8550SS Datasheet (PDF)
0.1. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _mcc
MCC8550SS-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components8550SS-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage
0.2. 8550sst.pdf Size:344K _secos
8550SST -1.5A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-DREF.B Min. Max.A 4.
0.3. 8550ss.pdf Size:230K _jiangsu
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8550SS TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:
- SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
- ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.
По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.
MPS8050SC Datasheet (PDF)
1.1. mps8050sc.pdf Size:610K _kec
SEMICONDUCTOR MPS8050SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
·Complementary to MPS8550SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage 40 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO
Emitter-Base Voltage 5 V
IC
Collector Current 1,200 mA
PC *
Collector Power Dissipation 350 mW
Tj
Junction Te
2.1. mps8050s.pdf Size:391K _kec
SEMICONDUCTOR MPS8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to MPS8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
1
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G 1.90
H 0.95
J 0.13+0.10/-0.05
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
K 0.00 ~ 0.10
L 0.55
VCBO
Collector-Base
3.1. mps8050.pdf Size:45K _kec
SEMICONDUCTOR MPS8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to MPS8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
G
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 40 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 25 V _
H
J 14.00
Электрические параметры
Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См
схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное
٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Лучшие аналоги для S8550
В случае, если у вас возникла необходимость заменить транзистор S8550, но у вас нет возможности найти именно эту модель, есть несколько аналогов, которые могут быть использованы в качестве замены. Ниже приведена таблица с лучшими аналогами для S8550:
| Номер модели | Производитель | Тип |
|---|---|---|
| 2N3906 | Fairchild Semiconductor | PNP |
| 2N3904 | Fairchild Semiconductor | NPN |
| BC547 | NXP Semiconductors | NPN |
| BC548 | NXP Semiconductors | NPN |
| BC327 | NXP Semiconductors | PNP |
Важно отметить, что при замене транзистора необходимо учесть его параметры и соответствие заданной цели
Также рекомендуется обратить внимание на документацию производителя и провести тестирование для проверки совместимости и корректной работы заменяемой модели
KTC8550S Datasheet (PDF)
0.1. ktc8550s.pdf Size:393K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8550STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8050S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBO -35 VCollector-Base
7.1. ktc8550.pdf Size:69K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8550TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATURE Complementary to KTC8050.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBO -35 VCollector-Base VoltageG 0.85H 0.45VCEO -30 VCollector-Emitter Voltage_HJ 14.00 +
7.2. ktc8550a.pdf Size:360K _kec
SEMICONDUCTOR KTC8550ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8050A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage -35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage -30 V_HJ 14
Отечественные и импортные аналоги
Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 200 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ3102 | 45 | 0,1 | 0,25 | 250 | 300 |
| Импорт | |||||
| KSC945 | 50 | 0,15 | 0,25 | 40 | 300 |
| 2N2222 | 30 | 0,8 | 0,5 | 100 | 250 |
| 2N3904 | 40 | 0,2 | 0,31 | 40 | 300 |
| 2SC3198 | 50 | 0,15 | 0,4 | 20 | 130 |
| 2SC1815 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SC2002 | 60 | 0,3 | 0,3 | 90 | 70 |
| 2SC3114 | 50 | 0,15 | 0,4 | 55 | 100 |
| 2SC3331 | 50 | 0,2 | 0,5 | 100 | 200 |
| 2SC2960 | 50 | 0,15 | 0,25 | 100 | 100 |
Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945
Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать. Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
2SC945P Datasheet (PDF)
8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec
8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733
8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no
ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati
8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi
8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect
2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.
8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china
SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V
8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin
SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol
Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.
Использование в двухтактной конфигурации
Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.
Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.
2D модель корпуса
Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.
Варианты замены S8550 транзистора
Если у вас нет доступа к S8550 транзистору или он недоступен в вашем регионе, есть несколько вариантов замены этого транзистора. Подходящий аналог можно выбрать исходя из электрических характеристик и нужных параметров вашей схемы. Вот некоторые варианты замены S8550 транзистора:
- 2N5551: Этот транзистор также является PNP-транзистором и имеет схожие электрические характеристики с S8550.
- SS8050: Это еще один доступный аналог S8550. Этот транзистор также является PNP-транзистором и может быть использован вместо S8550 во многих схемах.
- BC557: Это PNP-транзистор с похожими характеристиками на S8550. Его можно использовать как замену в различных схемах.
- BC327: Это еще один вариант замены S8550. BC327 также является PNP-транзистором и обладает схожими характеристиками.
- КТ8550: Этот транзистор также является возможной заменой S8550. Он имеет схожие электрические характеристики и может подойти для вашей схемы.
При выборе замены S8550 транзистора убедитесь, что электрические параметры соответствуют нужным требованиям вашей схемы. Также рекомендуется обратиться к документации и спецификациям каждого транзистора, чтобы удостовериться в его совместимости и возможности замены.
Как выбрать замену для s8550 транзистора
При выборе замены для s8550 транзистора необходимо учитывать ряд факторов, таких как параметры и характеристики транзистора, требования электронной схемы, а также доступность и стоимость аналогов.
Важно обратить внимание на следующие параметры:
- Тип транзистора (PNP или NPN) — необходимо выбрать замену с соответствующим типом;
- Максимальное напряжение коллектора (Vce) — заменитель должен иметь не менее требуемого значения, чтобы обеспечить надежную работу схемы;
- Максимальный ток коллектора (Ic) — заменитель должен быть способен выдерживать необходимый для схемы ток без перегрева;
- Коэффициент усиления (hFE) — следует выбрать замену, у которой коэффициент усиления максимально близок к требуемому значению;
- Мощность транзистора (Pc) — заменитель должен обладать достаточной мощностью для работы в схеме.
Кроме указанных параметров, можно также обратить внимание на скорость переключения транзистора и его шумоподавление (если это важно для конкретной схемы). При выборе замены для s8550 транзистора, рекомендуется обратиться к документации по схеме, в которой используется этот транзистор. В документации обычно указаны требуемые параметры транзистора и возможные варианты замены
Также можно обратиться к производителю схемы или специалистам в области электроники, чтобы получить рекомендации по выбору замены
В документации обычно указаны требуемые параметры транзистора и возможные варианты замены. Также можно обратиться к производителю схемы или специалистам в области электроники, чтобы получить рекомендации по выбору замены
При выборе замены для s8550 транзистора, рекомендуется обратиться к документации по схеме, в которой используется этот транзистор. В документации обычно указаны требуемые параметры транзистора и возможные варианты замены. Также можно обратиться к производителю схемы или специалистам в области электроники, чтобы получить рекомендации по выбору замены.
Известными аналогами для s8550 транзистора являются ss8550, kst8550, mmbt8550 и другие. Однако перед выбором замены рекомендуется провести дополнительные исследования и проверить совместимость с конкретной схемой.