В каких режимах функционирует полевой транзистор
Режим отсечки
Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.
Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:
Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?
Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.
Режим активной работы irfz44n
Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).
Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.
В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.
Режим насыщения irfz44n
Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.
Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.
Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.
Когда стоит использовать полевые МОП-транзисторы?
Биполярные и униполярные транзисторы — очень важные элементы, но возникает вопрос: когда их использовать? Оба типа имеют свои преимущества и недостатки, поэтому в некоторых проектах, один имеет преимущество перед другим. Использование биполярных транзисторов, безусловно, заслуживает внимания, когда схема питается от низкого напряжения (например, 1,5 В или 3,3 В), поскольку для ее работы достаточно напряжения 0,7 В. Униполярный транзистор может быть еще не полностью открыт в этих условиях.
МОП-транзисторы рекомендуются для управления нагрузками, потребляющими токи в диапазоне ампер, поскольку управляющий элемент (например, Arduino) не должен подавать на них питание — этого достаточно, чтобы установить достаточно высокий потенциал. Чтобы полностью открыть транзистор, приложите напряжение, в несколько раз превышающее пороговое напряжение между затвором и истоком (это напряжение включения).
| МОП-транзисторы практически не потребляют ток от цепи, которая контролирует их работу! |
Использование униполярных транзисторов рекомендуется там, где важно потребление тока. В некоторых проектах, особенно в схемах с питанием от небольших батарей, даже несколько микроампер, потребляемых базой биполярного транзистора, могут значительно сократить время работы устройства. Между эмиттером и коллектором полностью включенного (насыщенного) биполярного транзистора создается постоянное напряжение — обычно 0,2 В, но это значение может быть выше для мощных транзисторов
У униполярных транзисторов есть только сопротивление открытого канала, поэтому падение напряжения на них зависит от протекающего тока
Между эмиттером и коллектором полностью включенного (насыщенного) биполярного транзистора создается постоянное напряжение — обычно 0,2 В, но это значение может быть выше для мощных транзисторов. У униполярных транзисторов есть только сопротивление открытого канала, поэтому падение напряжения на них зависит от протекающего тока.
Напоследок еще одно практическое замечание. Если нам нужно контролировать, например, 10 так называемых сверхярких светодиодов, каждый через отдельный транзистор, то следует использовать 10 биполярных транзисторов вместе с 10 резисторами, по одному на каждую базу. Между тем, использование полевых МОП-транзисторов устранит необходимость в дополнительных резисторах, что сэкономит место на плате.
PMBS3904 Datasheet (PDF)
..1. pmbs3904 4.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3904NPN general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
..2. pmbs3904.pdf Size:125K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3904NPN general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin
7.1. pmbs3906 4.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3906PNP general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor PMBS3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
Мощные биполярные транзисторы Дарлингтона
Мощные транзисторы Дарлингтона (МТД), обладая высокими коэффициентами усиления по току h21Э и не требующие энергоемких управляющих цепей, довольно прочно занимают свое место на рынке полупроводниковых приборов
Прежде всего- это системы автоматики, усилители мощности, управление электроприводом двигателей, низковольтный сервопривод и регуляторы напряжения генераторов автомобилей, электронные схемы коммутаторов систем зажигания автомобилей и другие низкочастотные устройства для которых прежде всего важно сочетание стоимости и качества
Серия транзисторов КТД8252 со встроенным диодом и стабилитроном- аналог BU941Z, BU941ZT— разработана и выпускается для систем электронного зажигания автомобилей. Внедрение усовершенствованного конструктивно-технологического варианта и ужесточение системы функционального контроля позволили улучшить статические и динамические характеристики транзисторов.
Для маломощных транзисторных систем электронного зажигания мотоблоков разработаны и выпускаются транзисторы Дарлингтона с Iк=7А, Uкэо_гр>350В:
-
КТД8262 со встроенным диодом и стабилитроном, резисторами R1, R2;
-
КТД8279 — аналог SEC80 со встроенным диодом, резисторами R1, R2.
Серия транзисторов Дарлингтона КТД8278 дополняет ряд отечественных транзисторов Дарлингтона, предназначенных для коммутации тока в обмотке возбуждения генераторов переменного тока— КТ829АТ, КТ8116, КТ8246, КТД8253. Отличительными особенностями серии транзисторов Дарлингтона КТД8278 (зарубежный аналог SGSD93ST) являются:
-
сочетание низкого напряжения насыщения Uкэо_нас<1,1В (IК=5А/IБ=8мА) с высоким граничным напряжением Uкэо_гр=120-180В;
-
высокий коэффициент усиления h21Э>1000 на начальной стадии характеристики h21Э=f(IК) (h21Э>1000 при токе коллектора IК=200мА).
Транзисторы имеют внутренний диод в цепи коллектор — эмиттер, резисторы R1, R2 в цепях база — эмиттер. Улучшены статические и динамические характеристики транзистора.
Серия транзисторов Дарлингтона КТД8257 — npn, аналог массово продаваемой комплиментарной пары SGSD100 npn/ SGSD200 pnp низковольтной серии фирмы ST, разработана для применения в линейных и импульсных промышленных устройствах, аудио усилителях, драйверах, мощных регуляторах напряжения автотракторной электроники.
Транзисторы КТД8278, КТД8257, собираемые в корпус ТО-3 заменяют известный транзистор 2Т827.
Серии транзисторов Дарлингтона КТД8280 (npn), КТД8281 (pnp)— комплиментарная пара на токи коллектора Iк 25-50А, Uкэо_гр 60, 80, 100В с низкими напряжениями насыщения- разработана для применения в схемах управления двигателями, низковольтных DC/DC и DC/AC преобразователях, источниках бесперебойного питания и источниках лазерной накачки.
Статические характеристики транзисторов этого класса приведены на Рис.1 и 2.
Особенности
- Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
- Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
- Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
- Высокая скорость переключения.
- Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.
Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.
Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.
Как работает биполярный транзистор
В стандартной работе соединение база-эмиттер смещено вперед. Это значит, что сторона соединения с легированием типа p имеет более положительный потенциал, чем сторона с легированием типа n. Соединение база-коллектор имеет обратное смещение.
Когда прямое смещение применяется к переходу база-эмиттер, нарушается равновесие между термически генерируемыми носителями и отражающим электрическим полем области истощения эмиттера с n-присадкой. Это позволяет термически возбужденным электронам инжектироваться из эмиттера в область базы. Эти электроны диффундируют (соединяются) через основание из области высокой концентрации рядом с эмиттером в область низкой концентрации вблизи коллектора. Электроны в основании называются миноритарными носителями, так как основание легировано р-типом, что делает дырки основным носителем в основании.
Поток заряда в биполярном транзисторе обусловлен диффузией носителей заряда через соединение между двумя областями с разной концентрацией заряда. Дискретный транзистор имеет три провода для подключения к этим областям. Как правило, область эмиттера сильно легирована по сравнению с двумя другими слоями. Коллектор легирован гораздо легче, чем основание (легирование коллектора обычно в десять раз легче базового легирования).
По своей конструкции большая часть тока коллектора биполярного транзистора обусловлена потоком носителей заряда (электронов и/или дырок), которые инжектируются из сильно легированного эмиттера в основание. Уже там они являются миноритарными носителями, которые диффундируют к коллектору.
Управление модулями IGBT
Модули IGBT управляются драйверами. Микросхемы вырабатывают управляющие импульсы, обеспечивают коммутацию ключей в нужном частотном диапазоне, согласовывают работу полупроводниковых устройств с блоком управления.
При выборе драйверов для модулей, производители рекомендуют руководствоваться следующими рекомендациями:
Напряжение цепи «коллектор-эмиттер» для снижения динамических потерь и обеспечения стабильной работы транзистора при отпирании ключа должно составлять +15±10% В, при запирании -7…-15 В. Максимальная величина – не более ±20 В.
Длительность импульсов напряжения выхода драйвера должна быть меньше времени коммутации транзисторов в 5-10 раз.
Внутреннее сопротивление драйвера управления должно выбираться в пределах диапазона конкретного модуля с учетом динамических потерь. Это необходимо для исключения перенапряжений, вызванных перезарядкой внутренних индуктивностей.
Напряжение запирания должно обеспечивать гарантированное отключение IGBT при любых условиях.
Для уменьшения помех необходимо подключать драйвер к модулю витой парой или устанавливать плату на контакты управления модулем.
Схема электропитания организовывается следующим образом: вначале напряжение подается на драйвер, затем на модуль.
Для предотвращения эффекта «защелкивания» паразитной p-n-p-n структуры, образуемой модулем и выходным каскадом микросхемы управления, исток биполярной ячейки, общий выход драйвера и отрицательную клемму сглаживающего фильтра присоединяют на общую шину.
Конструкция и принцип работы силовых транзисторов
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) или биполярный силовой транзистор с изолированным затвором – элемент из двух транзисторов в общей полупроводниковой структуре, устроенный по каскадной схеме. Биполярный транзистор образует силовой канал, полевой – канал управления. Объединение полупроводниковых элементов реализовано структурой элементных ячеек в одном кристалле.
Упрощенная эквивалентная схема биполярных транзисторов с изолированным затвором представлена на рисунке:
IGBT – приборы появились после того, как были выявлены недостатки MOSFET транзисторов в высоковольтных схемах: квадратичная зависимость сопротивления канала от напряжения.
Полупроводниковые приборы IGBT сочетают достоинства силовых биполярных и полевых транзисторов с изолированным затвором:
- Небольшая мощность управления.
- Высокая скорость переключения.
- Маленькие потери при открытом транзисторе.
- Высокое номинальное напряжение силового канала.
Сопротивление канала IGBT-элементов растет пропорционально току, зависимость потерь от величины тока не квадратичная, как у транзисторов MOSFET. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.
Структура IGBT представлена на рисунке. В области стока нанесен еще один дополнительный p+-слой, который образует биполярный транзистор.
При закрытом ключе, напряжение приложено к n–-слою. При подаче на изолированный затвор управляющего напряжения, область р образует открытый канал, включая полевой транзистор, который в свою очередь отпирает биполярный p-n-p элемент. Между внешним коллектором и эмиттером начинает протекать ток. При этом ток стока полевой ячейки усиливается. При открытой биполярной ячейке, остаточное напряжение в n–-области падает еще благодаря потокам электронов и дырок.
Напряжение на включенном транзисторе определяется из выражения:
Где Uбэ – напряжение база-эмиттер открытого ключа, Rпол – сопротивление полевой ячейки, Iб – ток базы, Iк – ток коллектора, B – коэффициент передачи тока биполярной ячейки. Для снижения падения напряжения на открытых IGBT приборах применяют вертикальные затворы. Площадь ячейки транзистора уменьшают в 2-5 раз.
Падение напряжения на открытом IGBT зависит от температуры гораздо меньше аналогичного параметра MOSFET-транзисторов. На рисунке приведен график падения напряжения в функции температуры для 2 IGBT транзисторов и одного полевого прибора.
Как и биполярные транзисторы, IGBT способны накапливать заряд, который является причиной остаточного тока и нагрева прибора при запирании. Между электродами и переходами полевой и биполярной элементной ячейки образуются паразитные емкости. Время рассасывания заряда для IGBT прибора составляет всего 0,2-1,5 мкс, при коммутации с частотой 10-20 кГц для надежной работы транзисторов не нужно включать в схему дополнительные цепи.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Схема «зарядки» для телефона.
R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Замена импортных транзисторов отечественными
| Аналоги и возможные замены | |||
| Тип | Аналог | Возможная замена | Примечания |
| MJEF34 | КТ816 | Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А | |
| TIP42 | КТ816 | ||
| 2SK58 | КПС315А, Б | ||
| 2N5911 | Обычные ПТ | ||
| U441 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| U444 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPF102 | КП303Д, Е | В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ | |
| MPS3866 | КТ368 | В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ | |
| 25139 | КП327А,В | КП346А-9; КП382А | |
| 1N754 | КС162 | ||
| 1N757A | КС182 | ||
| 2N3563 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3565 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| 2N3569 | КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е | ||
| BFR90 | КТ3198А | КТ371А, КТ3190А | |
| MPS3866 | КТ939А | ||
| MRF557 | КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938 | ||
| MRF837 | КТ634; КТ640; КТ657Б-2 | ||
| MV2101 | KB102; KB107А,В | ||
| 2N4401 | КТ6103 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| ВС549С | КТ3102 | ||
| ВС557В | KТ3107 | ||
| BD139 | КТ815 | ||
| BD140 | КТ814 | ||
| 2N5771 | КТ363АМ | ||
| ВС548 | КТ3102 | ||
| ВС557 | КТ3107 | ||
| TIP111 | КТ716 | ||
| TIP116 | КТ852 | ||
| TIP33B | КТ865 | ||
| TIP34B | КТ864 | ||
| 2SC2092 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| MRF475 | КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120 | ||
| 40673 | КП350, КП306,КП327, КП347,КП382 | ||
| 2N4124 | КТ3102Д | ||
| J309 | КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е | ||
| MPS2907 | КТ313 | ||
| 2N3414 | КТ645 | ||
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| 3055Т | КТ8150А | ||
| ВС517 | КТ972 | ||
| IRF9Z30 | КП944 | ||
| TIP125 | КТ853, КТ8115 | ||
| BS250P | КП944 | ||
| 2N3391A | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| BC184L | КТ3102 | Любые маломощные с большим h2fe | |
| ВС547В | КТ3102 | ||
| BUZ11 | КП150 | ||
| IRFL9110 | КП944 | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| ВС109С | КТ342 | ||
| ВС237 | КТ3102 | ||
| ВС547 | КТЗ102, КТ645А | ||
| 2N4401 | КТ6103, КТ6117 | КТ504 | |
| 2N4403 | КТ6102, КТ6116 | КТ505 | |
| MPS А18 | КТ342Б, Д | ||
| 2N3704 | КТ685 | ||
| 2N4393 | КП302ГМ | ||
| 2N5401 | КТ6116А | ||
| ВС487 | КТ342Б, Д; КТ630Е | ||
| IRFZ44 | КП723А | ||
| MPS2907 | КТ313 | КТ3107 | |
| MPSА14 | КТ685 | ||
| MPSA64 | КТ973 | ||
| 2N2222 | КТ3117Б | КТ315 | |
| 2N3904 | КТ6137А | КТ815 | |
| 2N3906 | КТ6136А | ||
| ECG-187 | ГТ906А | ||
| FPT-100 | фототранзистор | ||
| HRF-511 | КП904 | ||
| TIL 414 | фототранзистор |
Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.
PMST3904 Datasheet (PDF)
0.1. pmst3904 3.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D187PMST3904NPN switching transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PMST3904FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Tele
7.1. pmst3906.pdf Size:77K _philips
PMST390640 V, 200 mA PNP switching transistorRev. 05 29 April 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP switching transistor in a SOT323 (SC-70) very small Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.NPN complement: PMST3904.1.2 Features Collector current: IC -200 mA Collector-emitter voltage: VCEO -40 V Very small SMD plastic package1
7.2. pmst3906 3.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D187PMST3906PNP switching transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor PMST3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Swit
Alternate Parts for PMST3904,115
This table gives cross-reference parts and alternative options found for PMST3904,115. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of PMST3904,115, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (10)
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
MMBT3904W |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | Promax-Johnton Electronic Corporation |
PMST3904,115 vs MMBT3904W |
|
MMBT3904WT1 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | Motorola Mobility LLC |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT1 |
|
CMST3904TR13 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | Central Semiconductor Corp |
PMST3904,115 vs CMST3904TR13 |
|
MMBT3904W |
Small Signal Bipolar Transistor | Secos Corporation |
PMST3904,115 vs MMBT3904W |
|
MMBT3904W_R2_10001 |
Transistor, | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904W_R2_10001 |
|
PMST3904/T3 |
Small Signal Bipolar Transistor | Nexperia |
PMST3904,115 vs PMST3904/T3 |
|
MMBT3904WT3 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN | onsemi |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT3 |
|
PMST3904,135 |
PMST3904 — NPN switching transistor SC-70 3-Pin | NXP Semiconductors |
PMST3904,115 vs PMST3904,135 |
|
MMBT3904WT1G |
NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL | onsemi |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT1G |
|
MMBT3904WT/R7 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT/R7 |
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
MMBT3904W |
Small Signal Bipolar Transistor | Secos Corporation |
PMST3904,115 vs MMBT3904W |
|
MMBT3904W_R2_10001 |
Transistor, | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904W_R2_10001 |
|
MMBT3904WT1 |
NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL | onsemi |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT1 |
|
PMST3904 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN | NXP Semiconductors |
PMST3904,115 vs PMST3904 |
|
MMBT3904W_R1_10001 |
Transistor, | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904W_R1_10001 |
|
MMBT3904WT/R7 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT/R7 |
|
PMST3904T/R |
Small Signal Bipolar Transistor | Nexperia |
PMST3904,115 vs PMST3904T/R |
|
CMST3904TR |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 | Central Semiconductor Corp |
PMST3904,115 vs CMST3904TR |
|
MMBT3904W_R2_00001 |
Small Signal Bipolar Transistor, | PanJit Semiconductor |
PMST3904,115 vs MMBT3904W_R2_00001 |
|
MMBT3904WT3 |
200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-70, 3 PIN | onsemi |
PMST3904,115 vs MMBT3904WT3 |