Параметры полевого транзистора irf730. интернет-справочник паратран

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

• Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
• Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
• Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
  • IRF3704ZPBF
  • IRLB8743PBF
  • IRL2203NPBF
  • IRLB8748PBF
  • IRL8113PBF

Схемы с использованием TL431

Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.

Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)

Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:

Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)

Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.

Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.

Лабораторный блок питания на TL431 с защитой

Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.

Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.

Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)

Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.

Индикатор напряжения

Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.

Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.

Таймер задержки на TL431

Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).

Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.

Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317

Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).

Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.

Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Как выбрать аналог транзистора IRF730

Транзистор IRF730 обладает уникальными характеристиками и может использоваться в различных электронных схемах. Но иногда может возникнуть необходимость найти аналог данного транзистора, если он не доступен или не подходит для конкретного проекта.

При выборе аналога транзистора IRF730 необходимо обратить внимание на следующие характеристики:

1. Тип корпуса: проверьте, совпадает ли тип корпуса транзистора с IRF730. Некоторые аналоги могут иметь отличный тип корпуса, что потребует изменений в конструкции схемы.

2. Тип транзистора: учитывайте тип транзистора, так как различные типы могут иметь разные электрические характеристики и работать с разными напряжениями и токами.

3. Максимальные значения напряжения и тока: убедитесь, что аналог имеет достаточно большие максимальные значения напряжения и тока, чтобы обеспечить правильную работу в вашей схеме.

4. Характеристики работы: изучите документацию на аналоги и сравните их характеристики, такие как коэффициент усиления, сопротивление и прочие параметры. Они могут отличаться от характеристик транзистора IRF730.

Найдя подходящий аналог транзистора IRF730, убедитесь, что он совместим с вашим проектом и не приведет к ошибкам в работе схемы. Имейте в виду, что некоторые аналоги могут иметь менее надежную работу или более высокую стоимость, поэтому выбирайте аналог, который наилучшим образом соответствует требованиям вашего проекта.

Инструкция по монтажу и схема подключения

1. Проверьте соответствие контактных площадок транзистора IRF730 плате. Убедитесь, что контактные площадки транзистора подходят по размеру и форме к плате, на которой вы собираетесь его монтировать. В случае несоответствия, необходимо произвести подгонку или использовать адаптерную плату.

2. Подготовьте паяльное оборудование и материалы. Для монтажа транзистора IRF730 вам понадобится паяльная станция или паяльник, припой, отпайка или паста для удаления старого припоя, флюс для облегчения пайки.

3. Подготовьте плату. Перед монтажом транзистора IRF730 следует проверить плату на наличие повреждений, коротких замыканий и неправильных соединений. При необходимости произведите ремонт платы.

4. Паяльная монтажная процедура. Припаяйте контактные площадки транзистора IRF730 к контактным площадкам платы. Убедитесь, что пайка произведена качественно и что контакты не замыкаются на соседние.

5. Проверка монтажа. После завершения монтажа транзистора IRF730 на плату, тщательно осмотрите его под микроскопом на наличие окислов, паяных перемычек и других дефектов. Убедитесь, что монтаж выполнен корректно.

6. Схема подключения. Подключите транзистор IRF730 в соответствии с необходимой схемой. Обратитесь к документации или разработчику схемы для получения подробной информации о требуемом подключении.

Пожалуйста, обратитесь к документации и специалистам для получения подробной информации о монтаже и подключении транзистора IRF730, чтобы избежать неправильного использования и повреждения компонента.

Как проверить IRF3205

Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.

Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).

Проверка диода

На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока

Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.

Проверка работы транзистора

Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.

Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.

В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.

После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.

Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.

Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.

IRF730: описание транзистора

IRF730 имеет максимальное напряжение переключения Drain-Source 400V и максимальный ток смещения 5.5А. Это делает его отличным выбором для использования в различных устройствах, требующих большой мощности и надежной работы в условиях высокого напряжения.

Этот транзистор характеризуется высокой скоростью переключения, низким сопротивлением канала и низким уровнем шума. IRF730 также обладает высокой теплопроводностью и может работать в широком диапазоне температур от -55°C до +150°C.

IRF730 широко используется в различных устройствах, таких как стабилизаторы, блоки питания, инверторы, сварочные аппараты и другие электронные устройства, где требуется управление мощностью и высокая надежность.

Компания International Rectifier известна своими качественными и инновационными продуктами, и IRF730 не является исключением. Этот транзистор отличается высокой производительностью и долгим сроком службы, что делает его идеальным выбором для различных приложений.

Функциональность и области применения транзистора IRF730

Транзистор IRF730 может быть использован в различных областях, таких как:

Область применения	Описание функциональности
Аудиоусилители	Транзистор IRF730 может быть использован в аудиоусилителях для усиления звука сигналов.
Источники питания	Благодаря своей высокой производительности и низкому потреблению энергии, транзистор IRF730 может быть применен в источниках питания для стабилизации и регулирования напряжения.
Импульсные источники	Транзистор IRF730 также может быть использован в импульсных источниках для коммутации сигналов с высокой скоростью.
Переключатели светодиодов	Благодаря своей высокой надежности и экономии энергии, транзистор IRF730 может быть применен в переключателях светодиодов для управления световыми индикаторами.
Электромоторы	Транзистор IRF730 может использоваться для управления электромоторами в различных устройствах и системах.

Транзистор IRF730 является надежным и эффективным компонентом, который может быть использован в широком спектре электронных устройств и систем. Благодаря своим характеристикам и возможностям, он позволяет повысить производительность и эффективность работы электронных устройств.

Устройство IRF3205

Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.

Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.

Технические характеристики

В первую очередь рассмотрим максимальные х-ки. Их превышение в процессе эксплуатации не допускается. Все они были измерены при температуре +25°С. Для IRF730 их значения равны следующим величинам:

• напряжение наибольшее между С-И V_DS = 400 В;
• напряжение максимальное между С-З (при R_GS = 20 кОм) V_DS = 400 В;
• отпирающее напряжение З-И V_GS = ±30 В;
• ток идущий через сток:
  • — при +25ОС I_D = 5,5 А;
  • — при +100ОС I_D = 3,5 А;
• ток идущий через С небольшой промежуток времени I_DМ = 22 А;
• мощность P_D = 74 Вт;
• зависимость мощности от т-ры 0,6 Вт/ ОС;
• пиковая крутизна напряжения восстановления диода dv/dt = 4,6 В/нс;
• диапазон рабочих температур T_stg = -65 ОC … +150ОC;
• предельная температура кристалла T_j = +150ОC;
• термосопротивление кремний корпус R_thj-case =1,25ОC/Вт;
• термосопротивление кремний воздух R_thj-amb =1,25ОC/Вт;
• термосопротивление корпус радиатор R_thj-case =1,25ОC/Вт;

Также следует знать электрические х-ки. Они проверялись при т-ре +25°С. Другие условия тестирования расположены в специальной колонке таблицы.

Электрические х-ки IRF730 (при Т = +25ОC)
Название	Условия	Обозначение				Ед
Напряжение между С-И требуемое для пробоя	ID = 250 мкА	V(BR)DSS	400			В
Зависимость напряжения пробоя от нагрева	ID=1 мА	ΔV(BR)DSS/TJ		0,5		В/ОС
Пороговое напряжение между З-И	ID = 250 мкА	VGS(th)	2		4,5	В
Утечка от З тр-ра к И	VGS = ± 30 В	IGSS			±100	нА
Величина утечки при разности потенциалов на затворе тр-ра  равной 0	VDS = 400 В	IDSS			25	мкА
VDS = 320 В, TJ = 125ОC			250
Электрическое сопротивление между С-И когда IRF730 открыт	VGS = 10 В, ID = 3,3 A	RDS(on)			1	Ом
Прямая крутизна	VDS = 50 В , ID = 3,3 А	gfs	3,1
Ёмкость (вых.)	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		600		пФ
Выходная ёмкость I	Coss		103
Обратная ёмкость	Crss		4
Общий заряд на З	VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В	Qg			22	нКл
Заряд между З-И тр-ра	Qgs			5,8
Заряд между З-С тр-ра	Qgd			9,3
Время откр.	VDD = 200 В, ID = 3,5 А, RG = 12 Ом, RD = 57 Ом	td(on)		10		нс
Время увеличения импульса открытия	tr		22
Время закр.	td(off)		20
Время уменьшения импульса	tf		16
Ёмкость (вых.)	VGS = 0 В, VDS = 1 В, f = 1,0 МГц	Coss		890		пФ
VGS = 0 В, VDS = 320 В, f = 1,0 МГц		30
Эффективная ёмкость (вых.)	VGS = 0 В, VDS = от 0 до 320 В	Coss eff		45
Ток И-С		IS			5,5	А
Ток И-С (текущий маленький промежуток времени)		ISM			22	А
Разность потенциалов на диоде	TJ=25 ОC, IS =5,5A, VGS = 0 В	VSD			1,6	В
Время нужное для восстановления	TJ = 25ОC, IF = 3,5 A, dI/dt = 100 A/мкс	trr		370	550	нс
Заряд требуемый для восстановления	Qrr		1,6	2,4	мкФ
Энергия лавины одиночного импульса		EAS			290	мДж
Лавинный ток		IAR			5,5	А
Циклическая энергия лавины		EAR			7,4	мДж

In Stock: 12643

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Маркировка IRF3205

В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.

Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.

А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).

TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.

Аналоги

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF630	100 W	200 V	20 V	4 V	10 A	150 °C	40 nC		1500 pf	0,4 Ohm	TO220
STP30NF20	125 W	200 V	20 V	4 V	30 A	150 °C	38 nC	15,7 ns	320 pf	0,075 Ohm	TO220
STP19NM50N	110 W	500 V	25 V	4 V	14 A	150 °C	34 nC	16 ns	72 pf	0,25 Ohm	TO220
STP13N60M2	110 W	600 V	25 V	4 V	11 A	150 °C	17 nC	10 ns	32 pf	0,38 Ohm	TO‑220
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
IRFP640	125 W	200 V	20 V	4 V	18 A	150 °C		51 ns	430 pf	0,18 Ohm	TO220
IRFB5620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4620	144 W	200 V	20 V		25 A		25 nC			0,0725 Ohm	TO220AB
IRFB4020	100 W	200 V	20 V		18 A		18 nC			0,1 Ohm	TO220AB
IRF644A	139 W	250 V			14 A	150 °C			1230 pf	0,28 Ohm	TO220
IRF640A	139 W	200 V			18 A	150 °C			1160 pf	0,18 Ohm	TO220
IPP60R199CP	139 W	600 V	20 V	3,5 V	16 A	150 °C	32 nC	5 ns	72 pf	0,199 Ohm	TO220
IPP600N25N3G	136 W	250 V	20 V	4 V	25 A	175 °C	22 nC	10 ns	112 pf	0,06 Ohm	TO220
IPP50R190CE	127 W	500 V	20 V	3,5 V	18,5 A	150 °C		8,5 ns	68 pf	0,19 Ohm	TO‑220
IPP410N30N	300 W	300 V	20 V	4 V	44 A	175 °C		9 ns	374 pf	0,041 Ohm	TO‑220
IPP320N20N3	136 W	200 V	20 V	4 V	34 A	175 °C	22 nC	9 ns	135 pf	0,032 Ohm	TO‑220
IPP220N25NFD	300 W	250 V	20 V	4 V	61 A	175 °C		10 ns	398 pf	0,022 Ohm	TO‑220
IPA50R199CP	139 W	500 V	20 V	3,5 V	17 A	150 °C	34 nC	14 ns	80 pf	0,199 Ohm	TO220FP
FCP13N60N	116 W	600 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	30,4 nC			0,258 Ohm	TO220
BUZ61	150 W	400 V	20 V		12,5 A	150 °C				0,4 Ohm	TO‑220AB
BUZ30A	125 W	200 V	20 V	4 V	21 A	150 °C		70 ns	280 pf	0,13 Ohm	TO‑220
AOT42S60L	417 W	600 V	30 V	3,8 V	39 A	150 °C		53 ns	135 pf	0,099 Ohm	TO220
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
18N20	110 W	200 V	30 V		18 A	150 °C		21,1 ns	81,2 pf	0,16 Ohm	TO251 TO252 TO220
18N40	360 W	400 V	30 V		18 A	150 °C		22 ns	280 pf	0,18 Ohm	TO‑247 TO‑220 TO‑220F1
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
15N40	170 W	400 V	30 V		15 A	150 °C		55 ns	210 pf	0,26 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
12N40	192 W	400 V	30 V		12 A	150 °C		105 ns	900 pf	0,34 Ohm	TO‑220 TO‑220F1

В качестве отечественных аналогов могут подойти полевые транзисторы КП630 и КП737А.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Защита и охлаждение транзистора IRF730

Транзистор IRF730 имеет некоторые особенности в связи с его работой в электронных устройствах. Для обеспечения надежной работы и продлении срока службы транзистора рекомендуется применять определенные меры по его защите и охлаждению.

Одной из важных составляющих защиты транзистора является правильное подключение питания. Необходимо обеспечить стабильное и качественное напряжение, а также предусмотреть схему защиты от перенапряжения и перегрузок. Рекомендуется использовать предохранитель или автоматический выключатель, чтобы предотвратить выход транзистора из строя при возникновении аварийных ситуаций.

Также важным аспектом защиты транзистора является предусмотрение схемы ограничения тока. Для этого можно применить резистор в серии с транзистором или использовать специальную схему с токовым ограничителем. Это позволит предотвратить перегрев и повреждение транзистора в случае превышения рабочего тока.

Однако даже при соблюдении всех мер предосторожности, транзистор может нагреваться в процессе работы. Для обеспечения надежного охлаждения рекомендуется применять радиаторы

Радиатор должен быть достаточно большим и с качественным контактом с корпусом транзистора, чтобы эффективно отводить тепло. Также можно использовать вентиляторы или пассивное охлаждение с использованием теплопроводящих материалов.

При выборе радиатора и охлаждающей системы также необходимо учитывать мощность, при которой работает транзистор, и окружающую среду. Кроме того, следует заметить, что характеристики охлаждения могут различаться в зависимости от производителя и модели транзистора.

Важно отметить, что для обеспечения надежной и безопасной работы транзистора IRF730 необходимо соблюдать все требования и рекомендации, указанные в технической документации производителя

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.

Особенности:

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
• Изолированный корпус.

Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	900	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	7	В
Ic	Ток коллектора постоянный/импульсный	—	—	—	3,0/5,0	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	25	Вт
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 0,15 А	15	—	—	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А	—	—	1,0	В
Ib	Ток базы	—	—	—	1,0	А
Tr/Tf	Время нарастания/спада	—	—	0,5	0,7/0,5	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
25000	900	800	7	3000	+150	200000	15

  Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода

Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC5353

Общий вид транзистора 2SC5353.	Цоколевка транзистора 2SC5353.

Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5353

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: TO220NIS

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

«>

IRF730: применение

Транзистор IRF730 имеет широкий спектр применения в различных устройствах, связанных с усилением и коммутацией сигналов. Вот некоторые примеры его использования:

1. Усилители мощности: IRF730 может быть использован в усилителях звука, радио- и телевизионных передатчиках для усиления сигналов высокой мощности. Благодаря высокому входному и выходному сопротивлению, этот транзистор обеспечивает эффективную передачу сигнала.

2. Источники питания: IRF730 может использоваться в источниках питания, где требуется управление большими токами. Он обладает низким сопротивлением и высокой эффективностью, что позволяет ему обеспечивать стабильное напряжение питания для электронных устройств.

3. Преобразователи постоянного тока: Транзистор IRF730 применяется в преобразователях постоянного тока, таких как инверторы и источники переменного тока. Благодаря своей высокой мощности и низкому сопротивлению, он способен эффективно преобразовывать постоянный ток в переменный и обеспечивать стабильное питание для электронных устройств.

4. Электронный контроль: IRF730 может быть также использован для управления электронными устройствами, такими как светодиоды, реле, моторы и другие. Благодаря своей высокой граничной рабочей температуре и надежности, этот транзистор может быть использован в различных приложениях, где требуется точный и надежный электронный контроль.

В целом, транзистор IRF730 является универсальным и надежным устройством, которое может быть использовано в широком спектре электронных устройств, связанных с усилением и коммутацией сигналов.