window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});

window.addEventListener(«load», () => {

var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);

Емкость коллекторного перехода (C_К)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (C_Э)

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (R_{Т п-с})

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020

Распиновка

Цоколевку контактных ножек КТ361 на транзисторе можно определить, если разместить его маркировкой к себе. Слева на право:

1. Эмиттер (Э);
2. Коллектор (К);
3. База (Б).

В первичном варианте, производимом с 1971 года, подразумевает наличие пластикового корпуса типа КТ-13 Затем была изменена технология и стали использовать КТ-26, что является отечественным аналогом зарубежного ТО-92. Масса транзистора – не более 0,3 г.

Устройства КТ361 и КТ315 производятся в одинаковых корпусах, внешне отличить КТ-13 не всегда удается. Маркировка на изделии может быть указана в полном формате – тогда идентификация произойдет без проблем. Если ее нет – придется различать, каким образом нанесено обозначение. У КТ361 буква прописана по центру рядом с двумя мелкими черточками. На КТ315 она же находится в левом верхнем углу. Точнее понять, с каким конкретно устройством приходится работать, можно при помощи прозвонки вывода базы.

Цоколевка транзисторов КТ502, КТ503

Транзисторы КТ502 и КТ503 относятся к классу полевых транзисторов и имеют схожую цоколевку. Они имеют три вывода, которые обозначаются как коллектор (C), эмиттер (E) и база (B).

Расположение выводов на корпусе транзисторов КТ502 и КТ503 выглядит следующим образом:

• Коллектор (C) — наибольший вывод, расположенный по центру;
• Эмиттер (E) — средний вывод, расположенный справа от коллектора;
• База (B) — наименьший вывод, расположенный слева от коллектора.

Цоколевка транзисторов КТ502 и КТ503 соответствует стандартному обозначению цоколевки транзисторов, установленному в индустрии.

Эта цоколевка позволяет легко ориентироваться при монтаже и подключении транзисторов КТ502 и КТ503 на печатную плату или в соответствующую электрическую схему.

Характеристики

Транзисторы КТ361 отличаются друг от друга по силовым группам и параметрами, но имеют почти одинаковые максимальные характеристики:

• Предельная частота передачи тока – 250 МГц. С этим параметром не все однозначно, так как в некоторой документации на графиках он достигает 1Ггц, если ток коллектора равен 20 мА;
• Коэффициент передачи тока – от 20 до 90. У транзисторов с буквенной маркировкой Б, Г, Е, Ж – от 50 до 350. У В – от 40 до 160. У И – более 250;
• Предельное напряжение на участке К-Э таже отличается в зависимости от букв после названия транзистора. А – 25 в, Б – 20 в, Ж – 10 в, В и Д – 40 в, Г и Е – 35 в, И – 60 в;
• Максимальный ток на коллекторе – 50 мА;
• Рассеиваемая мощность К – 150 мВт;
• Обратный ток К: если напряжение на участке К-Ю достигает 10 в – до 1 мкА, при учете, что температура среды – от +25 до -70°C и до 25 мкА, если температура повысится до +100°C;
• Ёмкость перехода К – если частота равна 10 мГц и напряжение на участке К-Б 10 в: у транзисторов с буквами А и Б – 9 пФ, у В, Г, Д и Е – 7 пФ;
• Обратный ток К-Э при сопротивлении Э-Б 10 кОм – до 1 мкА.

Из-за специфики основной технологии производства КТ361, он вышел не настолько удачным, как его комплементарный брат КТ315. Среди основных минусов можно выделить:

• Значительный разброс параметров Н21Э;
• Вдвое меньший максимальной разрешенный ток К;
• Непредсказуемо проявляющиеся или исчезающие шумы.

В паре эти транзисторы могут эффективно использоваться при IK около 20-30 мА, так как в этом случае у них Н21Э окажется предельным. В итоге, альтернативное решение транзистору приходится искать не редко. В большинстве это зависит от схемы и назначения.

КТ502 транзистор: особенности, характеристики, применение

Основные характеристики КТ502:

• Максимальная коллектор-эмиттерная обратная напряжение: 45 В
• Максимальный коллекторный ток: 0.05 А
• Максимальная мощность потери: 0.15 Вт
• Коэффициент усиления по току (β): от 40 до 400
• Частота переключения: 40 МГц

КТ502 имеет типичную цоколевку TO-92, что облегчает его монтаж и подключение в схемы. Транзистор обладает низкими тепловыми характеристиками и может работать в широком диапазоне температур от -65°C до +150°C.

Применение КТ502:

1. Усилители низкой частоты: благодаря высокому коэффициенту усиления по току и малой мощности потери, КТ502 транзисторы широко используются в усилительных схемах для усиления слабых сигналов и передачи звуковой информации.
2. Стабилизаторы напряжения: благодаря своим электрическим характеристикам и возможности переключаться на высокой частоте, КТ502 транзисторы применяются в стабилизаторах напряжения для обеспечения стабильного выходного напряжения.
3. Модуляторы: благодаря своей высокой частоте переключения, КТ502 транзисторы используются в модуляторах для генерации и модулирования радиочастотных сигналов.

КТ502 транзистор – это надежное и универсальное устройство, которое широко используется в различных электронных схемах и обеспечивает стабильную работу устройств.

Основные характеристики КТ502 транзистора

• Максимальная коллектор-эмиттерная обратная напряженность: 60 В;
• Максимальный коллекторный ток: 100 мА;
• Максимальная мощность рассеяния: 0,15 Вт;
• Коэффициент усиления по току: 20-200;
• Предельная частота усиления: 300 МГц;
• Тип корпуса: TO-92;
• Конфигурация выводов: эмиттер, коллектор, база.

КТ502 часто применяется в радио и аудио устройствах, таких как радиоприемники, стереоусилители, усилители для гитары и других аудио устройствах низкой частоты. Его высокая надежность, маленький размер и низкое энергопотребление делают его популярным выбором для многих электронных приложений.

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.