Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Транзистор TIP122: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Аналог транзистора TIP122
Вы можете заменить TIP122 на: 2N6045, 2N6045G, 2N6532, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP122G, TIP132, TIP142T, TTD1415B.
Комплементарной парой TIP122 является транзистор TIP127.
Бессвинцовой версией TIP122 является транзистор TIP122G.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
Аудио MOSFET транзисторы класса D
Все корпуса
|
Наим-е |
Корпус |
Напряжение пробоя |
Rds(on) тип. (10 В) |
Ток стока (25°C) |
Заряд затвора |
Класс |
| IRFI4024H-117P |
5-pin TO-220 |
55V |
48 mOhm |
11 A |
8.9 nC |
Consumer |
| IRFI4212H-117P |
5-pin TO-220 |
100V |
58 mOhm |
11 A |
12 nC |
Consumer |
| IRFI4019H-117P |
5-pin TO-220 |
150V |
80 mOhm |
8.7 |
13 nC |
Consumer |
| IRFI4020H-117P |
5-pin TO-220 |
200V |
80 mOhm |
9.1 A |
19 nC |
Consumer |
| IRF6665TRPBF |
DirectFET SH |
100V |
53 mOhm |
19 A |
8.7 nC |
Consumer |
| IRF6645TRPBF |
DirectFET SJ |
100V |
28 mOhm |
25 A |
14 nC |
Consumer |
| IRF6644TRPBF |
DirectFET MN |
100V |
10 mOhm |
60 A |
35 nC |
Consumer |
| IRF6775MTRPBF |
DirectFET MZ |
150V |
56 mOhm |
28 A |
25 nC |
Consumer |
| IRF6785MTRPBF |
DirectFET MZ |
200V |
85 mOhm |
15 A |
26 nC |
Consumer |
| IRF6648TRPBF |
DirectFET MN |
60V |
5.5 mOhm |
86 A |
36 nC |
Consumer |
| IRF6668TRPBF |
DirectFET MZ |
80V |
12 mOhm |
55 A |
22 nC |
Consumer |
| IRF6646TRPBF |
DirectFET MN |
80V |
7.6 mOhm |
68 A |
36 nC |
Consumer |
| IRFB4212PBF |
TO-220 |
100V |
72.5 mOhm |
18 A |
15 nC |
Industrial |
| IRFB4019PBF |
TO-220 |
150V |
80 mOhm |
17 A |
13 nC |
Consumer |
| IRFB5615PBF |
TO-220 |
150V |
32 mOhm |
35 A |
26 nC |
Industrial |
| IRFB4228PBF |
TO-220 |
150V |
12 mOhm |
83 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFB4020PBF |
TO-220 |
200V |
80 mOhm |
18 A |
18 nC |
Consumer |
| IRFB4227PBF |
TO-220 |
200V |
19.7 mOhm |
65 A |
70 nC |
Industrial |
| IRFB5620PBF |
TO-220 |
200V |
60 mOhm |
25 A |
25 nC |
Industrial |
| IRFP4668PBF |
TO-247 |
200V |
8 mOhm |
130 A |
161 nC |
Industrial |
| IRFB4229PBF |
TO-220 |
250V |
38 mOhm |
46 A |
72 nC |
Industrial |
| IRFP4768PBF |
TO-247 |
250V |
14.5 mOhm |
93 A |
180 nC |
Industrial |
Планарные MOSFETS транзисторы
D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)
|
30 В |
30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak |
|
|
40 В |
40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak |
|
|
55 В |
55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak |
|
|
75 В |
75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak |
|
|
100 В |
100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak |
D2PAK (доступны в корпусах TO-262)
|
30 В |
30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
40 В |
40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
||
|
55 В |
55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak |
||
|
75 В |
75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak |
|
|
100 В |
100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak |
|
|
100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak |
TO-220 и TO-247
|
30 В |
30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB |
|
|
40 В |
40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB |
|
|
40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB |
||
|
55 В |
55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB |
|
|
55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC |
||
|
75 В |
75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC |
|
|
100 В |
100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB |
|
|
100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC |
Маркировка полевых SMD транзисторов
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).
Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).
Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.
Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.
Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Транзистор — устройство, виды, применение
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
