Параметры полевого транзистора irl3705n. интернет-справочник паратран

Опубликовано: Радиолюбителю
Параметры полевого транзистора irl3705n. интернет-справочник паратран.

L3705N Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number L3705N
Description IRL3705N
Manufacturers International Rectifier　
Logo 　

There is a preview and L3705N download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total 8 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com

l Logic-Level Gate Drive

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TJ

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
G
PD — 9.1370C
IRL3705N

HEXFETPower MOSFET

D

VDSS = 55V

RDS(on) = 0.01Ω

ID =89A

S
TO-220AB
Max.

89

63
310
170
1.1
± 16
340
46
17
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.90
–––
62
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
8/25/97

www.DataSheet4U.com
IRL3705N
100
LIMITED BY PACKAGE
80
60
40
20

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.
5.0V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001

PDM

SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

t1

t2

Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC + TC

0.0001
0.001
0.01

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

0.1
1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case


Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for L3705N electronic component.
Information Total 8 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Newark Chip One Stop

Применение и особенности использования

Транзистор IRL3705N широко используется в различных схемах и устройствах благодаря своим высоким характеристикам и надежности. Его применение может быть найдено в следующих областях:

  • Источники питания: транзистор IRL3705N может использоваться для управления высокими токами в источниках питания, обеспечивая стабильную работу и защиту от перегрузок.
  • Импульсные блоки питания: благодаря высокой быстродействию и низкому сопротивлению, транзистор IRL3705N идеален для применения в импульсных блоках питания, где требуется эффективное переключение высоких токов.
  • Аудиоусилители: с его высокой частотой переключения и низкими потерями мощности, транзистор IRL3705N подходит для использования в аудиоусилителях, обеспечивая высокое качество звука.
  • Медицинское оборудование: благодаря своей надежности и долговечности, транзистор IRL3705N может использоваться в медицинском оборудовании для обеспечения безопасного и стабильного функционирования.

Особенности использования транзистора IRL3705N также следует учитывать:

  • Охлаждение: из-за высокого потребления мощности, транзистор IRL3705N может нагреваться. Поэтому рекомендуется предусмотреть эффективную систему охлаждения для поддержания нормальной работы и повышения срока службы.
  • Применение защиты: при работе с транзистором IRL3705N рекомендуется использовать дополнительные схемы защиты, такие как предохранители или схемы обратной полярности, чтобы предотвратить повреждение транзистора в случае возникновения нештатных ситуаций.
  • Соблюдение допустимых параметров: для надежной работы транзистора IRL3705N необходимо соблюдать его допустимые значения напряжения, тока и температуры, указанные в технической документации.

С учетом этих применений и особенностей использования, транзистор IRL3705N является универсальным и надежным компонентом, который может использоваться в широком диапазоне устройств и оборудования.

IRL3705N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  international rectifier irl3705n.pdf

PD — 9.1370CIRL3705NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 89A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance pe

 ..2. Size:481K  international rectifier irl3705npbf.pdf

PD — 94960IRL3705NPbF Lead-Freewww.irf.com 1 IRL3705NPbF2 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 3IRL3705NPbF4 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 5IRL3705NPbF6 www.irf.comIRL3705NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit *

 ..3. Size:481K  infineon irl3705npbf.pdf

PD — 94960IRL3705NPbF Lead-Freewww.irf.com 1 IRL3705NPbF2 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 3IRL3705NPbF4 www.irf.comIRL3705NPbFwww.irf.com 5IRL3705NPbF6 www.irf.comIRL3705NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit *

 ..4. Size:251K  inchange semiconductor irl3705n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705N IIRL3705NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 10mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:297K  international rectifier irl3705nspbf irl3705nlpbf.pdf

PD — 95381IRL3705NSPbFl Logic-Level Gate DriveIRL3705NLPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL3705NS) HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRL3705NL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.01l Lead-FreeGDescriptionFifth Generation HEXFETs from International RectifierID = 89AS

 0.2. Size:186K  international rectifier irl3705ns irl3705nl.pdf

PD — 91502CIRL3705NS/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRL3705NS) Low-profile through-hole (IRL3705NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 89A DescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniq

 0.3. Size:1024K  international rectifier auirl3705n.pdf

PD — 96352AUTOMOTIVE GRADEAUIRL3705NFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Planar TechnologyD Logic-Level Gate DriveV(BR)DSS55V Dynamic dV/dT Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) max.0.01 Fast SwitchingG Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID S 89A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified *DDescriptionSSp

 0.4. Size:252K  inchange semiconductor irl3705ns.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 0.5. Size:213K  inchange semiconductor irl3705nl.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRL3705NLFEATURESLow power lossHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor controlDC DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

Похожие записи:

  1. Транзистор КТ3157А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение
  2. Kt368 pdf даташит
  3. Транзистор кт805ам: характеристики и аналоги
  4. Транзистор кт815б
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб

Похожие записи:

  1. Транзистор КТ3157А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение
  2. Kt368 pdf даташит
  3. Транзистор кт805ам: характеристики и аналоги
  4. Транзистор кт815б
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами и принимаете условия пользовательского соглашения.