Irl540n pdf ( даташит ) - 100v, 30a, 94w, hexfet power mosfet

Технические характеристики

Рассмотрение начнём с максимально допустимых характеристик. Они важны как при проектировании новой конструкции, так и при подборе замены, так как при их превышении устройство «сгорит». Длительная эксплуатация при значениях очень близких или равных максимальным так же нежелательна, так как в этом случае транзистор может перегреться и тоже выйти из строя.

Характеристики IRF540N:

напряжение сток-исток V_DS = 100 В;
напряжение затвор-исток: V_GS = ±20 В;
ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
- при Тс= +25°С I_D = 27 А;
- при Тс= +100°С I_D = 19 А;
кратковременный ток стока I_DM = 110 А;
мощность P_D = 130 Вт;
коэффициент линейного снижения мощности 0,87 Вт/°С;
лавинный ток I_AR = 16 А;
повторяющаяся лавинная энергия E_AR = 13 мДж;
термическое сопротивление, кристалл – корпус 1,6 °С/Вт;
термическое сопротивление, кристалл – воздух 62 °С/Вт;
рабочая т-ра: от -55°С до +175°С.

Теперь рассмотрим электрические значения. Они измерялись при стандартной температуре +25°С. Остальные важные параметры тестирования приведены в отдельной колонке следующей таблицы.

Электрические характеристики транзистора irf540n (при Т = +25 оC)
Статические
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	V_GS= 0 В,I_D= 250 мА	V₍_BR₎_DS_S	100			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	I_D = 1 мА	∆V(_BR)DSS/∆T_J		0,12		В/°С
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	V_GS= 10 В, I_D= 16 A	R_DS(on)			44	мОм
Пороговое напряжение З-И	V_DS= V_GS, I_D=250 мкА	V_GS(th)	2		4	В
Прямая крутизна	g_fs		21
Ток утечки затвора	V_GS= ± 20 В	I_GSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	V_DS=100 В, V_GS= 0 V	I_DSS			25	мкА
V_DS=80 В, V_GS=0 В, T_J= 150°C			250	мкА
Заряд на затворе открывающий транзистор	V_GS= 10 В, I_D= 16 A, V_DS= 80 В	Q_g			71	нКл
Заряд З-И	Q_gs			14	нКл
Заряд З-С	Q_gd			21	нКл
Время открытия транзистора	V_DD=50 В, I_D=16 A, R_g=5,1 Ом, R_D=10 Ом	t_d(on)		11		нс
Время нарастания импульса открытия	t_r		35		нс
Время закрытия транзистора	t_d(off)		39		нс
Время спада импульса	t_f		35		нс
Входная емкость	V_GS= 0 В, V_DS= 25 В, f = 1,0 МГц	C_iss		1960		пФ
Выходная емкость	C_oss		250		пФ
Емкость З-И	C_rss		40		пФ
Индуктивность стока		L_D		4,5		нГн
Индуктивность истока		L_S		7,5		нГн
Единичный энергетический импульс				700	185	мДж
Характеристики канала исток-сток
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод		I_S			33	А
Максимальный импульсный ток через диод		I_SM			110	А
Падение напряжения на диоде	T_J= 25 °C, I_S= 16 A, V_GS= 0 В	V_SD			1,2	В
Время обратного восстановления	T_J= 25 °C, I_F= 16 A, dI/dt = 100 A/мкС	t_rr		115	170	нс
Заряд восстановления	Q_rr		505	760	нКл

IRL540N Datasheet PDF — IRF

Part Number	IRL540N
Description	100V, 30A, 94W, HEXFET Power MOSFET
Manufacturers	IRF
Logo
IRL540N is a type of power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that is commonly used in electronic circuits as a switch or amplifier. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for a wide range of applications. Features: 1. Maximum voltage rating of 100 volts 2. Maximum current rating of 30 amps 3. Low on-resistance (Rds(on)) 4. Fast switching speed 5. High input impedance 6. RoHS compliant There is a preview and IRL540N download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Previous Datasheet
Index
PRELIMINARY

l Logic-Level Gate Drive

l Advanced Process Technology

l Isolated Package

l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS

l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm

l Fully Avalanche Rated

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
G
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
To Order
Next Data Sheet
PD — 9.1495
IRL540N

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 100V

RDS(on) = 0.044Ω

ID = 30A

S
TO-220AB
Max.
30
21
120
94
0.63
± 16
310
18
9.4
4.3
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.6
–––
62
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
8/14/96

Previous Datasheet
Index
Next Data Sheet

IRL540N

30
25
20
15
10
5

25 50 75 100 125 150 175

TC, Case Temperature (°C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
10

VDS

VGS

D.U.T.
5.0V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

1
D = 0.50
0.20
0.10

0.1 0.05

0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0.01
0.00001
0.0001

PD M

t1
t2
N ote s:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Pe ak TJ = P DM x Z thJ C + T C

0.001
0.01
0.1

t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

To Order
A
1

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRL540N electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Распиновка

У irf540 следующая цоколевка, он имеет три гибких вывода, слева на право: затвор (G), сток (D) и исток (S). Радиатор физически соединен с выводом стока. Чаще всего представляет собой полупроводниковое устройство с изолированным затвором (IG-FET), в пластмассовом корпусе ТО-220AB. Между выводами стока и истока встроен паразитный диод. Распиновка представлена на рисунке.

Примерно до 1990 года, некоторые экземпляры от IR, выпускались в корпусе для поверхностного монтажа SMD-220. IRF540FI от компании STM был исполнен в нестандартном корпусе ISOWATT220 или ТО-220FI. В настоящее время появились улучшенные модификации этого транзистора, в более современном корпусном исполнении. Так Vishay, производит их в корпусе ТО-262, например IRF540ZL и D₂PAK (он же TO-263 или SOT404), с маркировкой: IRF540S (SiHF540S), IRF540NS (SiHF540NS), IRF540ZS.

Модификации

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF540	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	2100 pf	30 A	72 nC	0.077 Ohm	TO220
AUIRF540Z	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO220AB
AUIRF540ZS	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
AUIRF540ZSTRL	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
IRF540A	107 W	100 V		4 V	150 °C	1320 pf	28 A	78 nC	0.052 Ohm	TO220
IRF540FI	45 W	100 V	20 V		175 °C	2100 pf	16 A		0.077 Ohm	ISOWATT220
IRF540N	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	TO220AB
IRF540NL	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	TO262
IRF540NLPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-262
IRF540NPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-220AB
IRF540NS	140 W	100 V	10 V	4 V	150 °C		33 A	47.3 nC	0.052 Ohm	D2PAK
IRF540NSPBF	130 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	250 pf	33 A	71 nC	0.044 Ohm	TO-263
IRF540S	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	560 pf	28 A	72 nC	0.077 Ohm	TO-263
IRF540SPBF	150 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	560 pf	28 A	72 nC	0.077 Ohm	TO-263
IRF540Z	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO220AB
IRF540ZL	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO262
IRF540ZLPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-262
IRF540ZPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-220AB
IRF540ZS	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C		36 A	42 nC	0.0265 Ohm	D2PAK
IRF540ZSPBF	92 W	100 V	20 V	4 V	175 °C	180 pf	36 A	42 nC	0.0265 Ohm	TO-263

IRL540N Datasheet (PDF)

..1. Size:132K international rectifier irl540n.pdf

PD — 91495AIRL540NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.044 Fast Switching G Fully Avalanche RatedID = 36ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per

..2. Size:1046K international rectifier irl540npbf.pdf

PD — 94997IRL540NPbFHEXFET Power MOSFET Lead-Freewww.irf.com 12/10/04IRL540NPbF2 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 3IRL540NPbF4 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 5IRL540NPbF6 www.irf.comIRL540NPbFwww.irf.com 7IRL540NPbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) — B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4

..3. Size:1046K infineon irl540npbf.pdf

..4. Size:255K inchange semiconductor irl540n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL540N,IIRL540NFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 44m (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIt is intended for general purpose switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

0.1. Size:182K international rectifier irl540ns irl540nl.pdf

PD -91535IRL540NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRL540NS)VDSS = 100V Low-profile through-hole (IRL540NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.044 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 36ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low

0.2. Size:914K international rectifier irl540nspbf.pdf

PD- 95234IRL540NS/LPbF Lead-Freewww.irf.com 105/04/04IRL540NS/LPbF2 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 3IRL540NS/LPbF4 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 5IRL540NS/LPbF6 www.irf.comIRL540NS/LPbFwww.irf.com 7IRL540NS/LPbFD2Pak Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D2Pak Part Marking Information (Lead-Free)T H IS IS AN IR

0.3. Size:914K infineon irl540nspbf irl540nlpbf.pdf

0.4. Size:255K inchange semiconductor irl540nl.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL540NLFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

0.5. Size:257K inchange semiconductor irl540ns.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL540NSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

IRL540N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRL540N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 74(max)
nC

Время нарастания (tr): 81
ns

Выходная емкость (Cd): 350
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044
Ohm

Тип корпуса:

IRL540N
Datasheet (PDF)

..1. Size:132K international rectifier irl540n.pdf

..2. Size:1046K international rectifier irl540npbf.pdf

..3. Size:1046K infineon irl540npbf.pdf

..4. Size:255K inchange semiconductor irl540n.pdf

0.1. Size:182K international rectifier irl540ns irl540nl.pdf

0.2. Size:914K international rectifier irl540nspbf.pdf

0.3. Size:914K infineon irl540nspbf irl540nlpbf.pdf

0.4. Size:255K inchange semiconductor irl540nl.pdf

0.5. Size:257K inchange semiconductor irl540ns.pdf

Другие MOSFET… IRL530
, IRL530A
, IRL530N
, IRL530NL
, IRL530NS
, IRL531
, IRL540
, IRL540A
, IRF9540N
, IRL540NL
, IRL540NS
, IRL541
, IRL5602S
, IRL610
, IRL610A
, IRL611
, IRL620
.

Характеристики

Если углубляться в технические тонкости, то все оригинальные «irf» сделаны по запатентованной IR технологии HEXFET, которая имеет более сложную структуру. Неоригинальные устройства, от других компаний, имеют свои технологии изготовления, но общий принцип един для всех. Ниже представлены основные характеристики itf540, к ним относятся:

Максимальное напряжение стока-истока (V _DS) — 100 В;
Максимальный постоянный ток стока (I _D) – 28 А; импульсный — 110 А;
Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 77 мОм;
Максимальный суммарный заряд затвора (Q_G₍_Max₎ ) — 72 нКл;
Рассеиваемая мощность (P_D) — 150 Вт;
Диапазон рабочих температур (T_J) от — 55 до +175 °C.

Максимальные

Транзистор выдерживает достаточно большой ток в нагрузке, до 28 А. В последнее время на рынке представлены более современные модификации, такие как irf540n, irf540z. Они имеют улучшенные параметры. Так, у некоторых представителей этого семейства I_D достигает 36 А, а сопротивление открытого канала снижено до 26.5 мОм. Это связано с совершенствованием технического процесса производства. Рассмотрим предельно допустимые или так называемые максимальные для данного устройства.

Электрические

Электрические характеристики представлены, при температуре окружающей среды +25 °C. Максимальное пороговое напряжение на затворе, при этом у всех производителей не более 4 В. Однако практика показывает, что для полного открытия перехода, необходимо подавать больше 5 В. А для использования с контроллером, лучше использовать рекомендуемый производителем IRF540NL.

Тепловые сопротивления

Температуры окружающей среды +25 °C, при работе транзистора, невозможно добиться в обычных условиях его использования. Поэтому все, без исключения, производители в своих DataSheet предоставляют значения тепловых сопротивлений. Они могут понадобиться для расчета элементов охлаждения в схеме.

Кроме вышеперечисленных параметров, для принятия решения об использовании, необходимо учитывать , устройства и др.

Технические характеристики

IRL540N Datasheet PDF — IRF

Electronic Components Distributor

Распиновка

Модификации

IRL540N Datasheet (PDF)

IRL540N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRL540N Datasheet (PDF)

Характеристики

Максимальные

Электрические

Тепловые сопротивления

Похожие записи:

Похожие записи:

IRL540N
Datasheet (PDF)