Mje340g datasheet pdf ( pinout ) - plastic medium-power npn silicon transistor

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Транзистор 13001S8D имеет следующие предельные значение ( Tj = 25 ℃, если не указано иное):

Параметр	Условное обозначение	Значение	Единица измерения
Напряжение коллектор-база	VCBO	600	V
Напряжение коллектор-эмиттер	VCEO	400	V
Напряжение Эмиттер-База	VEBO	7	V
Ток коллектора	Ic	0.5	A
Полная рассеиваемая мощность	Pc	0.65	W
Температура хранения	Tstg	-65

150

Также приведем электрические параметры:

℃
Температура соединения	Tj	150	℃

Параметр	Условное обозначение	Условия испытаний	Min	Max	Единица измерения
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	Ic=0.5mA,Ie=0	600	V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	Ic=10mA,Ib=0	400	V
Напряжение пробоя базы эмиттера	BVEBO	Ie=1mA,Ic=0	7	V
Ток отсечки коллекторной базы	ICBO	Vcb=600V,Ie=0	100	μA
Ток отключения коллектор-эмиттер	ICEO	Vce=400V,Ib=0	20	μA
Ток отсечки эмиттер-базы	IEBO	Veb=7V,Ic=0	100	μA
Усиление постоянного тока	hFE	Vce=20V,Ic=20mA	10	40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA	0.6	V
Напряжение насыщения базы-излучателя	VBE(sat)	Ic=200mA,Ib=100mA	1.2	V
Время хранения	Ts	Ic=0.1mA, (UI9600)	2	μS
Время падения	fT	VCE =20V,Ic=20mA f=1MHZ	0.8	μS

Аналоги 13001 S8D являются схожие по всем техническим значения биполярные NPN Транзисторы.

Номер в каталоге : 13001S8D

функция : TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Производитель : JTD Semi

цоколевка :

(0 голосов, среднее: 0 из 5)

Режима работы в SOA

Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)

Режим FBSOA

На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.

Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.

Режим RBSOA

В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база V_BE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.

MJE340G Datasheet (PDF)

..1. Size:67K onsemi mje340g.pdf

MJE340Plastic Medium-PowerNPN Silicon TransistorThis device is useful for high-voltage general purpose applications.Featureshttp://onsemi.com Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating0.5 AMPEREfor High Reliability Pb-Free Package is Available*POWER TRANSISTORNPN SILICON300 VOLTS, 20 WATT

8.1. Size:117K motorola mje340re.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJE340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE340Plastic Medium Power NPN0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . useful for high voltag

8.2. Size:66K st mje340-mje350.pdf

MJE340MJE350COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICESAPPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe MJE340 is a silicon epitaxial planar NPN12transistor intended for use in medium power3linear and switching applications.It is mounted inSOT-32.The complementary PNP type is MJE350. S

8.3. Size:594K st mje340 mje350.pdf

MJE340MJE350Complementary silicon power transistorsFeatures STMicroelectronics preferred salestypes Complementary NPN — PNP devicesApplications Linear and switching industrial equipment321DescriptionSOT-32The MJE340 is a silicon planar NPN transistor intended for use in medium power linear and switching applications. It is mounted in SOT-32.The complemen

8.4. Size:37K fairchild semi mje340.pdf

MJE340High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to MJE350TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 VVEBO

8.5. Size:67K onsemi mje340-d.pdf

8.6. Size:238K cdil mje340.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR MJE340TO126 Plastic PackageECBFor use in High Voltage General Purpose ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 300 VCollector Base Voltage VCBO 300 VVEBOEmitter Base Voltage 3.0 VICC

8.7. Size:208K inchange semiconductor mje340t.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor MJE340TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general p

8.8. Size:212K inchange semiconductor mje340.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor MJE340DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CComplement to the PNP MJE350Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

S13005ED Datasheet (PDF)

1.1. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

R S13005ED 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2

4.1. ts13005 b07.pdf Size:364K _taiwansemi

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ? High Voltage ? High Speed Switching Structure ? Silicon Triple Diffused Type ? NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing TS13005CZ

4.2. ts13005ci-cz.pdf Size:361K _taiwansemi

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram ● High Voltage ● High Speed Switching Structure ● Silicon Triple Diffused Type ● NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

4.3. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R S13005A 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2

Другие транзисторы… 2SC4355 , 2SC4356 , 2SC4357 , 2SC4358 , 2SC4359 , 2SC436 , 2SC4360 , 2SC4361 , BD139 , 2SC4363 , 2SC4364 , 2SC4365 , 2SC4366 , 2SC4367 , 2SC4368 , 2SC4369 , 2SC437 .

Как выбрать

Прежде чем отправиться за покупкой мягкой мебели, определитесь со своими потребностями. Если вы планируете покупку дивана для гостей, остановитесь на бюджетной, но современной модели

Важно, чтобы обивка служила долго и не истиралась

Если же планируется покупка мебели для ежедневного сна, основное внимание нужно уделить прочности каркаса и качеству наполнителя. Они обеспечивают правильное положение человека во время сна, сохраняют здоровье позвоночника и обеспечивают качественный сон

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию

В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию. В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

Важно, чтобы диван поместился на место установки. Затем посмотрите на подходящие модели

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло

Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло. Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Аккордеон;
Клик-кляк;
Еврокнижку.

На видео: диван аккордеон от андерссен.

Биполярный транзистор MJE340G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE340G

Маркировка: JE340

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

MJE340G
Datasheet (PDF)

..1. Size:67K onsemi mje340g.pdf

8.1. Size:117K motorola mje340re.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJE340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE340Plastic Medium Power NPN0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . useful for high voltag

8.2. Size:66K st mje340-mje350.pdf

8.3. Size:594K st mje340 mje350.pdf

8.4. Size:37K fairchild semi mje340.pdf

8.5. Size:67K onsemi mje340-d.pdf

8.6. Size:238K cdil mje340.pdf

8.7. Size:208K inchange semiconductor mje340t.pdf

8.8. Size:212K inchange semiconductor mje340.pdf

Другие транзисторы… MJE243G
, MJE253G
, MJE270G
, MJE271G
, MJE2955A
, MJE2955TG
, MJE3055A
, MJE3055TG
, BC549
, MJE3439G
, MJE344G
, MJE371G
, MJE4343G
, MJE5730G
, MJE5731AG
, MJE5731G
, MJE5742G
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
КТ8126А1	-/80	700	400	9	8/16	150	≥ 4	120	5…40	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(TO220)
2Т856А	-/125	950	950	5	10/12	—	—	—	10…60	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(TO3)
Б	750	750
Г	850	850
КТ872А	-/100	700	700	6	8/15	150	7	—	6	≤ 1,0	-/6,7/0,8	КТ-43	(TO218)
КТ878А	2/100	900	900	6	25/30	150	≥ 10	500	12…50	≤ 1,5	-/3,0/-	КТ-9	(TO3)
КТ8107А	-/100	1500	700	5	5/7	150	≥ 7	≤ 75	≥ 2,25	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-43-2	(TO218)
В	1200
КТ8108А/Б/В	-/70	850	850	5	5/7	150	≥ 15	≤ 75	10…50	≤ 1,0	-/3,0/0,3	КТ-9	(TO3)
КТ8114А	-/125	1500	700	6	8/15	150	—	—	≥ 6	≤ 1,0	-/-/0,5	КТ-43-2	(TO218)
Б	1200
КТ8118А	-/50	900	750	5	3/-	150	≥ 15	—	10	—	—	—
КТ8121А	-/75	700	400	5	4/8	150	≥ 4	—	8…60	≤ 1,0	-/3,0/0,4	—
КТ8164А	-/75	700	400	9	4/8	150	≥ 4	110	8…60	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(TO220)

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C/I_CM	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	t_on/ t_s/ t_f	Корпус	Примечания
13007	2/85	700	400	9	9/-	150	≥ 5	—	8…35	≤ 0,8	0,5/5,5/0,5	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	≥ 5	—	8…40	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
BLD137D	-/90	700	400	9	8/-	150	—	—	5…40	≤ 1,5	-/7,0/0,8	TO220/S
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
BUJ105A	-/80	700	400	—	8/16	150	—	—	10…36	≤ 1,0	1,0/2,5/0,5	TO220AB	٭
BUJ106A	-/80	700	400	—	10/20	150	—	—	10…33	≤ 1,0	0,75/3,3/0,75	TO220AB	٭
BUL67	-/100	700	400	9	10/18	150	—	—	10…50	≤ 1,5	-/3,2/0,18	TO220	٭٭
BUL87	-/110	700	400	9	12/24	150	—	—	8…40	≤ 1,5	-/3,4/0,165	TO220	٭٭
FJP3307D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	60	5…40	≤ 3,0	-/3,0/0,7	TO220
MJE13009X7	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220
MJE13009X8	2/90	700	400	9	8/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F
MJE13009ZJ	2/90	700	400	9	12/-	150	≥ 5	—	10…40	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S
PHE13009	-/80	700	400	—	12/24	150	—	—	8…40	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBP5307DO	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	10…40	≤ 3,0	-/3,6-1,6	TO220
SGSF341	-/80	850	400	—	10/-	175	—	—	—	≤ 1,5	1,2/3,5/0,4	TO220	٭
TSC148D	-/80	700	400	9	8/16	150	—	—	8…40	≤ 2,0	0,6/1,6/0,3	TO220 TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

MJE340G Datasheet PDF — ON Semiconductor

Part Number	MJE340G
Description	Plastic Medium-Power NPN Silicon Transistor
Manufacturers	ON Semiconductor
Logo
There is a preview and MJE340G download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

MJE340G
Plastic Medium-Power
NPN Silicon Transistor
This device is useful for high−voltage general purpose applications.
Features

• Suitable for Transformerless, Line−Operated Equipment

• Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating

for High Reliability

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*

• Complementary to MJE350

MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol Value
Unit
Collector−Emitter Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Total Power Dissipation

@ TC = 25_C

Derate above 25_C

VCEO

VEB

300 Vdc
3.0 Vdc
500 mAdc
20 W

0.16 mW/_C

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ, Tstg –65 to +150 _C

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be
assumed, damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Symbol

qJC

Max
6.25
Unit

_C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic
Symbol Min Max Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage

(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)

VCEO(sus)

300
−
Vdc
Collector Cutoff Current

(VCB = 300 Vdc, IE = 0)

ICBO

mAdc

− 100
Emitter Cutoff Current

(VEB = 3.0 Vdc, IC = 0)

IEBO

mAdc

− 100
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain

(IC = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc)

hFE −

30 240
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different
conditions.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

December, 2013 − Rev. 13
1
http://onsemi.com
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
300 VOLTS, 20 WATTS
SCHEMATIC
COLLECTOR
2, 4
3
BASE
1
EMITTER
123
TO−225
CASE 77−09
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
YWW
JE340G
Y = Year
WW = Work Week
JE340 = Device Code
G = Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJE340G
TO−225
(Pb−Free)
500 Units/Box
Publication Order Number:
MJE340/D
Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MJE340G electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 10 мА, I_B = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	I_EBO	U_EB= 9,0 В, I_C= 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	U_CE(sat)(1)	I_C = 5,0А, I_B = 1,0 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	U_CE(sat)(2)	I_C = 8,0А, I_B = 1,6 А	≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	U_CE(sat)(3)	I_C = 12,0А, I_B = 3,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	U_BE(sat)(1)	I_C = 5,0А, I_B = 1,0 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	U_BE(sat)(2)	I_C = 8,0А, I_B = 1,6 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	h_FE(1)	U_CE = 5,0 В, I_C = 5,0 А	8…40
h_FE(2)	U_CE = 5,0 В, I_C = 8,0 А	6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	f_T	I_C = 0,5 А, U_CE = 10,0 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	C_ob	U_CB = 10,0 В, f = 0,1 МГц	180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	t_on	U_CC = 125 В, I_C = 8,0 А,I_B1 = -I_B2 = 1,6 А, R_L = 15,6 Ом	1,1
Время сохранения импульса, мкс	t_s (t_stg)	3
Время спадания импульса, мкс	t_f	0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%

Режима работы в SOA

Режим FBSOA

Режим RBSOA

MJE340 Datasheet (PDF)

..1. mje340 mje350.pdf Size:501K _st

MJE340MJE350COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICESAPPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION 12The MJE340 is a Silicon Epitaxial Planar NPN3transistor intended for use in medium powerlinear and switching applications. It is mounted inSOT-32.SOT-32The complementa

..2. mje340.pdf Size:37K _fairchild_semi

..3. mje340.pdf Size:238K _cdil

..4. mje340.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

0.1. mje340re.pdf Size:117K _motorola

Order this documentMOTOROLAby MJE340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE340Plastic Medium Power NPN0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . useful for high voltag

0.2. mje340-mje350.pdf Size:66K _st

0.3. mje340-d.pdf Size:67K _onsemi

0.4. mje340g.pdf Size:67K _onsemi

0.5. mje340t.pdf Size:208K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… MJE3311
, MJE3312
, MJE3370
, MJE3371
, MJE33A
, MJE33B
, MJE33C
, MJE34
, TIP41
, MJE340K
, MJE341
, MJE341K
, MJE3439
, MJE344
, MJE3440
, MJE344K
, MJE345
.

STI13005-1 Datasheet (PDF)

1.1. sti13005-1.pdf Size:235K _update

STI13005-1 High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features ■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters 3 ■ Very high switching speed 2 1 Application IPAK ■ Switch mode power supplies (AC-DC converters) Description Figure 1. Internal schematic diagram The device

2.1. sti13005h.pdf Size:226K _update

STI13005-H High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet — production data Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation TAB ■ Very high switching speed Applications 3 2 1 ■ Electronic ballast for fluorescent lighting I2PAK ■ Switch mode power supplies Description This device is manufactured using high volta

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少

1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和

1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少

1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少

Характеристики и аналоги 13001 S8D

Режима работы в SOA

Режим FBSOA

Режим RBSOA

MJE340G Datasheet (PDF)

Распиновка

S13005ED Datasheet (PDF)

Как выбрать

Биполярный транзистор MJE340G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

MJE340G Datasheet (PDF)

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

MJE340G Datasheet PDF — ON Semiconductor

Electronic Components Distributor

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

Электрические параметры

Режима работы в SOA

Режим FBSOA

Режим RBSOA

MJE340 Datasheet (PDF)

STI13005-1 Datasheet (PDF)

Маркировка

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

Похожие записи:

Похожие записи:

MJE340G
Datasheet (PDF)