IRF640 характеристики тразистора, datasheet на русском, цоколевка, аналоги
Главная » Транзисторы
Характеристики мощного полевого транзистора IRF640 говорят нам о том, что он используется в схемах требующих высокой скорости и низкой мощности переключения затвора, в системах управления электроприводом реле.
Также его применяют для управления его биполярными сородичами. Он является n-канальным МОП-транзистором (MOSFET), который можно встретить в блоках питания, телевизорах и компьютерных мониторах. Управление данным изделием может осуществляться непосредственно от микросхемы.
Распиновка
Цоколевка IRF640 выполнена в пластмассовом корпусе ТО-220АВ с жесткими выводами. На рисунке ниже показано расположение их и геометрические размеры корпуса.
Если смотреть на маркировку то слева направо будут расположены: первая ножка — затвор, вторая — сток, третья — исток.
Характеристики
На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:
- Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
- Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
- Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):18 А (при Тс= +25оС).11 А (при Тс= +100оС).
- Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
- Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
- Максимальная температура: +300оС.
- Рабочая температура: от -55оС до +150оС
Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.
Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.
Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.
Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.
Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.
Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.
Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально.
На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.
Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic < 18 А. После этого начинает уменьшаться.
Аналоги
Среди зарубежных аналогов транзистора IRF640 можно назвать: 2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ31, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20. А среди отечественных аналогов выделяют всего два устройства: КП750А и КП640.
Производители
Транзистор IRF640 производят следующие компании (их datasheet доступен по ссылки): STMicroelectronics, Fairchild Semiconductor, International Rectifier, Suntac Electronic Corp, Dc Components, Comset Semiconductor, Nell Semiconductor, ARTSCHIP ELECTRONICS, NXP Semiconductors, Inchange Semiconductor Company Limited, Weitron Technology, First Components International.
MOSFET
Интеграция с технологией управления потоками для оптимизации работы
Интеграция с технологией управления потоками может быть достигнута путем использования специализированных компонентов или программного обеспечения, которые помогут оптимизировать выполнение задач и управлять потоками данных.
Одним из примеров такой технологии является параллельное программирование. Параллельное программирование позволяет разбить задачи на отдельные потоки, которые могут быть выполнены параллельно на множестве ядер процессора. Это увеличивает производительность и сокращает время выполнения задачи.
Другой возможный подход – это использование специализированных контроллеров, которые управляют потоками данных и обеспечивают более эффективную работу. Контроллеры могут иметь различные функции, такие как управление частотой процессора, балансировка нагрузки или управление энергопотреблением.
Интеграция с технологией управления потоками может помочь оптимизировать работу и повысить эффективность системы. Управление потоками – это широкоиспользуемая и признанная технология, которая применяется во многих сферах, включая программирование, телекоммуникации, автоматизацию и другие.
В конечном итоге, выбор лучшей альтернативы транзистору irf640 для эффективной работы зависит от конкретных требований и задач системы. Однако, интеграция с технологией управления потоками является одним из возможных подходов, который может значительно улучшить производительность и оптимизировать работу системы.
Использование полевого эффекта для увеличения производительности
Одним из главных преимуществ полевых транзисторов является их низкое потребление энергии. Их дизайн позволяет управлять током через канал, используя электрическое поле. Это позволяет существенно увеличить эффективность работы и снизить тепловыделение. Кроме того, полевые транзисторы имеют меньший входной импеданс и большее входное сопротивление, что позволяет улучшить работу сигнала и снизить потери.
Еще одним преимуществом полевых транзисторов является их высокая скорость коммутации. Это делает их идеальным выбором для применений, где требуется быстрое открытие и закрытие цепи, таких как переключатели и инверторы. Кроме того, полевые транзисторы имеют высокую степень надежности и долговечности, что делает их привлекательными для использования во многих различных приложениях.
Таким образом, использование полевого эффекта может значительно увеличить производительность и эффективность устройства. Найдя лучшую альтернативу транзистору irf640, основанную на полевом эффекте, можно получить значительные преимущества в работе электронных схем и устройств.
In Stock: 1196785
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
![Irf640n mosfet transistor[faq+video]: datasheet, equivalent, and pinout](https://pafosklub.ru/wp-content/uploads/1/9/1/1917a742fe1eb1014d946bb37d60c757.gif)
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
160-ВАТТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ПАРАХ IRF640/IRF9640
Приветствую всех подписчиков и гостей канала! Сегодня в разделе УМЗЧ конструкция мощного высококачественного усилителя с комплементарными парами mosfet -транзисторов IRF640/ IRF9640 в выходном каскаде, которые включены в параллель. Эти транзисторы выпускаются в корпусе TO-220 и для эффективного отвода тепловой энергии естественно, что одной пары было бы мало. В схеме применены три пары этих транзисторов, благодаря чему все они работают в « щадящем » режиме – на максимальных мощностях ток через каждую пару не превышает 1 А , а выделяется на каждом из транзисторов не более 16 Вт , при этом начальный ток (ток покоя) составляет 50 мА через каждую пару, а общий соответственно 150 мА .
Несмотря на относительно большую выходную мощность – 160 Вт и низкий коэффициент гармонических искажений, который при номинальной выходной мощности на частоте 1 кГц равен всего лишь 0,005% , а в диапазоне от 20 Гц до 20 кГц не превышает 0,015% , схема довольно проста, легко повторима и не требует какой-то особой наладки. Сама схема усилителя приведена на рисунке ниже.
Основные технические характеристики:Номинальное входное напряжение – 700 мВ ( 1В амплитудного);Напряжение питания – двухполярное — ± 45 В ;Начальный ток (ток покоя) выходного каскада – 3 × 50 мА ;Номинальная выходная мощность, измеренная на 4- омной активной нагрузке – 160 Вт ;Рабочий диапазон частот – 10 Гц-40 кГц ;Неравномерность АЧХ в рабочей полосе частот – ±0,5 дБ ; Коэффициент гармонических искажений при номинальной выходной мощности ( 160 Вт ) на частоте:1 кГц – 0,005% ;20 кГц – 0,015% .
Работа схемы
Схема представляет из себя « почти » классический УМЗЧ на полевых транзисторах. В ней содержится два дифференциальный усилительных каскада. Первый – входной на транзисторах VT1 и VT5 работает с генератором тока 3 мА на n — канальном полевом транзисторе VT3 2SK30ATM ( Toshiba ) и нагруженном на токовое зеркало VT2 VT4 . Входной дифкаскад обеспечивает смещение нуля на выходе УМЗЧ не более 20 мВ без каких-либо дополнительных подстроек.
Второй дифференциальный усилитель выполнен на транзисторах VT6 и VT11 . Оригинальное схемное решение применено для задания его режима — ток коллектора VT6 равный
7 мА задан генератором тока на элементах R10, R11, VD3, VD4, VT8, VT9 , а такой же ток коллектора VT11 обеспечивается токовым зеркалом на транзисторах VT7 и VT10 .
Далее следует выходной комплементарный каскад на тройках mosfet-транзисторов VT13- VT18 , начальный ток транзисторов которого в 50 мА устанавливают при налаживании подстроечным резистором R12 . Термостабильность тока выходного каскада обеспечивается установкой на общий теплоотвод транзисторов VT13- VT18 и транзистора VT12 .
Конструкция, детали, наладка
Печатая плата для схемы усилителя показана на рисунке ниже.
Транзисторы VT12- VT18 размещены на плате в одну линию и вместе с ней крепятся к теплоотводу через специальный теплопроводящие изоляционный подложки с пастой КТП-8 .
Используемые в схеме конденсаторы – К10-17Б , электролитические – ECAP (К50-35) . Резисторы – С2-23 , С1-4 , кроме истоковых в выходном каскаде, которые должны быть проволочными, мощностью не менее 1 Вт , например, типа KNP-100 . Подстроечный резистор R12 – многооборотный типа 3296W . Индуктивность L1 содержит 10 витков эмалированного медного обмоточного провода диаметром по меди 1 мм , намотанных на оправке диаметром 10 мм .
Наладка включает в себя стандартные операции по настройке любого УМЗЧ , которая описывалась в некоторых других статьях этого раздела , так что повторяться не буду, скажу лишь про установку начального тока выходных транзисторов. Перед первым включением движок подстроечного резистора R12 должен находится в нижнем по схеме положении, т.е. иметь максимальное сопротивление. Далее включаем мультиметр в режиме измерения напряжения (малый предел 100-200 мВ ) и подключаемся на любой из резисторов в цепи истока выходных транзисторов. Затем вращая движок подстроечника R12 добиваемся значения напряжения на резисторе 5-5,5 мВ , что будет соответствовать току покоя 50 мА .
Способы проверки irfz44n
Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.
Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.
Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.
Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.
У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.
По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.
Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.
irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.
Аналоги
| Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 55 nC | 2100 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
| IRF640A | 139 W | 200 V | 18 A | 150 °C | 1160 pf | 0,18 Ohm | TO220 | ||||
| IRF640N | 150 W | 200 V | 20 V | 18 A | 44,7 nC | 0,15 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFP640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 51 ns | 430 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
| 18N40 | 360 W | 400 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 22 ns | 280 pf | 0,18 Ohm | TO‑247 TO‑220 TO‑220F1 | ||
| AOT29S50 | 357 W | 500 V | 30 V | 29 A | 150 °C | 39 ns | 88 pf | 0,15 Ohm | TO‑220 | ||
| AOT42S60L | 417 W | 600 V | 30 V | 3,8 V | 39 A | 150 °C | 53 ns | 135 pf | 0,099 Ohm | TO220 | |
| BUZ30A | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 21 A | 150 °C | 70 ns | 280 pf | 0,13 Ohm | TO‑220 | |
| FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
| IPP220N25NFD | 300 W | 250 V | 20 V | 4 V | 61 A | 175 °C | 10 ns | 398 pf | 0,022 Ohm | TO‑220 | |
| IPP320N20N3 | 136 W | 200 V | 20 V | 4 V | 34 A | 175 °C | 22 nC | 9 ns | 135 pf | 0,032 Ohm | TO‑220 |
| IPP410N30N | 300 W | 300 V | 20 V | 4 V | 44 A | 175 °C | 9 ns | 374 pf | 0,041 Ohm | TO‑220 | |
| IPP50R140CP | 192 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 23 A | 150 °C | 48 nC | 14 ns | 110 pf | 0,14 Ohm | TO220 |
| IPP600N25N3G | 136 W | 250 V | 20 V | 4 V | 25 A | 175 °C | 22 nC | 10 ns | 112 pf | 0,06 Ohm | TO220 |
| IPP60R165CP | 192 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 21 A | 150 °C | 39 nC | 5 ns | 100 pf | 0,165 Ohm | TO220 |
| IRF650A | 156 W | 200 V | 28 A | 150 °C | 2300 pf | 0,085 Ohm | TO220 | ||||
| IRFB4620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| IRFB5620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
| NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
| STP30NF20 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 30 A | 150 °C | 38 nC | 15,7 ns | 320 pf | 0,075 Ohm | TO220 |
| UF640 | 139 W | 200 V | 20 V | 18 A | 150 °C | 58 ns | 240 pf | 0,14 Ohm | TO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F | ||
| 2SK2136 | 75 W | 200 V | 30 V | 20 A | 150 °C | 30 nC | 85 ns | 540 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
| FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
| FQA19N20C | 180 W | 200 V | 30 V | 4 V | 21,8 A | 150 °C | 53 nC | 150 ns | 195 pf | 0,17 Ohm | TO3P |
| BUZ31 | 95 W | 200 V | 20 V | 4 V | 14,5 A | 150 °C | 50 ns | 195 pf | 0.2 | PG-TO-220-3 |
В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Схема подключения
В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.
Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.
От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.
IRF640 vs IRF740 vs IRF640N
In this table, we try to compare the electrical characteristics of IRF640, IRF740, and IRF640N, this comparison is really helpful for the replacement process.
| Characteristics | IRF640 | IRF740 | IRF640N |
|---|---|---|---|
| Drain to source voltage (VDS)) | 200V | 400V | 200V |
| Gate to source voltage (VGS) | 20V | 20V | 20V |
| The gate threshold voltage (VG(th)) | 2, 3 to 4V | 2 to 4V | 2 to 4V |
| Drain current (ID) | 18A | 10A | 18A |
| Pulsed drain current | 72A | 40A | 72A |
| Zero gate voltage drain current (IDSS) | 25 to 250uA | 25 to 250uA | 25 to 250uA |
| Total gate charge (Qg) | 55 to 72nC | 63nC | 67nC |
| Power dissipation (PD) | 125W | 125W | 150W |
| Junction temperature (TJ) | -55 to +150°C | -55 to +150°C | -55 to +175°C |
| Drain to source on-state resistance (RDS) | 0.15 to 0.18Ω | 0.55Ω | 0.15Ω |
| Rise time (tr) | 27 to 35ns | 27ns | 19ns |
| Reverse recovery time (trr) | 240ns | 370 to 790ns | 167 to 251ns |
| Input capacitance | 1200 to 1560pf | 1400pf | 1160pf |
| Output capacitance | 200 to 260pf | 330pf | 1850pf |
| Package | TO-220 | TO-220AB | TO-220AB |
IRF640 specification
- IRF640 is an N-channel POWER MOSFET device
- Drain to source voltage (VDS) is 200V
- Gate to source voltage (VGS) is +/- 20V
- Gate to the threshold voltage (VGS (th)) is 2V to 4V
- Drain current (Id) is 18A
- Pulsed drain current (IDM) is 72A
- Power dissipation (PD) is 125W
- Total gate charge (Qg) is 55 to 72nC
- Drain to source on-state resistance (RDS (ON)) 15 to 0.18Ω
- Zero gate voltage drain current (IDSS) is 25 to 250uA
- Rise time (tr) is 27 to 35ns
- Peak diode recovery dv/dt is 5V/ns
- Thermal resistance junction to case (Rth j-C) is 1℃/W
- Junction temperature (TJ) is between -55 to 150℃
- Body diode reverse recovery (trr) 240ns
- Input capacitance is 1200 to 1560pf
- Output capacitance is 200 to 260pf
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirement
- Low intrinsic capacitance
- Gate charge minimized
- Low on-resistance
- Cost-effective
- Low thermal resistance
Технические характеристики
Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.
Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:
- напряжение сток-исток VDS = 200 В;
- напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
- ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
- при Тс= +25°С ID = 18 А;
- при Тс= +100°С ID = 11 А;
- кратковременный ток стока: 72 А.
- мощность PD = 125 Вт;
- максимальная т-ра кремния +300°С;
- рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.
Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.
| Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 о C) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Статические характеристики | ||||||
| Напряжение пробоя сток-исток | ID = 250 мкА, VGS = 0 В | VDSS | 200 | В | ||
| Пороговое напряжение включения затвор-исток | ID = 250 мкА, VGS = VDS | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | В |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS = 200 В, VGS = 0 В,
Tj = 25°C |
IDSS | 25 | мкА | ||
| VDS = 200 В, VGS = 0 В,
Tj = 125°C |
250 | мкА | ||||
| Ток утечки затвор-исток | VGS = 20 В, VDS = 0 В | IGSS | 100 | нА | ||
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | ID = 10 A, VGS = 10 В | RDS(on) | 0,15 | 0,18 | Ом | |
| Динамические характеристики | ||||||
| Крутизна | ID = 9 A | gfs | 7 | 11 | S | |
| Входная ёмкость | VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц | 1200 | 1560 | пФ | ||
| Выходная ёмкость | 200 | 260 | пФ | |||
| Ёмкость затвор — сток | 60 | 80 | пФ | |||
| Время задержки включения | VDD =100 В, ID =18 A,
RG =25 Ом |
td(on) | 20 | 50 | нс | |
| Время нарастания | tr | 145 | 300 | нс | ||
| Время задержки включения | td(off) | 145 | 300 | нс | ||
| Время закрытия транзистора | tf | 110 | 230 | нс | ||
| Характеристики канала исток-сток | ||||||
| Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток | Т = 25°C | IS | 18 | А | ||
| Максимально допустимый импульсный ток через канал | Т = 25°C | ISM | 72 | А | ||
| Прямое падение напряжения на диоде | Т = 25°C, IF = 18 A | VSD | 2 | В | ||
| Время обратного восстановления | VR = 25 В, IF = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C | Trr | 130 | нс | ||
| Заряд восстановления | Qrr | 0,8 | мкКл |
Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.
| Тепловые характеристики IRF640 | |||
| Параметры | Обозн. | max | Ед. изм |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | Rthj-case | 1 | ° С/Вт |
| Тепловое сопротивление корпус-радиатор | Rthj-sink | 0,5 | ° С/Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда | Rthj-amb | 62,5 | ° С/Вт |
| Максимальная температура свинца для пайки | 300 | ° С |
IRF640 Мощный МОП-транзистор | Джеймсо Электроникс
Наверх
Технические характеристики
- Серия: MESH OVERLAY
- Тип полевого транзистора: N-канальный
- Технология: МОП-транзистор (оксид металла)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200 В
- Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C: 18 A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, Min Rds On): 10 В
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 мОм @ 9 А, 10 В
- Vgs(th) (макс.) @ Id: 4 В @ 250 мкА
- Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 72 нКл при 10 В
- Vgs (макс.): ±20 В
- Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds: 1560 пФ при 25 В
- Рассеиваемая мощность (макс. ): 125 Вт (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (ТДж)
- Тип монтажа: Сквозное отверстие
Комплект поставки устройства: TO-220, TO-220-3
Базовый номер: IRF6
Чтобы узнать больше о транзисторах, нажмите здесь.
Сообщить о проблеме Предложить продукт
Наверх
Технические характеристики
Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов
Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин
В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.
Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.
