Схема TL431
Рассмотрим схему, которая находится в официальном datasheet производителя Texas Instruments.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
Схема довольно простая. На ней изображен самый обыкновенный операционный усилитель (выглядит, как треугольник на картинке), который подключен к транзистору на выходе.
Как работает TL431?
Здесь все элементарно. Операционному усилителю на вход стоит источник опорного напряжения на 2.5В, который подсоединен ко входу. Контакт под кодовым названием REF и коллектор и эмиттер транзистора связаны с контактами питания усилителя. А безопасность обеспечивает защитный диод, который сохранит и убережет микросхему от переполюсовки.
Чтобы открылся выходной транзистор, нужно на вход REF подать сигнал, вольтаж которого будет чуть больше, чем опорное. Так как достаточно превышения в пару милливольт, то смело можем считать, что подаем вольтаж, который равен опорному. В таком случае, на выходе с ОУ идет напряжение на базу транзистора, и он открывается.
Специально для особо любознательных в даташите TL431 также имеется изображение детализированной схемы:
Как вы видите, даже на показанной развернутой схеме, устройство TL431 не вызывает чувство страха.
Характеристики
В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.
Максимальные
Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.
Электрические
Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.
У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства
Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь
Время переключения
Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев
У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.
Ёмкостные характеристики
Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:
Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.
Тепловые параметры
Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.
Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.
Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).
Аналог
Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.
Схемы включения
Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.
Стабилизатор анодного напряжения
В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.
Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.
Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.
Управление от микроконтроллера
Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения RDS(ON) и QGMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера. Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).
Price and Stock
| Distributor | SKU | Stock | MOQ | 1 | 10 | 100 | 1000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
942-IRLR7843TRPBF |
1673 | 1 |
$ 1.28 |
$ 1.09 |
$ 0.86 |
$ 0.64 |
$ 0.55 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
2000 | 2000 | — | — | — |
$ 0.46 * |
$ 0.45 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
353 | 13 | — |
$ 0.63 * |
$ 0.58 |
— | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
3880 | 36 | — |
$ 0.90 * |
$ 0.71 |
$ 0.64 |
— | |
|
IRLR7843TRPBF |
200 | 109 | — | — |
$ 0.75 * |
— | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
353 | 1 |
$ 0.63 |
$ 0.63 |
$ 0.58 |
— | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
2000 | 2000 | — | — | — |
$ 0.50 * |
$ 0.49 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
2000 | 2000 | — | — | — |
$ 0.60 * |
$ 0.55 * |
|
|
IRLR7843PBFCT-ND |
32111 | 1 |
$ 1.46 |
$ 1.19 |
$ 0.93 |
$ 0.64 |
— | |
|
IRLR7843PBFDKR-ND |
32111 | 1 |
$ 1.46 |
$ 1.19 |
$ 0.93 |
$ 0.64 |
— | |
|
IRLR7843PBFTR-ND |
32000 | 2000 | — | — | — |
$ 0.60 * |
$ 0.55 |
|
|
42Y0443 |
3335 | 1 |
$ 0.46 |
$ 0.46 |
$ 0.46 |
$ 0.46 |
— | |
|
C1S322000504657 |
3880 | 1 |
$ 6.06 |
$ 5.71 |
$ 4.51 |
$ 4.02 |
— | |
|
30284119 |
493 | 25 | — |
$ 1.64 * |
$ 1.48 |
$ 1.18 |
— | |
|
70017418 |
10 | — | — | — | — | — | ||
|
5173913 |
2000 | — | — | — |
$ 0.56 * |
$ 0.52 |
||
|
IRLR7843TRPBF |
1798 | 1 |
$ 1.26 |
$ 1.00 * |
$ 0.90 |
— | — | |
|
2468059 |
3335 | 1 |
$ 2.10 |
$ 1.74 |
$ 1.35 |
$ 0.93 |
$ 0.80 |
|
|
2468059RL |
3335 | 100 | — | — | — | — | — | |
|
2468059 |
3335 | 1 |
$ 1.52 |
$ 1.25 |
$ 0.94 |
$ 0.57 * |
— | |
|
2468059RL |
3335 | 100 | — | — | — | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
5415 | 500 | — | — |
$ 4.15 * |
$ 4.14 |
$ 4.13 |
|
|
161623-IRLR7843TRPBF |
59389 | 60 | — |
$ 0.69 * |
$ 0.69 |
$ 0.69 |
$ 0.69 |
|
|
721-IRLR7843TRPBF |
10074 |
$ 0.80 |
$ 0.71 |
$ 0.56 |
$ 0.52 |
— | ||
|
376-IRLR7843TRPBF |
64403 |
$ 0.56 |
$ 0.53 |
$ 0.50 |
$ 0.47 |
$ 0.45 |
||
|
IRLR7843TRPBF |
6000 |
$ 0.20 |
$ 0.20 |
$ 0.19 |
$ 0.18 |
$ 0.18 |
||
|
IRLR7843TRPBF |
58540 | 10 | — | — | — | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
15218 |
$ 1.49 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
2713 | — | — | — | — | — | ||
|
C21988 |
2341 | 1 |
$ 1.30 |
$ 1.15 |
$ 0.91 |
$ 0.85 |
— | |
|
IRLR7843TRPBF |
53478 |
$ 0.64 |
$ 0.59 |
$ 0.54 |
$ 0.44 |
— | ||
|
IRLR7843TRPBF |
46861 | 10 | — | — | — | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
27988 | 10 | — | — | — | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
27430 | 1 |
$ 0.73 |
$ 0.66 |
$ 0.60 |
$ 0.57 |
$ 0.56 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
19999 |
$ 0.50 |
$ 0.50 |
$ 0.50 |
$ 0.50 |
$ 0.50 |
||
|
IRLR7843TRPBF |
3101 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
1233 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
1114 |
$ 0.75 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
653 |
$ 0.50 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
644 | 5 |
$ 0.59 * |
$ 0.58 |
$ 0.56 |
$ 0.54 |
$ 0.52 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
550 |
$ 1.97 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
300 |
$ 1.81 |
$ 1.81 |
$ 1.81 |
$ 1.81 |
— | ||
|
IRLR7843TRPBF |
140 |
$ 0.50 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
50 |
$ 1.76 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
32 |
$ 0.50 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
16 |
$ 0.79 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
172128 | 7 |
$ 0.55 * |
$ 0.52 |
— | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
20004 | 1 |
$ 0.63 |
$ 0.59 |
$ 0.55 |
$ 0.53 |
$ 0.51 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
15380 | — | — | — | — | — | ||
|
6240093 |
12000 |
$ 2.25 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
10723 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
4000 | 2000 | — | — | — |
$ 0.91 * |
— | |
|
IRLR7843TRPBF |
10 |
$ 1.20 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
1495 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
3384 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
13410 |
$ 1.60 |
— | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
-3 | 2000 | — | — | — |
$ 1.25 * |
$ 1.25 |
|
|
IRLR7843TRPBF |
1801 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
4000 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF-8006018571 |
2000 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF_G |
2000 | 2000 | — | — | — | — | — | |
|
IRLR7843TRPBF |
38338 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
7700 | — | — | — | — | — | ||
|
IRLR7843TRPBF |
2000 | — | — | — | — | — |
IRLR7843 Datasheet PDF — International Rectifier
| Part Number | IRLR7843 | |
| Description | HEXFET Power MOSFET | |
| Manufacturers | International Rectifier | |
| Logo | ||
|
There is a preview and IRLR7843 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 11 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available ! Applications l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current VDSS 30V HEXFETPower MOSFET RDS(on) max Qg 3.3m 34nC VDS Drain-to-Source Voltage VGS ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C PD @TC = 100°C Gate-to-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current gMaximum Power Dissipation gMaximum Power Dissipation TJ TSTG Linear Derating Factor RθJC Junction-to-Case gÃRθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) RθJA Junction-to-Ambient Max. 161f 113f 620 Notes through are on page 11 www.irf.com |
|
25 Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature 10 0.1 0.10 0.05 τJ τJ τ1 τ1 R1R1 Ci= τiRi Ci iRi R2R2 τ2 τ2 τCτ Ri (°C/W) τi (sec) 0.5084 0.000392 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com Preview 5 Page |
IRLR/U7843|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRLR7843 electronic component. |
| Information | Total 11 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
Alternate Parts for IRLR7843
This table gives cross-reference parts and alternative options found for IRLR7843. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of IRLR7843, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (8)
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRLPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRLPBF |
|
IRLR7843PBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843PBF |
|
IRLR7843TRLPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843TRLPBF |
|
IRLR7843TRPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRPBF |
|
IRLR7843TR |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TR |
|
IRLR7843 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843 |
|
IRLR7843TRRPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRRPBF |
|
IRLR7843TRR |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRR |
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
IRLR7843TRR |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRR |
|
IRLR7843 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843 |
|
IRLR7843PBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843PBF |
|
IRLR7843TRLPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | Infineon Technologies AG |
IRLR7843 vs IRLR7843TRLPBF |
|
IRLR7843TR |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TR |
|
IRLR7843TRPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRPBF |
|
IRLR7843TRRPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRRPBF |
|
IRLR7843TRLPBF |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | International Rectifier |
IRLR7843 vs IRLR7843TRLPBF |
Как проверить TL431
Так как это не одиночный радиокомпонент, а целая схема, заключенная в маленький корпус, мы не можем проверить ее одним лишь мультиметром, ведь в ней содержится только 10 штук транзисторов, не говоря об остальных компонентах. Проверка сопротивлений между выводами не принесет никакой полезной информации, так как от партии к партии и от производителя к производителю референсные значения разнятся.
Поэтому, как и для проверки большинства микросхем, необходимо собрать простейшую схему с ее использованием. Такой схемой может послужить приведенная ниже
При подаче на вход 12В на выходе должно быть 5В, а при замыкании S1 на выход должно идти опорной напряжение микросхемы TL431 — 2.5В. Вы можете подобрать свои значения
Важно, чтобы они соответствовали формуле:
Если все значения подходят — значит микросхема рабочая и ее можно использовать в проекте. Если собрать небольшой стенд с такой схемой на breadboard, то получится конвейерно проверять большое количество TL431 и ей подобных микросхем.
Маркировка
Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .
Technical Specifications
Infineon IRLR7843TRPBF technical specifications, attributes, and parameters.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V.
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET Power Mosfet — DPAK.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS.
| Case/Package | DPAK |
| Contact Plating | Tin |
| Mount | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 |
| Continuous Drain Current (ID) | 161 A |
| Current Rating | 161 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Drain to Source Resistance | 3.2 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Element Configuration | Single |
| Fall Time | 19 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 20 V |
| Input Capacitance | 4.38 nF |
| Max Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Max Operating Temperature | 175 °C |
| Max Power Dissipation | 140 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Nominal Vgs | 2.3 V |
| Number of Channels | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| On-State Resistance | 3.3 mΩ |
| Package Quantity | 2000 |
| Packaging | Tape & Reel |
| Power Dissipation | 140 W |
| Rds On Max | 3.3 mΩ |
| Resistance | 3.3 MΩ |
| Rise Time | 42 ns |
| Schedule B | 8541290080, 8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080 |
| Threshold Voltage | 2.3 V |
| Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Turn-On Delay Time | 25 ns |
| Voltage Rating (DC) | 30 V |
| Height | 2.3876 mm |
| Length | 6.7056 mm |
| Width | 6.22 mm |
| Lead Free | Lead Free |
| Radiation Hardening | No |
| REACH SVHC | No SVHC |
Схемы с использованием TL431
Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.
Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)
Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:
Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)
Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.
Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.
Лабораторный блок питания на TL431 с защитой
Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.
Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.
Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)
Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.
Индикатор напряжения
Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.
Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.
Таймер задержки на TL431
Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).
Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.
Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317
Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).
Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.
Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.