Irlz24n параметры полевого транзистора n-канального. справочник транзисторов паратран

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

с управляющим переходом;
с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Вам это будет интересно Устройство и принцип действия частотного преобразователя

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Как устроен полевой МОП-транзистор?

Внутренняя структура транзистора — сложная тема, но можно кратко написать, что находится внутри MOSFET:

ворота, обозначенные буквой G ( gate ) — это металлизированное покрытие,
изолятор из оксида кремния — отделяет затвор от других компонентов,
подложка, обозначенная буквой B ( bulk ) — полупроводник, легированный противоположным типу канала (какие каналы мы сейчас расскажем),
сток, обозначенный буквой D, и исток, обозначенный буквой S — это легированные области, на которой они расположены.

Легирование заключается во введении дополнительных атомов в чистый кремний. Эти атомы находятся в его кристаллической решетке и радикально меняют ее электрические свойства.

Упрощенная конструкция внутренней части транзистора

У большинства полевых МОП-транзисторов, подложка подключена к источнику. Поэтому у элементов этого типа всего три распиновки.

In Stock: 151039

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Характеристики транзистора IRFZ24N

Основные характеристики транзистора IRFZ24N включают:

Ток стока (ID): 17 А;
Напряжение стока-истока (VDS): 55 В;
Напряжение затвора-истока (VGS): ±20 В;
Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.072 Ом;
Максимальная мощность (P): 55 Вт;
Статическое падение напряжения (VGS(th)): 2-4 В;
Скорость переключения (tr/tf): 48/16 нс;
Температурный диапазон: -55°C до 175°C.

Транзистор IRFZ24N обладает высокими параметрами, что делает его прекрасным выбором для множества приложений. Он может использоваться в схемах управления моторами, инверторах, источниках питания и других промышленных устройствах, где требуется высокая мощность и низкое сопротивление.

Мощность и напряжение

Мощность транзистора IRFZ24N составляет до 50 Ватт, что позволяет использовать его в различных приложениях, где требуется работа с большой мощностью. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор широко применяется в схемах построения инверторов, защитных устройств, стабилизаторов напряжения и силовых ключей.

Напряжение, которое может выдержать транзистор IRFZ24N, составляет до 55 Вольт, что делает его подходящим для работы с высокими напряжениями. Это особенно полезно в приложениях, где требуется коммутация или управление большими электрическими нагрузками. Кроме того, он обеспечивает низкие потери мощности и имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, что позволяет использовать его в схемах с высокоимпульсным напряжением.

Ток открытия и закрытия

Транзистор IRFZ24N обладает особенностью быстрого открытия и закрытия. Он способен переключаться между стабильными состояниями (открытым и закрытым) в течение очень короткого времени. Это позволяет использовать данный транзистор в высокочастотных схемах, где необходимо быстрое и точное управление током.

Ток открытия и закрытия транзистора определяется его электрическими характеристиками и может быть различным для разных моделей транзисторов. В случае с IRFZ24N, ток открытия составляет около 20-40 мА, что делает его подходящим для использования в маломощных электронных устройствах.

Ток открытия и закрытия транзистора является одним из ключевых параметров, которые нужно учитывать при выборе транзистора для конкретной задачи

Неправильный выбор транзистора может привести к некорректной работе электронной схемы, поэтому всегда следует обращать внимание на этот параметр при выборе транзистора для конкретной задачи

Рабочая температура и корпус

Транзистор IRFZ24N имеет широкий диапазон рабочих температур, что позволяет ему использоваться в различных условиях. Он может работать в диапазоне от -55°C до +175°C, что обеспечивает высокую надежность и стабильность работы.

Корпус транзистора выполнен из пластмассы, что обеспечивает надежную защиту от внешних воздействий и повышает его механическую прочность. Внутренняя структура транзистора также имеет хорошую теплопроводность, что позволяет эффективно отводить тепло и предотвращать перегрев.

Благодаря своему компактному размеру и простому монтажу, транзистор IRFZ24N легко встраивается в различные электронные устройства. Он широко применяется в источниках питания, преобразователях постоянного тока, усилителях и других устройствах, где требуется надежное и эффективное управление электрическим током.

IRLZ24N Datasheet (PDF)

..1. Size:109K international rectifier irlz24n.pdf

PD — 9.1357AIRLZ24NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 18ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible

..2. Size:765K international rectifier irlz24npbf.pdf

PD — 94998IRLZ24NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRLZ24NPbF2 www.irf.comIRLZ24NPbFwww.irf.com 3IRLZ24NPbF4 www.irf.comIRLZ24NPbFwww.irf.com 5IRLZ24NPbF6 www.irf.comIRLZ24NPbFwww.irf.com 7IRLZ24NPbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) — B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4.69 (.185)3.54 (.13

..3. Size:2577K infineon irlz24npbf.pdf

..4. Size:1130K cn vbsemi irlz24npbf.pdf

IRLZ24NPBFwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.024 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel0.028 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Di

..5. Size:246K inchange semiconductor irlz24n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ24N IIRLZ24NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.06Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:191K international rectifier irlz24ns irlz24nl.pdf

PD — 91358EIRLZ24NS/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRLZ24NS) Low-profile through-hole (IRLZ24NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 18ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques

0.2. Size:271K international rectifier auirlz24nl auirlz24ns.pdf

AUIRLZ24NSAUTOMOTIVE GRADEAUIRLZ24NLFeatures HEXFET Power MOSFETDl Advanced Process TechnologyVDSS 55Vl Logic Level Gate Drivel 175C Operating TemperatureRDS(on) max. 0.06l Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID 18A l Lead-Free, RoHS Compliant Sl Automotive Qualified *DDDescriptionSpecifically designed for Automotive application

0.3. Size:301K international rectifier irlz24nlpbf irlz24nspbf.pdf

PD — 95584IRLZ24NSPbFIRLZ24NLPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRLZ24NS) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRLZ24NL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 18Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize

0.4. Size:197K infineon irlz24ns irlz24nl.pdf