Irl2203n pdf даташит

IRL2203N Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRL2203N
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRL2203N download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated G Description Advanced HEXFETPower MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C VGS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Parameter Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds Mounting torque, 6-32 or M3 srew Thermal Resistance RθJC RθCS RθJA Parameter Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient www.irf.com PD — 91366 IRL2203N HEXFETPower MOSFET D VDSS = 30V RDS(on) = 7.0mΩ ID = 116A S TO-220AB Max. 116 82 400 180 1.2 ± 16 60 18 5.0 -55 to + 175 300 (1.6mm from case ) 10 lbf•in (1.1N•m) Units A W W/°C V A mJ V/ns °C Typ. ––– 0.50 ––– Max. 0.85 ––– 62 Units °C/W 1 3/16/01

IRL2203N 120 LIMITED BY PACKAGE 100 80 60 40 20 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature ( °C) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Case Temperature 1 D = 0.50 VDS VGS RG RD D.U.T. VGS Pulse Width ≤ 1 µs Duty Factor ≤ 0.1 % +-VDD Fig 10a. Switching Time Test Circuit VDS 90% 10% VGS td(on) tr td(off) tf Fig 10b. Switching Time Waveforms 0.20 0.1 0.10 0.05 0.02 0.01 0.01 0.00001 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) PDM t1 t2 Notes: 1. Duty factor D = t1 / t 2 2. Peak T J = P DM x Z thJC + TC 0.0001 0.001 0.01 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) 0.1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5 Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRL2203N electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. — Vdss=30V, HEXFET Power MOSFET
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

IRFBC20 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFBC20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.2
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 18(max)
nC

Время нарастания (tr): 23
ns

Выходная емкость (Cd): 48
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.4
Ohm

Тип корпуса:

IRFBC20
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  international rectifier irfbc20.pdf

 ..2. Size:2081K  international rectifier irfbc20pbf.pdf

PD — 94985IRFBC20PbF Lead-Free2/5/04Document Number: 91006 www.vishay.com1IRFBC20PbFDocument Number: 91006 www.vishay.com2IRFBC20PbFDocument Number: 91006 www.vishay.com3IRFBC20PbFDocument Number: 91006 www.vishay.com4IRFBC20PbFDocument Number: 91006 www.vishay.com5IRFBC20PbFDocument Number: 91006 www.vishay.com6IRFBC20PbFTO-220AB Package Out

 ..3. Size:1571K  vishay irfbc20pbf sihfbc20.pdf

IRFBC20, SiHFBC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 8.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..4. Size:1568K  vishay irfbc20 sihfbc20.pdf

IRFBC20, SiHFBC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 8.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..5. Size:1520K  infineon irfbc20 sihfbc20.pdf

IRFBC20, SiHFBC20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 18COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 3.0Qgd (nC) 8.9 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..6. Size:284K  inchange semiconductor irfbc20.pdf

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFBC20FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 4.4 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 0.1. Size:396K  international rectifier irfbc20spbf irfbc20lpbf.pdf

PD — 95543IRFBC20S/LPbF Lead-Free7/21/04Document Number: 91007 www.vishay.com1IRFBC20S/LPbFDocument Number: 91007 www.vishay.com2IRFBC20S/LPbFDocument Number: 91007 www.vishay.com3IRFBC20S/LPbFDocument Number: 91007 www.vishay.com4IRFBC20S/LPbFDocument Number: 91007 www.vishay.com5IRFBC20S/LPbFDocument Number: 91007 www.vishay.com6IRFBC20S/LPbF

 0.2. Size:355K  international rectifier irfbc20s irfbc20l.pdf

PD — 9.1014IRFBC20S/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFBC20S)D Low-profile through-hole (IRFBC20L) VDSS = 600V Available in Tape & Reel (IRFBC20S) Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 4.4 150C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 2.2A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer

 0.3. Size:251K  vishay irfbc20lpbf.pdf

IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20LVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Surface Mount (IRFBC20S/SiHFBC20S)VDS (V) 600 Low-Profile Through-Hole (IRFBC20L/SiHFBC20L)AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Available in Tape and Reel (IRFBC20S/SiHFBC20S)RoHS* Dynamic dV/dt RatingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 18 150 C Operating TemperatureQg

 0.4. Size:266K  vishay irfbc20s sihfbc20s irfbc20l sihfbc20l.pdf

IRFBC20S, SiHFBC20S, IRFBC20L, SiHFBC20LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 600 Surface Mount (IRFBC20S, SiHFBC20S)RDS(on) ()VGS = 10 V 4.4 Low-Profile Through-Hole (IRFBC20L, SiHFBC20L) Available in Tape and Reel (IRFBC20, SiiHFBC20S)Qg (Max.) (nC) 18 Dynamic dV/dt RatingQgs

Другие MOSFET… IRF9Z35
, IRFB11N50A
, IRFB9N30A
, IRFB9N60A
, IRFB9N65A
, IRFBA1404
, IRFBA22N50A
, IRFBA35N60C
, P0903BDG
, IRFBC20L
, IRFBC20S
, IRFBC30
, IRFBC30A
, IRFBC30AS
, IRFBC30L
, IRFBC30S
, IRFBC32
.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

IRL2203N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  international rectifier irl2203n.pdf

PD — 91366IRL2203NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 30V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 7.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 116A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resist

 ..2. Size:186K  international rectifier irl2203npbf.pdf

PD — 94953IRL2203NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 30Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 7.0mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 116Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextr

 ..3. Size:186K  infineon irl2203npbf.pdf

PD — 94953IRL2203NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 30Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 7.0mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 116Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextr

 ..4. Size:246K  inchange semiconductor irl2203n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL2203NIIRL2203NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 7.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:132K  international rectifier irl2203ns irl2203nl.pdf

PD — 94394IRL2203NSIRL2203NLHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 7.0m Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 116A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely lo

 0.2. Size:211K  international rectifier auirl2203n.pdf

AUTOMOTIVE GRADEAUIRL2203NFeatures HEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyDV(BR)DSSl Low On-Resistance 30Vl Logic Level Gate Drivel Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.7ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited) 116Al Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited) 75Al Lead-Free, RoHS C

 0.3. Size:290K  international rectifier irl2203nlpbf irl2203nspbf.pdf

PD — 95219AIRL2203NSPbFIRL2203NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDVDSS = 30Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0mGl 100% RG Testedl Lead-FreeID = 116ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced

 0.4. Size:290K  infineon irl2203nspbf irl2203nlpbf.pdf

PD — 95219AIRL2203NSPbFIRL2203NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt RatingDVDSS = 30Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Fully Avalanche Rated RDS(on) = 7.0mGl 100% RG Testedl Lead-FreeID = 116ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced

 0.5. Size:270K  inchange semiconductor irl2203ns.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2203NSDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 7m@V = 10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Provides the designer with an extremely efficient andreliable device for use in a wide variety of applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.