Альтернативы и замены
Чтобы заменить транзистор КП501А, можно воспользоваться следующими альтернативами:
1. Транзистор КТ361А. Данный транзистор имеет аналогичные параметры и характеристики, что позволяет его использовать вместо КП501А.
2. Транзистор КТ368А. Этот транзистор обладает совместимыми электрическими параметрами и может быть использован вместо КП501А.
3. Транзистор КТ315А. Также является альтернативой для КП501А благодаря схожим электрическим характеристикам.
Однако перед заменой транзистора, необходимо убедиться, что аналог имеет такие же электрические параметры и может быть использован в данной схеме
Также стоит обратить внимание на максимальные рабочие значения напряжений и токов, чтобы избежать повреждения электронных компонентов
Особенности полевого транзистора КП501
- Одним из главных преимуществ полевого транзистора КП501 является его высокая надежность и долговечность. Благодаря используемым материалам и технологиям производства, транзистор обладает стабильной работой в широком температурном диапазоне.
- Транзистор КП501 обладает низким уровнем шума, что позволяет использовать его в чувствительных электронных устройствах, где точность и качество сигнала являются важными параметрами.
- Высокое быстродействие является еще одной отличительной особенностью полевого транзистора КП501. Малое время отклика позволяет использовать транзистор в высокочастотных устройствах, таких как радиоаппаратура и телекомуникационное оборудование.
- Транзистор КП501 обладает малыми габаритами, что позволяет его устанавливать в компактных электронных устройствах, где место на плате имеет большую ценность.
- Энергоэффективность является еще одним важным преимуществом полевого транзистора КП501. Благодаря низкому потреблению энергии, он позволяет увеличить срок работы устройств, работающих от аккумуляторов или батарей.
- Полевой транзистор КП501 обладает широким диапазоном рабочих температур, что позволяет использовать его в различных климатических условиях и средах с агрессивной атмосферой.
Выбор замены на основе требований
При выборе замены для транзистора КП501А, следует учитывать требования, предъявляемые к заменяемому элементу
Важно учитывать как электрические, так и механические характеристики
Одним из наиболее важных параметров является тип и структура транзистора. Для замены КП501А могут подойти следующие альтернативные транзисторы:
- КТ502А
- КТ504А
- КТ508А
Вопросом большой важности является максимально допустимое напряжение на коллекторе (или вентиле). В зависимости от требований, могут потребоваться транзисторы с разными рабочими напряжениями, например:
- КТ502А — рабочее напряжение на коллекторе 40 В
- КТ504А — рабочее напряжение на коллекторе 60 В
- КТ508А — рабочее напряжение на коллекторе 100 В
Также следует обратить внимание на параметры максимальных допустимых токов и мощностей, а также на данные о коэффициентах усиления. Помимо характеристик транзистора, важными могут быть и механические параметры
Например, форма корпуса или расположение выводов. Необходимо учитывать совместимость заменяемого элемента с монтажными платами и проводами
Помимо характеристик транзистора, важными могут быть и механические параметры. Например, форма корпуса или расположение выводов. Необходимо учитывать совместимость заменяемого элемента с монтажными платами и проводами.
Важно отметить, что при выборе замены следует обратиться к документации и спецификациям каждого конкретного транзистора, чтобы убедиться, что он полностью соответствует требованиям и задачам
Распиновка
Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.
На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.
Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:
Электрические
параметры:
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ: |
||
| при UКЭ = 1 В, IК = 30 мА |
КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л | 20…60 |
| КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М | 40…120 | |
| КТ501В, КТ501Е, КТ501К | 80…240 | |
| при UКЭ = 1 В, IК, имп. = 0,5 мА |
не менее | 6 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при UКЭ = 5 В, IК = 10 мА: |
||
| не менее | 5 МГц | |
| Коэффициент шума при UКБ = 3 В, IК = 0,2 мА, RГ = 3 кОм, f = 1 кГц |
||
| не более | 4 дБ | |
| типовое значение | 2 дБ | |
| Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более: |
||
| при IК = 0,3 А, IБ = 0,06 А |
0,4 В | |
| при IК = 0,5 А, IБ = 0,1 А |
0,7 В | |
| Напряжение насыщения база — эмиттер при IК = 0,3 А, IБ = 0,06 А: |
||
| не более | 1, 5 В | |
| Обратный ток коллектор — эмиттер, при UКЭ R = UКЭ R, макс., RБЭ = 10 кОм: |
||
| не более | 1 мкА | |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ = UБЭ, макс.: |
||
| не более | 1 мкА | |
| Емкость коллекторного перехода при UКБ = 10 В, f = 500 кГц: |
||
| не более | 50 пФ | |
| Емкость эмиттерного перехода при UБЭ = 0,5 В, f = 500 кГц: |
||
| не более | 100 пФ |
Предельные
эксплуатационные данные:
| Постоянные напряжения напряжение коллектор — база и коллектор — эмиттер: |
||
| при RБЭ <= 10 кОм, Т = +25…+125 С: |
КТ501А, КТ501Б, КТ501В | 15 В |
| КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е | 30 В | |
| КТ501Ж, КТ501И, КТ501К | 45 В | |
| КТ501Л, КТ501М | 60 В | |
| Постоянное напряжение база — эмиттер: |
||
| при Т = -60…+125 С: | КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е |
10 В |
| при Т = +25…+125 С: | КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М | 20 В |
| Постоянный ток коллектора: |
||
| 0,3 А | ||
| Импульсный ток коллектора: |
||
| 0,5 А | ||
| Постоянный ток базы: | ||
| 0,1 А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при T <= -60…+35С: |
||
| 0,35 Вт | ||
| Температура p-n перехода: |
||
| +150 С | ||
| Температура окружающей среды: |
||
| -60…+125 С | ||
| При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. Расстояние от места сгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм с радиусом закругления 1,5…2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора. |
Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач.
И первая на очереди – входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора – выходной! Выходная характеристика – это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const. I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения – изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно – при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta, несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше!
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу – навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора!
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды! Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Зарубежные прототипы
- КТ815Б — BD135
- КТ815В — BD137
- КТ815Г — BD139
14 thoughts on “ КТ815 параметры ”
Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше
Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования
Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши
Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.
Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.
Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».
На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм
Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.
Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…
Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.
Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).
По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы