Полевые транзисторы irfp250, обзор и немного о применении

Причины замены транзистора IRFP250

Существует несколько причин, по которым может возникнуть необходимость замены транзистора IRFP250:

Повреждение или выход из строя. Транзистор может быть поврежден в результате пикового напряжения, перенапряжения, перегрузки или внутренних неисправностей. Если транзистор перестает функционировать должным образом, то его замена может быть необходима.
Улучшение характеристик и параметров. Новые модели транзисторов могут иметь лучшие технические характеристики, такие как более низкое сопротивление канала, высокая мощность или более низкая температура переключения. Если требуется улучшить работу схемы или повысить ее эффективность, замена транзистора на более современную модель может быть рациональным шагом.
Недоступность. По каким-то причинам транзистор IRFP250 может быть недоступен для покупки или заказа. В этом случае необходимо найти аналогичную замену, которая будет доступна на рынке.
Аналогии в работе совместно с другими компонентами. В некоторых случаях замена транзистора может потребовать выбор соответствующей аналогии, чтобы транзистор работал должным образом вместе с другими компонентами схемы.

Независимо от причин замены транзистора IRFP250, необходимо тщательно проанализировать требования и характеристики схемы, чтобы выбрать подходящую аналогию и обеспечить надежную работу всей системы.

Основные параметры полевого n-канального транзистора IRFP250NPBF

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRFP250NPBF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-каналСтруктура (технология):

Pd max, мВт	Uds max, В	Udg max, В	Ugs max, В	Id max, мА	Tj max, °C	Fr (T on/of)	Ciss tip, пФ	Rds, Ом
214000	200	—	20	120000	-55+175	(Ton:14/Tof:41nS)	2159	0,075

Производитель: International RectifierСфера применения: Дополнительные параметры транзистора IRFP250NPBF:
Корпус: TO-247; dV/dt: 8,6В/нс; Rth: 0,7°C; Coss: 315пФ; Crss: 83пФ; Qg: 123нКл; Qgs: 21нКл; Qgd: 57нКл; Trise: 43нc; Tfall: 33нc; Trr: 186нc;Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Подбор аналога: рекомендации и советы

Если вам необходимо заменить транзистор IRFP250, важно правильно подобрать его аналог, чтобы обеспечить корректную работу вашей схемы. В этом разделе мы представим вам рекомендации и советы по выбору заменителя для данного транзистора

1. Параметры

При подборе аналога обратите внимание на следующие параметры:

Максимальное напряжение стока-истока (Vds). Убедитесь, что заменитель имеет такое же или большее значение, чтобы обеспечить надежную работу схемы.
Максимальный ток стока (Id). Учтите нагрузку и требования вашей схемы при выборе аналога.
Сопротивление сток-исток (Rds). Подберите заменитель с аналогичным или меньшим значением, чтобы снизить потери мощности.
Температурный диапазон. Узнайте, в каком диапазоне температур ваша схема будет работать, и подберите аналог с рекомендованным диапазоном.

2. Производительность

При выборе аналога обратите внимание на производительность транзистора. Используйте данные о его работе в различных режимах и нагрузках, чтобы убедиться, что заменитель подходит для вашей схемы

3. Доступность. Проверьте доступность аналога на рынке. Узнайте, какие производители предлагают аналоги транзистора IRFP250, и выберите наиболее подходящего из них.

4. Рекомендации производителя. Изучите рекомендации производителя вашей схемы или устройства, в котором используется транзистор IRFP250. Возможно, они уже указывают на доступные аналоги или дают рекомендации по подбору заменителя.

Важно помнить, что даже если аналог имеет похожие параметры, он может иметь некоторые различия в работе или использовании. Поэтому перед заменой транзистора IRFP250 на аналог рекомендуется провести тщательное тестирование и анализ схемы для уверенности в правильности выбора

Аналоги от других производителей

Кроме транзистора IRFP250, существует несколько аналогичных моделей от других производителей, которые могут быть использованы в качестве замены. Некоторые из них:

1. STP12NK60Z

Транзистор STP12NK60Z, производимый компанией STMicroelectronics, также относится к типу MOS-транзисторов средней мощности. Он имеет аналогичные электрические характеристики и может использоваться в широком спектре применений.

2. FDPF18N50

FDPF18N50 – это MOS-транзистор средней мощности, произведенный компанией ON Semiconductor. Он имеет сопоставимые параметры и может быть использован вместо IRFP250 во многих схемах.

3. RFP50N06

RFP50N06 – MOS-транзистор, выпускаемый компанией Fairchild Semiconductor. Он также является аналогом IRFP250 и может успешно заменить его в большинстве случаев.

Перед заменой транзистора IRFP250 на аналогичную модель от другого производителя всегда следует проводить дополнительные исследования и проверки соответствующих технических характеристик.

Introduction

An amplifier circuit is an essential component in the field of electronics, as it is responsible for increasing the strength of electrical signals. Among the numerous amplifier circuits available, the MOSFET amplifier is one of the most widely used due to its superior performance. In this article, we will discuss a 200W MOSFET Amplifier Circuit Diagram that utilizes the IRFP250N MOSFET, along with 2N5401, BD139, and MJE340 transistors. This article aims to provide a comprehensive understanding of the circuit and its specifications, detailing the components and their functionalities.

IRFP250: описание и особенности

Основные характеристики IRFP250:

Максимальное сопротивление открытого канала (Rds(on)) составляет 0,18 Ом при напряжении питания 100 Вольт. Это позволяет использовать транзистор для работы с высокими токами.
Максимальный допустимый дренажный ток (Id) составляет 30 Ампер. Благодаря такому высокому значению, IRFP250 подходит для использования в схемах с большими нагрузками.
Максимальное напряжение питания (Vds) составляет 100 Вольт, что позволяет использовать транзистор в различных приложениях.
IRFP250 обладает высокой температурной стабильностью. Допустимая температура корпуса составляет до +175 градусов Цельсия, что делает его подходящим для применения в условиях повышенной тепловыделения.
IRFP250 имеет универсальный кремнийный корпус TO-247, который обеспечивает хорошую теплоотводность и легкое монтажное крепление.

В целом, IRFP250 является надежным и мощным транзистором, который может быть использован в различных устройствах, например, схемах усилителей звука, источниках питания или в схемах управления электродвигателями.

Критерии выбора подходящего эквивалента

Выбор подходящего эквивалента для транзистора IRFP250 зависит от нескольких критериев, которые следует учитывать при замене данного транзистора:

Критерий	Описание
Тип транзистора (N-канал или P-канал)	Необходимо учитывать тип транзистора, так как N-канальные и P-канальные транзисторы имеют различные характеристики и спецификации. При замене IRFP250, необходимо найти эквивалент с соответствующим типом транзистора.
Максимальные рабочие параметры	При выборе эквивалента необходимо убедиться, что новый транзистор имеет достаточно высокие максимальные рабочие параметры, такие как максимальное напряжение, максимальный ток и мощность. Они должны быть не меньше, чем у IRFP250, чтобы обеспечить надежную работу системы.
Электрические характеристики	Транзисторы имеют различные электрические характеристики, такие как сопротивление открытого и закрытого состояний, величина порогового напряжения и т.д. При замене необходимо выбрать эквивалент, у которого эти характеристики максимально близки к IRFP250.
Температурный диапазон	При выборе эквивалента необходимо учитывать температурный диапазон работы системы. Новый транзистор должен иметь допустимый диапазон температур, который соответствует требованиям работы системы, чтобы избежать перегрева или нестабильной работы.
Наличие доступных заменителей	Необходимо проверить наличие доступных заменителей на рынке. Если у IRFP250 нет прямого эквивалента, можно выбрать транзистор с похожими характеристиками от другого производителя.

Учитывая эти критерии, можно найти подходящий эквивалент для транзистора IRFP250 и успешно заменить его в схеме или устройстве.

More projects, You may like:

Video Transmitter DIY Homemade FM Radio Transmitter
Adjustable Power Supply DIY Battery Charger
12V-220V 500 Watt inverter DIY Homemade
12V-220V H-Bridge Inverter DIY Homemade
MPPT Solar Charge Controller DIY Homemade
18650 battery bank free charge protection module
D718 B688 Bass Amplifier Homemade DIY
C5200 Bass Amplifier DIY Homemade with Volume
DIY LA4440 bass amplifier homemade
C5200 A1943 TDA2030 Amplifier DIY Homemade

For more project and circuit diagrams, you can go through the Schematics in the main menu where you can find many interesting projects and circuit diagrams like audio amplifier circuits, voltage booster circuit, battery charger circuit and timer circuits etc., which are all beginner circuit projects. Feel free to check them out!

200W MOSFET Amplifier Circuit IRFP250N
MOSFET Amplifier Circuit using IRFP250N

Thank you for visiting the article.

In Stock: 1221483

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Explanation of MOSFET Amplifier Circuit IRFP250N

IRFP250N MOSFET: The IRFP250N MOSFET is the main component of this amplifier circuit. It is a high power N-Channel MOSFET capable of handling large currents and voltages. Its low on-resistance and fast switching characteristics make it an ideal choice for audio amplification applications.

Specifications of IRFP250N MOSFET:

Drain-Source Voltage (VDS): 200V
Gate-Source Voltage (VGS): ±20V
Continuous Drain Current (ID): 30A
Total Power Dissipation (PD): 214W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)): 2-4V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)): 0.072Ω

2N5401 Transistor: The 2N5401 is a used for pre-amplification purposes in this circuit. It provides amplification and signal conditioning before the signal is fed into the MOSFET.

BD139 and MJE340 Transistors: These are s used for the final audio output stage in the amplifier circuit. They help boost the overall power of the output signal.