In Stock : 3141
Please send RFQ , we will respond immediately.
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Примеры использования
Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.
Усилитель низкой частоты
Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.
Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора
Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.
Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.
В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.
Alternate Parts for MJD122G
This table gives cross-reference parts and alternative options found for MJD122G. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of MJD122G, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (10)
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
KSH122TF |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs KSH122TF |
|
KSH122 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | Samsung Semiconductor |
MJD122G vs KSH122 |
|
MJD122T4 |
Low voltage NPN power Darlington transistor | STMicroelectronics |
MJD122G vs MJD122T4 |
|
CJD122 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Central Semiconductor Corp |
MJD122G vs CJD122 |
|
KSH122TM |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs KSH122TM |
|
MJD122 |
8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | Motorola Mobility LLC |
MJD122G vs MJD122 |
|
MJD122-T1 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Samsung Semiconductor |
MJD122G vs MJD122-T1 |
|
MJD122T4 |
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | onsemi |
MJD122G vs MJD122T4 |
|
MJD122 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, DPACK-3 | Micro Commercial Components |
MJD122G vs MJD122 |
|
KSH122TF |
NPN Silicon Darlington Transistor, 2000-REEL | onsemi |
MJD122G vs KSH122TF |
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
MJD122 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs MJD122 |
|
MJD122T4 |
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | onsemi |
MJD122G vs MJD122T4 |
|
KSH122TF_NL |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, LEAD FREE, DPAK-3 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs KSH122TF_NL |
|
KSH122TF |
NPN Silicon Darlington Transistor, 2000-REEL | onsemi |
MJD122G vs KSH122TF |
|
KSH122TF |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs KSH122TF |
|
NJVMJD122T4G |
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL, Automotive Qualified | onsemi |
MJD122G vs NJVMJD122T4G |
|
KSH122TM |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3/2 | Fairchild Semiconductor Corporation |
MJD122G vs KSH122TM |
|
CJD122 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | Central Semiconductor Corp |
MJD122G vs CJD122 |
|
MJD122T4 |
Low voltage NPN power Darlington transistor | STMicroelectronics |
MJD122G vs MJD122T4 |
|
KSH122TM |
NPN Silicon Darlington Transistor, 2500-REEL | onsemi |
MJD122G vs KSH122TM |
Графические данные
Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В
Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100
Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.
Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.
Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.
Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.
Области безопасной работы ограничиваются:
- по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
- по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
- по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.
Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).
MJD122 Datasheet PDF — ON
| Part Number | MJD122 | |
| Description | Complementary Darlington Power Transistors | |
| Manufacturers | ON | |
| Logo | ||
|
There is a preview and MJD122 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages |
|
Preview 1 page
No Preview Available !
MJD122, NJVMJD122 • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Surface Mount Replacements for 2N6040−2N6045 Series, TIP120−TIP122 Series, and TIP125−TIP127 Series • Monolithic Construction With Built−in Base−Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V Machine Model, C > 400 V • NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 September, 2016 − Rev. 15 |
|
+ 4 *IC/IB ≤ hFE/3 + 3 25°C to 150°C - 1 qVC for VCE(sat) - 2 - 55°C to 25°C - 3 qVB for VBE 25°C to 150°C - 4 - 55°C to 25°C - 5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 57 + 4 *IC/IB ≤ hFE/3 + 3 25°C to 150°C + 2 - 55°C to 25°C + 1 - 1 *qVC for VCE(sat) - 2 qVB for VBE - 4 25°C to 150°C - 55°C to 25°C - 5 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) 57 105 REVERSE 104 FORWARD 103 VCE = 30 V 105 REVERSE 104 FORWARD 103 VCE = 30 V 102 TJ = 150°C 101 102 TJ = 150°C 101 100°C 1025°C 10-1 + 0.6 + 0.4 + 0.2 0 - 0.2 - 0.4 - 0.6 - 0.8 - 1 VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) - 1.2 - 1.4 10100°C 25°C 10-1 - 0.6 - 0.4 - 0.2 VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) + 1.2 + 1.4 TC = 25°C VCE = 4 Vdc IC = 3 Adc PNP TJ = 25°C 200 Cob Cib PNP VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 8. Capacitance Preview 5 Page |
MJD122, NJVMJD122 (NPN), MJD127, NJVMJD127 (PNP)|
On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for MJD122 electronic component. |
| Information | Total 8 Pages |
| Link URL | |
| Download |
Share Link :
Electronic Components Distributor
|
An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists. |
| SparkFun Electronics | Allied Electronics | DigiKey Electronics | Arrow Electronics |
| Mouser Electronics | Adafruit | Newark | Chip One Stop |
MJD122G Datasheet (PDF)
..1. Size:205K onsemi mjd122g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
8.1. Size:284K motorola mjd122re mjd127.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJD122/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN*MJD122Complementary DarlingtonPNPMJD127*Power TransistorsDPAK For Surface Mount Applications*Motorola Pre
8.2. Size:93K st mjd122 mjd127.pdf
MJD122MJD127COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR- EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX T4)3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP122 ANDTIP1271APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDDPAKAMPLIFIER.TO-252(Suffix
8.3. Size:142K onsemi njvmjd122 njvmjd127.pdf
MJD122, NJVMJD122(NPN), MJD127,NJVMJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements
8.4. Size:205K onsemi mjd122t4g.pdf
MJD122,NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP)Complementary DarlingtonPower Transistorhttp://onsemi.comDPAK For Surface Mount ApplicationsSILICONDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingPOWER TRANSISTORapplications.8 AMPERES100 VOLTS, 20 WATTSFeatures Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N
8.5. Size:403K cdil mjd122 7.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCOMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS MJD122 NPNMJD127 PNPDPAK (TO-252)Plastic PackageDesigned for General Purpose Amplifier and Low Speed Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Base Voltage VCBO 100 VCollector Emitter Voltage V
8.6. Size:163K lge mjd122.pdf
MJD122(NPN)TO-251/TO-525-2L TransistorTO-2511. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 1 2 3 Features High DC current gain Electrically similar to popular TIP122 Built-in a damper diode at E-C TO-252-2L MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 100 VVCEO Collector-Emitter Voltage 100 VVEBO Emitter-Bas
8.7. Size:664K wietron mjd122.pdf
MJD122NPN PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORSP b Lead(Pb)-Free1.BASE32.COLLECTOR23.EMITTER 1Features:* High DC current gainD-PAK(TO-252)* Electrically similar to popular TIP122* Built-in a damper diode at E-CABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C)Rating Symbol Value UnitVCBOCollector-Base Voltage 100 VVCEO100 VCollector-Emitter VoltageVEBOEmitter-Base Voltage 5
8.8. Size:451K first silicon mjd122.pdf
SEMICONDUCTOR MJD122TECHNICAL DATANPN Silicon Darlington TransistorMJD122IAIFEATURES CJ High DC Current Gain Electrically Similar to Popular TIP122DIM MILLIMETERSA 6.50 0.2 Built-in a Damper Diode at E-CB 5.60 0.2C 5.20 0.2D 1.50 0.2We declare that the material of E 2.70 0.2F 2.30 0.1product compliance with RoHS requirements.
8.9. Size:421K first silicon mjd122i.pdf
SEMICONDUCTOR MJD122ITECHNICAL DATANPN Silicon Darlington TransistorMJD122ITO-251-3LFEATURES High DC Current Gain1.BASE Electrically Similar to Popular TIP122 Built-in a Damper Diode at E-C2.COLLECTOR3.EMITTER We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.Equivalent CircuitCBR1 R2R1 8kER2 0.12k MAXI
8.10. Size:884K slkor mjd122d.pdf
MJD122DSilicon NPN Darlington Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector-Emitter saturation voltageLead formed for surface mount applicationsHigh DC current gainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
