Транзистор кт815: параметры, цоколёвка и аналоги. 7гв1 транзистор характеристики

BC212 Datasheet (PDF)

..1. bc212 bc213 bc214.pdf Size:107K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC212/DAmplifier TransistorsBC212,BPNP SiliconBC213COLLECTORBC21432BASE1EMITTER1MAXIMUM RATINGS23BC BC

0.1. bc212lb.pdf Size:27K _fairchild_semi

BC212LBPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Emitter 2. Collector 3. BaseAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base V

0.2. bc212l.pdf Size:29K _fairchild_semi

BC212LB CETO-92 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.Sourced from Process 68. Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units50 VVCEO Collector-Emitter Voltage60 VVCBO Collector-Base Voltage5 VVEBO Emitter-Base VoltageCollector Curr

0.3. bc212b.pdf Size:27K _fairchild_semi

BC212BPNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier application at collector currents to 100mA. Sourced from process 68.TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVCBO Collector-Base Voltage 60 VVEBO Emitter-Base Vo

0.4. bc212b-d.pdf Size:59K _onsemi

BC212BAmplifier TransistorsPNP SiliconFeatures These are Pb-Free Devices* http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2BASECollector-Emitter Voltage VCEO -50 VdcCollector-Base Voltage VCBO -60 Vdc3EMITTEREmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current — Continuous IC -100 mAdcTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 350 mWDerate a

0.5. bc212csm.pdf Size:11K _semelab

BC212CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 50V A =(0.04 0.004)

0.6. bc212dcsm.pdf Size:10K _semelab

BC212DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 50V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.2A C(0.05

0.7. bc212l la lb bc214l.pdf Size:76K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-92 Plastic PackageBC212L, BC212LA, BC212LBBC214L, BC214LB, BC214LCPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSAmplifier TransistorsDIM MIN MAXA 4,32 5,33B 4,45 5,20C 3,18 4,19D 0,41 0,55E 0,35 0,50F 5 DEGG 1,14 1,40H 1,14 1,53K 12,70 L 1.982 2.082ALL DIMENSIONS IN M.M.

Другие транзисторы… BC211A
, BC211A-10
, BC211A-16
, BC211A-6
, BC211B
, BC211C
, BC211D
, BC211E
, , BC212A
, BC212AP
, BC212B
, BC212BP
, BC212K
, BC212KA
, BC212KB
, BC212L
.

Замена транзистора Tip35c: как выбрать подходящий аналог

При выборе аналога транзистора Tip35c следует обратить внимание на несколько ключевых параметров:

Максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) — важно убедиться, что выбранный аналог имеет такое же или большее значение данного параметра, чтобы обеспечить надежность работы.
Максимальный допустимый ток коллектора (Ic) — следует учитывать требуемую мощность и токовую нагрузку схемы, и выбирать аналог с таким же или большим значением данного параметра.
Коэффициент усиления тока (hfe) — этот параметр указывает на усиление тока в транзисторе. Он влияет на работу схемы, поэтому подбирайте аналог схожий с Tip35c по данному показателю.
Тип корпуса — Tip35c имеет корпус TO-247, поэтому при замене следует выбирать транзистор с таким же типом корпуса.. Если вы не можете найти точный аналог Tip35c, можно воспользоваться каталогами источников электронных компонентов, которые предоставляют информацию о параметрах и замене транзисторов

Также можно обратиться к производителю, который может помочь в подборе аналога

Если вы не можете найти точный аналог Tip35c, можно воспользоваться каталогами источников электронных компонентов, которые предоставляют информацию о параметрах и замене транзисторов. Также можно обратиться к производителю, который может помочь в подборе аналога.

Важно помнить, что при замене транзистора всегда следует проверить его совместимость с схемой и убедиться в соответствии всех параметров

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Т ранзисторы П213

— германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p. Корпус металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.

Полевые SMD транзисторы

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:

Замена транзистора Tip35c:

Вот некоторые из лучших аналогов для замены транзистора Tip35c:

TIP36c: Этот транзистор является близким аналогом к TIP35c. Он имеет схожие характеристики и может использоваться в тех же приложениях. Однако, перед заменой рекомендуется проверить подходит ли он для вашего конкретного устройства.
MJ15003: Это еще один хороший аналог для замены TIP35c. Он также обладает схожими параметрами и может использоваться в широком спектре приложений.
2N3055: Хотя 2N3055 имеет немного другие характеристики в сравнении с TIP35c, в некоторых случаях он может быть приемлемым аналогом. Он широко доступен на рынке и может быть легко найден.
BD249C: Этот транзистор также может быть использован в замену TIP35c. Он обладает схожими параметрами и может быть применен в различных устройствах.

Однако, перед заменой транзистора рекомендуется обратиться к документации вашего устройства и/или консультации с профессионалами, чтобы убедиться, что выбранный аналог подходит для вашей конкретной ситуации. Кроме того, стоит отметить, что замена транзистора может потребовать изменения параметров или других настроек устройства, поэтому будьте внимательны.

Техническая документация замен Tip35c

При замене транзистора Tip35c необходимо обратить внимание на ряд технических характеристик, чтобы выбрать подходящую альтернативу. Рекомендуем ознакомиться с документацией и спецификациями следующих транзисторов:. 1

2SC5200:

1. 2SC5200:

Тип: NPN

Максимальное рабочее напряжение Vce: 230 В

Максимальный коллекторный ток Ic: 15 А

Максимальная мощность Pd: 100 Вт

2. MJ15024:

Тип: NPN

Максимальное рабочее напряжение Vce: 250 В

Максимальный коллекторный ток Ic: 16 А

Максимальная мощность Pd: 200 Вт

3. MJE15034:

Тип: NPN

Максимальное рабочее напряжение Vce: 300 В

Максимальный коллекторный ток Ic: 8 А

Максимальная мощность Pd: 75 Вт

Данные транзисторы могут быть использованы вместо Tip35c в соответствующих схемах и при выполнении аналогичных задач

Важно учитывать технические требования и расчеты при выборе замены для обеспечения надежной работы системы

На что обратить внимание при выборе замены

При выборе замены для транзистора TIP35C стоит обратить внимание на несколько важных характеристик:

Тип транзистора: вместо TIP35C можно использовать NPN или PNP транзистор, в зависимости от потребностей схемы. Необходимо убедиться, что тип заменяемого транзистора соответствует выбранной замене.
Максимальное рабочее напряжение: следует учитывать, что заменяемый транзистор имеет максимальное рабочее напряжение величиной 100 В. При выборе замены необходимо убедиться, что максимальное рабочее напряжение заменяющего транзистора превышает это значение.
Максимальный коллекторный ток: TIP35C имеет максимальный коллекторный ток величиной 25 А. При выборе замены необходимо учитывать данный параметр и выбрать транзистор с максимальным коллекторным током, превышающим это значение.
Мощность тепловыделения: заменяемый транзистор имеет мощность тепловыделения величиной 125 Вт

При выборе замены следует обратить внимание на данную характеристику и выбрать транзистор с мощностью тепловыделения, сопоставимой или большей.
Максимальная частота переключения: если используется транзистор в высокочастотных схемах, стоит обратить внимание на его максимальную частоту переключения. При выборе замены необходимо выбрать транзистор с максимальной частотой переключения, сопоставимой или большей.

Выбрав транзистор с аналогичными или более высокими характеристиками, можно быть уверенным в надежности и стабильности работы заменяемого элемента.

Описание транзистора TIP35C

Транзистор TIP35C представляет собой мощный биполярный NPN транзистор, который используется для усиления сигналов и управления высокими токами и мощностями. Он относится к классу эпитаксиальных пассивированных пластин с эпитаксиальными подложками. Этот транзистор может использоваться в различных приложениях, таких как аудиоусилители, источники питания, ключевые схемы, коммутационные устройства и другие.

Транзистор TIP35C является частью серии TIP35, которая включает в себя также TIP35A и TIP35B. Главным отличием TIP35C от других вариантов этой серии является его низкое значение максимального коллекторного тока, которое составляет 25 Ампер.

Основные характеристики транзистора TIP35C:

Максимальное значение коллекторно-эмиттерного напряжения: 100 Вольт.
Максимальное значение коллекторного тока: 25 Ампер.
Мощность потерь в виде тепла при температуре окружающей среды 25 °C: 125 Ватт.
Температура перегрева для времени испытания 5 секунд: 250 °C.
Температура перегрева для времени испытания 1 секунда: 300 °C.
Температура перегрева для времени испытания 0.1 секунда: 325 °C.

Цоколевка транзистора TIP35C соответствует многим другим транзисторам и включает в себя следующие выводы:

Коллектор (C) — вывод 2
База (B) — вывод 1
Эмиттер (E) — вывод 3

Особенности использования транзистора TIP35C включают в себя его высокую мощность и токовую способность, что делает его идеальным для применения в устройствах, требующих большой мощности. Однако при использовании транзистора следует учитывать его тепловые характеристики и обеспечить достаточное охлаждение, чтобы избежать перегрева и повреждения устройства

Также следует обратить внимание на значения максимального напряжения и тока, чтобы не превысить их и не повредить транзистор

In Stock: 207

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Выбор аналогового транзистора для Tip35c

При выборе аналогового транзистора для Tip35c важно учитывать следующие характеристики:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce) — выберите транзистор с аналогичным или выше значением Vce, чтобы обеспечить надежную работу схемы.
Максимальный ток коллектора (Ic) — выберите транзистор с аналогичным или выше значением Ic, чтобы обеспечить нужную мощность усиления.
Максимальная мощность (Pd) — выберите транзистор с аналогичным или выше значением Pd, чтобы избежать перегрева при работе на больших нагрузках.
Тип корпуса — убедитесь, что выбранный транзистор имеет совместимый корпус для вашей схемы.

Некоторыми возможными альтернативными транзисторами для Tip35c являются:

2N3055 — широко использованный и доступный транзистор с аналогичными характеристиками.
MJ15003 — высокопроизводительный транзистор с высокими значениями Vce и Ic.
NTE36 — аналог Tip35c, предлагаемый компанией NTE Electronics.

Перед выбором аналогового транзистора, рекомендуется обратиться к документации и спецификациям производителя для проверки совместимости и соответствия требуемым характеристикам вашей схемы.

Выбор лучшего аналога транзистора Tip35c

Мощность: Tip35c имеет максимальную мощность в 125 Вт. При выборе аналога, необходимо убедиться, что выбранный транзистор также имеет или превышает эту мощность.
Ток коллектора: Tip35c имеет максимальный ток коллектора в 25 А. Аналог должен иметь такой же или больший ток коллектора для успешной замены.
Напряжение коллектора-эмиттер: Tip35c имеет максимальное напряжение коллектора-эмиттер в 100 В. При выборе аналога необходимо убедиться, что его максимальное напряжение коллектора-эмиттера соответствует или превышает это значение.
Тип корпуса: Tip35c имеет корпус TO-247. При замене транзистора необходимо учитывать соответствие типа корпуса.

На рынке существует несколько аналогов транзистора Tip35c, которые удовлетворяют перечисленным выше требованиям. Некоторые из них:

При выборе аналога транзистора Tip35c рекомендуется обращать внимание на качество и подходит ли он для конкретного применения. Использование аналогов транзистора Tip35c позволяет заменить элемент и сохранить функциональность устройства без значительных изменений в схеме

Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора U_CE(sat)от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 4. Зависимости входной C_ib и выходной C_ob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам U_CB и U_EB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности P_C транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода T_C.

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).