Характеристики транзистора п308

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Сравнение характеристик альтернативных транзисторов

При выборе альтернативного транзистора для замены ГТ308 необходимо учитывать его характеристики и сравнивать их с параметрами оригинального транзистора.

Ток коллектора (I_C) — основной параметр, который определяет максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора. Для замены ГТ308 рекомендуется выбирать транзисторы с аналогичным или выше током коллектора.

Напряжение коллектора (V_CEO) — параметр, который указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора. Следует выбирать альтернативный транзистор с таким же или более высоким напряжением коллектора.

Власть усиления (h_FE) — показатель, характеризующий усилительные свойства транзистора. Рекомендуется выбирать альтернативный транзистор с похожим или более высоким значением h_FE для обеспечения схожих усилительных характеристик.

Мощность (P_tot) — параметр, указывающий на максимальную мощность, которую транзистор может выдержать без перегрева. При замене ГТ308 следует выбирать альтернативный транзистор с аналогичной или более высокой мощностью.

Важно! При подборе альтернативного транзистора необходимо также учитывать его тип (NPN или PNP), рабочую температуру, прочность на пробой и другие характеристики, специфичные для конкретного применения

Применение

Транзисторы ГТ308А широко используются в радиоэлектронике, особенно в аппаратуре коммутации и усиления низкой частоты. Их применение нашло во многих устройствах и системах, например:

• Радиопередатчики: Транзисторы ГТ308А используются при создании передатчиков различных типов и мощностей, в том числе и для передачи аудио сигналов.
• Усилители низкой частоты: Такие усилители находят применение в аудио устройствах, радиотехнике, звуковоспроизводящей аппаратуре и других системах, где необходимо усиление низкочастотных сигналов.
• Коммутационные устройства: Транзисторы ГТ308А могут использоваться в коммутационных схемах для переключения сигналов или управления потоком электрического тока.
• Регуляторы: Благодаря своей низкой частоте переключения, транзисторы ГТ308А применяются в регуляторах напряжения и тока для стабилизации и регулирования электрических параметров.

Обширное применение транзисторов ГТ308А обусловлено их хорошими характеристиками и надежностью работы. Благодаря этим транзисторам можно создавать эффективные и надежные радиоэлектронные устройства и системы.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов. 

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Транзистор ГТ308 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном  корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.

Характеристики транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		ГТ308А	—	2N797
ГТ308Б	—	2N796
ГТ308В	—	2N2048
ГТ308Г	—	—
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	—	—	150(360**)	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	А	—	≥90	МГц
Б	—	≥120
В	—	≥120
Г	—	≥120
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	А	—	20

В
Б
—
20

В
—
20

Г
—
20*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,} 
А
 —3
В

Б
—3

В
—3

Г
—

3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
А
—
50(120*)
мА

Б
—
50(120*)

В
—
50(120*)

Г
—
50(120*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*_КЭR, I**_КЭO
А
5 В
≤2
мкА

Б
5 В
≤2

В
5 В
≤2

Г
5 В
≤2

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
А 
1 В; 10 мА
20…75*

Б

1 В; 10 мА
50…120*

В
1 В; 10 мА
80…200*

Г
1 В; 10 мА
80…150

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
А
5 В
≤8
пФ

Б
5 В
≤8

В
5 В
≤8

Г
5 В
≤8

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером

 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас}
А
—
≤30
Ом
Б
—
≤24

В
—
≤24

Г
—
≤24

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P_вых
А
—
—
Дб, Ом, Вт

Б
—
—

В

1. 6 МГц
≤8

Г
1.6 МГц
≤8

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
А
—
≤400
пс

Б
—
≤1000*

В
—

≤400

Г
—
≤500

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме. 

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Б и коллектора I_К незначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭ с 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Основные параметры

Входными характеристиками транзистора являются:

1. Входное сопротивление (Rвх): это сопротивление между базой и эмиттером транзистора. Оно определяет способность транзистора пропускать управляющий ток между базой и эмиттером. Входное сопротивление транзистора ГТ308А обычно составляет несколько сотен Ом.

2. Коэффициент усиления по току (hfe): это параметр, который показывает, насколько усиливается выходной ток транзистора по сравнению с входным током. Коэффициент усиления по току транзистора ГТ308А обычно составляет от 50 до 300.

3. Разброс параметров (Δhfe): это показательтранзистором ГТ308А, определяющий разброс значений коэффициента усиления по току для разных экземпляров транзистора. Величина разброса параметров τf составляет примерно ±20% от среднего значения.

Таким образом, знание основных параметров транзистора ГТ308А позволяет определить его электрические характеристики и правильно использовать в схемах для получения требуемых усиливающих свойств.

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Транзистор Аналог КТ209 MPS404 КТ368А9 BF599 КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ BC547A BC547B BC548B BC549C КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C КТ3117А КТ3117Б 2N2221 2N2222A КТ3126А BF506 КТ3127А 2N4411 КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9 BC857A BC858A BC858B КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9 BCW71 BCW72 BCW31 КТ3142А 2N2369 КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9 BC847A BC847B BC847C КТ635Б 2N3725 КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10 КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A КТ645А КТ645Б 2N4400 2N4400 КТ646А КТ646Б 2SC495 2SC496 КТ660А КТ660Б BC337 BC338

Транзистор Аналог КТ668А КТ668Б КТ668В BC556 BC557 BC558 КТ940А BF458 КТ940Б КТ940В BF457 BF459 КТ961А КТ961Б КТ961В BD139 BD137 BD135 КТ969А BF469 КТ972А КТ972Б BD877 BD875 КТ684А КТ684Б КТ684В BC636 BC638 BC640 КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40 КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D КТ6112А КТ6112Б КТ6112В SS9015A SS9015B SS9015C КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I

Транзистор Аналог КТ6114А КТ6114Б КТ6114В SS8050B SS8050C SS8050D КТ6115А КТ6115Б КТ6115В SS8550B SS8550C SS8550D КТ6116А КТ6116Б 2N5401 2N5400 КТ6117А КТ6117Б 2N5551 2N5550 КТ6128А КТ6128Б SS9016D SS9016E КТ973А КТ973Б BD878 BD876 KT9116A KT9116Б TPV-394 TPV-375 KT9133A TPV-376 KT9142A 2SC3218 KT9150 TPV-595 KT9151A 2SC3812 KT9152A 2SC3660 КТ6136А 2N3906 КТ728А КТ729А MJ3055 2N3055 КТ808АМ КТ808БМ 2SC1619A 2SC1618 КТ814Б КТ814В КТ814Г BD136 BD138 BD140 КТ815Б КТ815В КТ815Г BD135 BD137 BD139 КТ817Б КТ817В КТ817Г BD233 BD235 BD237 КТ818Б TIP42 КТ819Б TIP41 КТ840А КТ840Б BU326A BU126

Транзистор Аналог КТ856А КТ856Б BUX48A BUX48 КТ867А BUY21 КТ872А КТ872Б КТ872Г BU508A BU508 BU508D КТ878А КТ878Б КТ878В BUX98 2N6546 BUX98A КТ879А КТ879Б 2N6279 2N6278 КТ892А КТ892Б КТ892В TIP661 BU932Z TIP662 КТ899А 2N6388 КТ8107А BU508A КТ8109А TIP151 КТ8110А 2SC4242 КТ8121А MJE13005 КТ8126А КТ8126Б MJE13007 MJE13006 КТ8164А КТ8164Б MJE13005 MJE13004 КТ8170А1 КТ8170Б1 MJE13003 MJE13002 КТ8176А КТ8176Б КТ8176В TIP31A TIP31B TIP31C КТ8177А КТ8177Б КТ8177В TIP32A TIP32B TIP32C КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I КТ6137А 2N3904 КТ928А 2N2218 КТ928Б КТ928В 2N2219 2N2219A

.

Совместимость альтернативных транзисторов

Совместимость транзисторов определяется несколькими ключевыми параметрами:

Тип корпуса: перед заменой транзистора, нужно убедиться, что альтернативный транзистор имеет тот же тип корпуса, что и ГТ308. Это обеспечит правильную подгонку компонента в схему.

Напряжение коллектор-эмиттер: значения напряжения коллектор-эмиттер (Vce) должны быть сопоставимы для обоих транзисторов

Это особенно важно, если заменяется транзистор в критической схеме, где точное соответствие параметров является ключевым фактором.

Ток коллектора: аналогично, значение тока коллектора (Ic) должно быть сравнимо или более высоким для альтернативного транзистора. Это гарантирует, что новый транзистор сможет обеспечить необходимый ток в схеме.

Базовый ток: последний важный параметр, который следует учитывать, — это базовый ток (Ib)

Убедитесь, что альтернативный транзистор имеет тот же или более высокий базовый ток, чтобы обеспечить правильную работу схемы.

Важно отметить, что несовпадение параметров может привести к неправильной работе схемы или повреждению транзистора. Поэтому перед заменой ГТ308, рекомендуется тщательно изучить техническую документацию альтернативных транзисторов и сравнить их параметры с требованиями вашей схемы

Некоторые популярные альтернативы для транзистора ГТ308 включают в себя BC547, BC548, 2N2222, 2N3904 и KT3102. Однако, прежде чем использовать любой из перечисленных транзисторов, убедитесь, что их параметры соответствуют вашим требованиям и схеме.

В случае возникновения сомнений или отсутствия подходящих альтернативных транзисторов, рекомендуется обратиться к производителю схемы или специалисту в области электроники для получения рекомендаций по замене и конкретного рекомендуемого аналога.

Подключение транзистора к электрической схеме

Для подключения транзистора ГТ308 к электрической схеме необходимо учесть его характеристики и правильно выполнить цоколевку.

Перед подключением транзистора рекомендуется ознакомиться с его техническими характеристиками, включая максимальные значения тока и напряжения, а также коэффициент усиления. Это позволит избежать превышения допустимых значений и повреждения транзистора.

Цоколевка транзистора ГТ308 может быть выполнена следующим образом:

1. Подключите коллектор (колодку №1) к положительному напряжению источника питания.
2. Эмиттер (колодка №2) необходимо подключить к нулевому (общему) потенциалу схемы.
3. Базу (колодка №3) можно подключить с помощью резистора к источнику управляющего сигнала или другому элементу схемы.

Важно помнить, что при подключении базы транзистора необходимо использовать резистор для ограничения тока базы и защиты от повреждения транзистора. Значение резистора рассчитывается исходя из характеристик транзистора и требований к схеме

После правильного подключения транзистора к электрической схеме можно приступать к проверке его работы и дальнейшим экспериментам или использованию в проекте.

Способы соединения транзисторов гт308

Транзисторы ГТ308 могут быть соединены различными способами в электронных схемах в зависимости от требуемого функционала. Ниже представлены основные способы соединения транзисторов гт308:

1. Каскадное соединение: в данном виде соединения выходной сигнал первого транзистора является входным сигналом для второго транзистора. Это позволяет увеличить усиление сигнала и расширить полосу пропускания.

2. Эмиттерное соединение: в этом виде соединения вывод эмиттера первого транзистора соединяется с выводом базы второго транзистора. Такое соединение позволяет увеличить усиление сигнала и улучшить его линейность.

3. Коллекторное соединение: в данном виде соединения выводы коллекторов транзисторов соединяются между собой. Такое соединение позволяет усилить выходной сигнал и получить более высокое выходное сопротивление.

4. Базовое соединение: в этом виде соединения база первого транзистора соединяется с базой второго транзистора. Такое соединение позволяет усилить входной сигнал и повысить его устойчивость к помехам.

Выбор определенного способа соединения транзисторов ГТ308 зависит от конкретного приложения и требований к сигналу.

Транзистор гт308: особенности и применение

• Один из ключевых факторов, определяющих преимущества транзистора гт308, — его высокая рабочая частота. Благодаря этому, устройство может применяться в различных радиоаппаратах, связанных с передачей и приемом радио- и телевизионных сигналов.
• Транзистор обладает низкой потребляемой мощностью, что делает его энергоэффективным. Это позволяет использовать устройство в батарейных устройствах, где существенно ограничены ресурсы энергопитания.
• Гт308 имеет компактные размеры и легкий вес, что упрощает его встраивание в малогабаритные устройства. Также это позволяет осуществлять массовое производство, сокращая затраты на транспортировку и хранение.
• Транзистор гт308 устойчив к воздействию переменной температуры. Это позволяет использовать устройство в экстремальных условиях, например, в автомобильной или космической технике.

Применение транзистора гт308 разнообразное. В основном, он используется в электронных приборах, таких как радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители и сигнализационные системы. Благодаря своим характеристикам, он нашел применение также в медицинской аппаратуре, индустриальных контроллерах и системах автоматики.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Monsterpiece Classic Fuzz, Хобби и игрушки, Музыка и медиа, Музыкальные аксессуары на Carousell

Это взгляд Ричарда Койбиона на лицо Fuzz. Превосходная простота и тон.
Ручка Fuzz до упора и подчистите с помощью ручки громкости вашей гитары, и вы настроены на весь концерт.

Использует германиевые транзисторы NOS
Не хуже, чем у Analogman Sunface — аналогичен транзистору 2SB. Это выгодная сделка, и я осмелюсь сказать, что это лучше, чем некоторые из моих солнцезащитных очков Analogman (у меня 9Солнечные лучи, так что я знаю, о чем говорю)
«Классический фузз Monsterpiece — это то, что вам нужно, когда простота, простота использования и отличный звук — это все, что вам нужно или нужно. Это двухтранзисторный германиевый фузз, в котором я использую различные новые старые стандартные германиевые транзисторы, такие как GT308, AC125 и SFT 352, выбранные вручную для правильного усиления и утечки для наилучшего звучания в каждой педали.Схема основана на классической схеме fuzzface, с единственными изменениями, состоящими в 1 значении резистора, чтобы обеспечить большую выходную громкость (вам не нужно будет уменьшать регулятор громкости для получения единой громкости с обходным сигналом), и внутренний транзисторный регулятор смещения смещения, который позволяет вам точно настроить общий фуззовый голос в соответствии с тем, что вы слышите в своей голове. динамический отклик как на ваш медиатор, так и на ручку громкости гитары. Monsterpiece Classic не является исключением».
Рекомендуется использовать дешевый цинк-углерод 9батареи В. Использование блока питания — компромисс с винтажным пухом. Германиевые версии имеют обратную полярность, поэтому совместное использование источника питания с педалью с нормальной полярностью не является хорошей идеей. Однако использование одного кабеля питания от Voodoo Lab или других изолированных источников питания безопасно. Если вы получаете разъем питания, но используете внутреннюю батарею, никаких проблем или компромиссов не будет.
Это не требует использования штекера обратной полярности на любой из педалей. Используйте обычную проводку питания типа центральной отрицательной втулки, даже если это германиевый пух. Это НЕ означает, что вы можете разделить мощность с другой педалью.
Не забывайте отключать входной разъем, когда не играете, чтобы сэкономить заряд батареи! Все мои пушистика за 500-700 долларов играют на дешевых цинк-угольных батарейках.
Мне нравится Eveready 1222 «черный кот», Maxell или Panasonics. Щелочная батарейка будет звучать немного глухо в германиевом пуху, может потерять характер (разницу можно услышать на звуковом образце выше). Батареи и блоки питания звучат по-разному не только из-за напряжения. Это сопротивление, индуктивность и емкость батареи, которая является частью цепи в пуху.

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования

Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Лучшие альтернативы для транзистора ГТ308

Если вам требуется заменить транзистор ГТ308 и вы ищете лучшие альтернативы, вам стоит обратить внимание на следующие предложения:

1. КТ315А

Транзистор КТ315А является одним из наиболее популярных заменителей для ГТ308. Он имеет схожие параметры и широко используется в различных устройствах.

2. КТ368А

Также стоит обратить внимание на транзистор КТ368А, который также можно использовать в качестве замены для ГТ308. Он имеет аналогичные электрические характеристики и может быть использован во многих схемах

3. КТ209

Еще одна хорошая альтернатива для ГТ308 — транзистор КТ209. Он обладает схожими параметрами и широко применяется в различной электронике.

Перед тем как заменить транзистор, рекомендуется обратиться к документации на ваше устройство или обратиться к специалистам, чтобы быть уверенными в выборе альтернативы и правильно подобрать транзистор с соответствующими параметрами.

Не забывайте, что при замене транзистора важно также произвести правильную пайку и подключение, чтобы избежать возможных проблем при работе вашего устройства

Как проверить мультиметром полевой транзистор

Полевые транзисторы проявляют высокую чувствительность к статическому электричеству, поэтому предварительно требуется организация заземления. Перед тем как приступить к проверке полевого транзистора, следует определить его цоколевку. На импортных приборах обычно наносятся метки, которые определяют выводы устройства.

Будет интересно Как сделать мигающий светодиод?

Буквой S обозначается исток прибора, буква D соответствует стоку, а буква G – затвор. Если цоколевка отсутствует, тогда необходимо воспользоваться документацией к прибору. Перед проверкой исправного состояния транзистора, стоит учесть, что современные радиодетали имеют дополнительный диод, расположенный между истоком и стоком, который обязательно нанесен на схему прибора. Полярность диода полностью зависит от вида транзистора.

Обезопасить себя от накопления статических зарядов можно при помощи антистатического заземляющего браслета, который надевается на руку, или прикоснуться рукой к батарее. Основная задача, как проверить мультиметром полевой транзистор, не выпаивая его из платы, состоит из следующих действий:

1. Необходимо снять с транзистора статическое электричество.
2. Переключить измерительный прибор в режим проверки полупроводников.
3. Подключить красный щуп к разъему прибора «+», а черный «-».
4. Коснуться красным проводом истока, а черным стока транзистора. Если устройство находится в рабочем состоянии на дисплее измерительного прибора отобразиться напряжение 0,5-0,7 В.
5. Черный щуп подключить к истоку транзистора, а красный к стоку. На экране должна отобразиться бесконечность, что свидетельствует об исправном состоянии прибора.
6. Открыть транзистор, подключив красный щуп к затвору, а черный – к истоку.
7. Не меняя положение черного провода, присоединить красный щуп к стоку. Если транзистор исправен, тогда тестер покажет напряжение в диапазоне 0-800 мВ.
8. Изменив полярность проводов, показания напряжения должны остаться неизменными.
9. Выполнить закрытие транзистора, подключив черный щуп к затвору, а красный – к истоку транзистора.

Говорить об исправном состоянии транзистора можно исходя из того, как он при помощи постоянного напряжения с тестера имеет возможность открываться и закрываться. В связи с тем, что полевой транзистор обладает большой входной емкостью, для ее разрядки потребуется некоторое время.

Эта характеристика имеет значение, когда транзистор вначале открывается с помощью создаваемого тестером напряжения (см. п. 6), и на протяжении небольшого количества времени проводятся измерения. Проверка мультиметром рабочего состояния р-канального полевого транзистора осуществляется таким же методом, как и n-канального.

Только начинать измерения следует, подключив красный щуп к минусу, а черный – к плюсу, т. е. изменить полярность присоединения проводов тестера на обратную. Исправность любого транзистора, независимо от типа устройства, можно проверить с помощью простого мультиметра.

Для этого следует четко знать тип элемента и определить маркировку его выводов. Далее, в режиме прозвонки диодов или измерения сопротивления узнать прямое и обратное сопротивление его переходов. Исходя из полученных результатов, судить об исправном состоянии транзистора.

Цоколевка транзистора гт308: подробное описание

Цоколевка транзистора гт308 имеет 3 вывода:

1. Коллектор (К) – основной вывод, через который осуществляется подвод питания к транзистору. Включается в цепь коллекторного тока.
2. База (Б) – входной вывод, через который подается управляющий сигнал, вызывающий изменение коллекторного тока. Включается в базовую цепь усилителя.
3. Эмиттер (Э) – вывод, через который выходит управляемый ток. Связан с внешней нагрузкой. Включается в эмиттерную цепь.

Правильное подключение транзистора гт308 обеспечивается в соответствии с его цоколевкой. При монтаже следует учитывать положение выводов и свойства контактов, чтобы избежать неправильной работы и повреждения компонента.

Подводя итоги: транзистор ГТ308А — идеальный выбор

Один из ключевых параметров транзистора ГТ308А — это его высокая рабочая мощность, которая достигает 30 Вт. Это позволяет использовать данный транзистор в высоковольтных и высокоамперных схемах, где требуется эффективное управление силой. Кроме того, ГТ308А обладает высокой рабочей частотой, которая достигает 80 МГц. Это делает его идеальным для работы с высокочастотными сигналами.

Транзистор ГТ308А имеет низкое значение коэффициента усиления по напряжению (частота 10 Гц) в диапазоне от 30 до 60. Это означает, что он обеспечивает высокую степень усиления сигналов по напряжению. Кроме того, данный транзистор обладает низким значением выходной емкости, что позволяет улучшить стабильность его работы в высокочастотных схемах.

Применение транзистора ГТ308А очень разнообразно. Он может использоваться в радиолюбительских устройствах, усилителях звука, импульсных источниках питания, строительстве модуляторов и модуляционных устройств, устройствах управления силовыми потребителями и других аналоговых и цифровых электронных схемах.

Основные характеристики транзистора ГТ308А:
Параметр
Значение

Тип
p-n-p

Мощность
30 Вт

Рабочая частота
80 МГц

Коэффициент усиления по напряжению (частота 10 Гц)
30-60

Выходная емкость
низкая

Таким образом, транзистор ГТ308А является надежным и эффективным компонентом для различных электронных схем. Его высокая рабочая мощность, высокая рабочая частота и низкие значения коэффициента усиления и выходной емкости делают его идеальным выбором для усилителей, источников питания и других электронных устройств, где требуется мощное и стабильное управление сигналами.