Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.
Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные
высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент
шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы
в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты.
Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — , с гибкими выводами.
Масса — около 0,5 г.
Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.
При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102).
Цветовое пятно сверху обозначает группу: Бордовое — группа А(КТ3102А). Желтое — группа Б(КТ3102Б).Темно-зеленое — группа В(КТ3102В). Голубое — группа Г(КТ3102Г).Синие — группа Д(КТ3102Д).Цвета «электрик» — группа Е(КТ3102Е).
Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до
1000.
Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА,
на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ.
1000.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.
Максимальный ток коллектора — 100мА.
Максимальное напряжение эмиттер-база — 5в.
Обратный ток коллектор-эмиттер :
У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и
транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.
Обратный ток коллектора не более:
У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА,
при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д
при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА,
при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 250мВт.
Граничная частота коэффициента передачи
тока — 150 МГц.
MJ15003 Datasheet (PDF)
..1. mj15003 mj15004.pdf Size:60K _onsemi
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Preferred Device Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearhttp://onsemi.comapplications.Features 20 AMPEREPOWER TRANSISTORS High Safe Operating Area (100% Tested) — 5.0 A @ 50 V For Low Distortion Complementary Designs
..2. mj15003.pdf Size:205K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor MJ15003DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 5AFE CWide Area of Safe OperationComplement to the PNP MJ15004Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio,disk head positioners andother linear applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
0.1. mj15003r.pdf Size:119K _motorola
Order this documentMOTOROLAby MJ15003/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ15003*Complementary Silicon PowerPNPMJ15004*TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBase power transist
0.2. mj15003g.pdf Size:104K _onsemi
MJ15003 (NPN),MJ15004 (PNP)Complementary SiliconPower TransistorsThe MJ15003 and MJ15004 are PowerBaset power transistorsdesigned for high power audio, disk head positioners and other linearhttp://onsemi.comapplications.Features 20 AMPEREPOWER TRANSISTORS High Safe Operating Area (100% Tested) — 5.0 A @ 50 V For Low Distortion Complementary DesignsCOMPLEMENTARY SIL
0.3. mj15003-04.pdf Size:156K _mospec
AAA
Другие транзисторы… MJ13334
, MJ13335
, MJ14000
, MJ14001
, MJ14002
, MJ14003
, MJ15001
, MJ15002
, S9015
, MJ15004
, MJ15011
, MJ15012
, MJ15015
, MJ15016
, MJ15018
, MJ15019
, MJ15020
.
Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N5087
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора:
2N5087
Datasheet (PDF)
..1. Size:434K motorola 2n5086 2n5087.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123
..2. Size:49K philips 2n5087 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1
..3. Size:100K fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf
2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect
..4. Size:60K central 2n5086 2n5087.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..5. Size:1285K sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf
0.1. Size:300K motorola 2n5087rev0.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT
0.2. Size:155K onsemi 2n5087-d.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.3. Size:156K onsemi 2n5087g.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.4. Size:156K onsemi 2n5087rlrag.pdf
2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2
0.5. Size:49K hsmc h2n5087.pdf
Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..
Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | — | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | — | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | — | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | — | 30 | — | 0,8 | 150 | 190 | — | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | — | 25 | — | 0,8 | 175 | — | — | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | — | 150 | 150 | — | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | — | — | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | — | 4 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | — | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | — | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | — | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | — | 40 | — | 1 | — | 150 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | — | 40 | — | 1,5 | — | 190 | — | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | — | 25 | — | 3 | — | — | — | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.