Ktc3229 pdf даташит

Производители

Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).

Аналоги транзистор C945

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Cc	Hfe	Caps
2DC2412R	Si	NPN	0.3	50	0.15	180	180	SOT23
2SC1623RLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	180	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60	50	7	0.15	150	180	3	270	SOT23
2SC2412-R	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC2412KRLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60	50	5	0.15	150	150	2.2	200	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1	70	1	150	250	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60	60	5	1	150	250	SOT23
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60	50	5	0.5	150	500	2.8	300	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70	70	70	0.175	150	1000	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100	80	5	0.5	150	150	5000	SOT23
C945	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3	60	1	150	200	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50	0.5	150	200	250	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60	65	0.3	150	300	300	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5	60	1	150	500	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5	50	1.25	180	300	SOT23
L2SC1623RLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	180	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60	50	7	0.15	150	250	3	270	SOT23
L2SC2412KRLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	180	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60	50	7	0.15	150	180	2	270	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	200	SOT23
MMBT945-L	Si	NPN	0.2	60	50	5	0.15	150	150	3	130	SOT23
NSS60201LT1G	Si	NPN	0.54	60	4	150	SOT23
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5	100	4.5	150	200	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25	50	4	200	240	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25	100	2.5	175	300	SOT23

Электрические параметры C3229 транзистора

• Максимальное смещающее напряжение VCEO: 50 В
• Максимальный коллекторный ток IC: 1 А
• Максимальная мощность PD: 1 Вт
• Коэффициент усиления hFE: 100-300
• Смещающее напряжение VBE: 5 В
• Максимальное смещенное напряжение VBE(SAT): 1,2 В
• Максимальная рабочая частота fT: 150 МГц

Данные параметры позволяют оценить применимость транзистора C3229 в различных схемах и при разных условиях работы. Например, высокий максимальный коллекторный ток позволяет использовать транзистор в схемах с высокими токами нагрузки, а максимальная рабочая частота определяет предельную частоту работы транзистора.

Знание электрических параметров транзистора C3229 позволяет более точно прогнозировать его эффективность и применимость в конкретной схеме, а также выбирать соответствующие компоненты для работы с ним.

Функциональное назначение транзистора С3229

Транзистор С3229 применяется в различных электрических схемах в качестве усилителя, переключателя или стабилизатора напряжения. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая скорость переключения и мощность, он широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникационной технике и других областях.

Транзистор С3229 способен усиливать слабые сигналы и преобразовывать их в более сильные для дальнейшей обработки или передачи. Он также может применяться для управления другими устройствами, служа в качестве ключа, который открывает или закрывает электрическую цепь.

За счет своей высокой надежности и долговечности, транзистор С3229 может использоваться в сложных условиях эксплуатации, обеспечивая стабильную и качественную работу электронных устройств.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Параметры

Транзистор С3229 имеет следующие основные технические характеристики:

• Тип корпуса: SOT-23
• Полупроводниковый материал: кремний
• Тип транзистора: PNP
• Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: -60 В
• Минимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: -30 В
• Максимальный ток коллектора: 0,5 А
• Максимальная мощность: 0,5 Вт
• Коэффициент усиления по току: от 60 до 600
• Максимальная рабочая температура: +150 °C

Также стоит отметить, что транзистор С3229 обладает низким уровнем шума и хорошей линейностью усиления, что позволяет его использовать в различных схемах усиления сигнала.

Биполярный транзистор KTC3229 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC3229

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

KTC3229
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  kec ktc3229.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3229TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORCOLOR TV CHROMA OUTPUT APPLICATION.ACFEAUTRESDIM MILLIMETERSSHigh Voltage : VCEO=300V._A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3ESmall Collector Output Capacitance : Cob=4.0pF(Max.).C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05_E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 13.6 0.5L LMA

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor ktc3229.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor KTC3229DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV chroma output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

 8.1. Size:79K  kec ktc3226.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3226TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORSTROBO FLASH APPLICATION.HIGH CURRENT APLICATION.B DFEATURES High DC Current Gain and Excellent hFE LinearityDIM MILLIMETERSP: hFE(1)=140 600 (VCE=1V, IC=0.5A)DEPTH:0.2A 7.20 MAX: hFE(2)=70(Min.), 200(Typ.) (VCE=1V, IC=2A). B 5.20 MAXCC 0.60 MAXS Low Saturation Voltage D 2.50 MAXQE 1.15 MAX

 8.2. Size:857K  kec ktc3228.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3228TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORCOLOR TV VERT. DEFELECTION OUTPUT APPLICATION.COLOR TV CLASS B SOUND OUTPUT APPLICATION.FEATURES High Voltage : VCEO=160V.Large Continuous Collector Current Capability.Recommended for Vert. Deflection Output & Sound OutputApplications for Line Operated TV.Complementary to KTA1275._+_+MAXIMUM R

 8.3. Size:77K  kec ktc3227.pdf

SEMICONDUCTOR KTC3227TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. B DFEATURES Complementary to KTA1274.DIM MILLIMETERSPDEPTH:0.2A 7.20 MAXB 5.20 MAXCC 0.60 MAXSMAXIMUM RATING (Ta=25 )D 2.50 MAXQE 1.15 MAXKCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF 1.27G 1.70 MAXVCBOCollector-Base Voltage 80 V H 0.55 MAXFF_J 14.00 + 0.50

 8.4. Size:862K  blue-rocket-elect ktc3228.pdf

KTC3228 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features KTA1275 High voltage, complementary to KTA1275. / Applications ,Color TV vertical deflection output, color TV class B s

Другие транзисторы… KTC3203
, KTC3204
, KTC3205
, KTC3206
, KTC3208
, KTC3226
, KTC3227
, KTC3228
, BC558
, KTC3230
, KTC3231
, KTC3265
, KTC3295
, KTC3400
, KTC3467
, KTC3875
, KTC3876
.

Лучшие альтернативы C2078 транзистору

Существует несколько альтернативных моделей транзисторов, которые могут заменить C2078 в различных схемах. Рассмотрим некоторые из них:

1. C2078H — данная модель является прямой заменой для C2078. Она имеет аналогичные электрические характеристики и может использоваться в тех же приложениях.

2. 2SC3193 — этот транзистор обладает высокой мощностью и низким уровнем шума. Он может быть использован в качестве замены для C2078 в усилителях мощности и других подобных схемах.

3. 2SA1162 — данный транзистор имеет высокую частоту переключения и низкий уровень шума. Он может быть использован в высокочастотных усилителях и других схемах, где требуется высокая скорость переключения.

4. 2N3906 — это низкомощный PNP транзистор, который также может быть использован в качестве альтернативы для C2078 в некоторых схемах.

5. BC557 — данная модель является общеизвестным PNP транзистором, который может заменить C2078 в простых усилительных схемах и других подобных приложениях.

Перед заменой C2078 транзистора необходимо убедиться, что выбранная альтернатива имеет сопоставимые электрические характеристики и может работать в заданном диапазоне температур и напряжений.

Проверка работоспособности КТ315

Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.

Проверка работоспособности КТ361

Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать

Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе

Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).

Технические характеристики С3229 транзистора

Технические характеристики С3229 транзистора представлены в таблице:

Параметр	Значение
Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (VCEO)	30 В
Максимальный коллекторный ток (IC)	7 А
Максимальная мощность потери (PD)	40 Вт
Коэффициент усиления в постоянном режиме (hFE)	не менее 30
Время переключения (tr, tf)	не более 1 мкс

С3229 транзистор имеет малые габариты, низкое сопротивление и хорошие высокочастотные характеристики. Он отличается высокой надежностью и стабильной работой в широком диапазоне температур, что делает его идеальным выбором для множества приложений.

Описание и основные характеристики

Этот транзистор имеет p-n-p структуру, что означает, что его основная проводимость образуется посредством дырок. Он обладает высоким коэффициентом усиления тока и низким уровнем шума, что делает его идеальным для использования в усилительных схемах.

Основные характеристики C3229 включают:

• Максимальную коллектор-эмиттерную обратную напряжение: 50 В
• Максимальную коллекторную постоянную ток: 150 мА
• Коэффициент усиления тока в режиме прямого смещения: от 100 до 800
• Прямой напряжение насыщения коллектор-эмиттер: максимум 0.4 В
• Прямой ток насыщения коллектор-эмиттер: максимум 0.2 А
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Эти характеристики позволяют использовать транзистор C3229 в широком спектре приложений, требующих высокой эффективности работы усилительных схем и надежной коммутации сигналов.

Описание C3229 транзистора на русском языке

• Максимальное постоянное напряжение коллектора (Vceo): 300 В
• Максимальный постоянный коллекторный ток (Ic): 500 мА
• Максимальная мощность коллектора (Pc): 625 мВт
• Максимальная частота переключения (fT): 250 МГц
• Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база (Vbe): 5 В
• Максимальное постоянное обратное напряжение коллектор-эмиттер (Vcer): 300 В
• Максимальная длительная температура хранения (Tstg): -55 до +150 °C

Транзистор C3229 обладает низким сопротивлением перехода база-эмиттер, что обеспечивает быстрое и точное управление током в цепи базы. Он имеет малый пакет SOT-23, который позволяет удобно устанавливать его на печатные платы. Транзистор C3229 также обладает хорошей стабильностью и надежностью работы.

Использование транзистора C3229 может эффективно решить задачи усиления и коммутации сигналов в различных электронных устройствах, включая усилители звука, источники питания, аудиоусилители и другие. Благодаря своим характеристикам и надежности, C3229 является популярным выбором среди разработчиков и инженеров в области электроники.

KTC3875 Datasheet (PDF)

..1. ktc3875.pdf Size:590K _secos

KTC3875 0.15A , 60V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES High hFE AL Low noise 33 Complementary to KTA1504 Top ViewC B11 2CLASSIFICATION OF hFE 2K EProduct-Rank KTC3875-O KTC3875-Y KTC3875-GR KTC3875-BL DRange 70~140 120~240 200~400 350~

..2. ktc3875.pdf Size:781K _htsemi

KTC3875TRANSISTOR (NPN) SOT-23 FEATURES High hFE Low noise 1. BASE Complementary to KTA1504 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 150 mA PC Collector Power Dissip

..3. ktc3875.pdf Size:188K _lge

KTC3875 SOT-23 Transistor(NPN)SOT-231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FeaturesHigh hFE: hFE=70-700 Low noise : NF=1dB(Typ),10dB(Max) Complementary to KTA1504 Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base V

..4. ktc3875.pdf Size:476K _wietron

KTC3875COLLECTORPlastic-Encapsulate Transistors3NPN Silicon 1BASE2SOT-23EMITTER(Ta=25 C)MAXIMUM RATINGSRating Symbol ValueUnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VdcCollector-Base Voltage VCBO60 VdcEmitter-Base Voltage VEBO5.0 VdcCollector Current -Continuous ICmAdc150THERMAL CHARACTERISTICSCharacteristics Symbol ValueUnit(1)Total Device Dissi

..5. ktc3875.pdf Size:235K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 KTC3875 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High hFE 1. BASE 2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to KTA1504 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEB

..6. ktc3875.pdf Size:996K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTC3875SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features High hFE Low noise1 2+0.1+0.05 Complementary to KTA1504 0.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 60 Collector — Emitter Voltage V

0.1. ktc3875-gr-y.pdf Size:785K _mcc

MCCMicro Commercial Components TMKTC3875-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311KTC3875-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features High hFE and Low NoiseEpitaxial Planar Complementary to KTA1504 Lead Free Finish/Rohs Compliant («P»Suffix designates NPN Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Ha

0.2. ktc3875s.pdf Size:94K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3875STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSExcellent hFE Linearity_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: hFE(0.1mA)/hFE(2mA)=0.95(Typ.).C 1.30 MAX2High hFE : hFE=70 700. 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).1G 1.90H 0.95

 0.3. ktc3875lt1.pdf Size:265K _china

SEMICONDUCTOR KTC3875LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General purpose application Package:SOT-23 * Complement to KTA1504LT1 * Collector Current :Ic=150mA * low noise:NF=10db(max) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы… KTC3228
, KTC3229
, KTC3230
, KTC3231
, KTC3265
, KTC3295
, KTC3400
, KTC3467
, , KTC3876
, KTC3878
, KTC3879
, KTC3880
, KTC3881
, KTC3882
, KTC3883
, KTC3911
.

Особенности C3229 транзистора

• Низкое напряжение насыщения: C3229 имеет низкое напряжение насыщения, что означает его способность работать при малых напряжениях и потреблять меньше энергии.
• Высокая мощность: Транзистор C3229 способен обрабатывать высокую мощность сигналов, что делает его подходящим для использования в усилителях и других устройствах, где необходима большая мощность.
• Высокая скорость коммутации: C3229 обладает быстрым временем переключения, что позволяет ему эффективно управлять сигналами с высокой частотой.
• Хорошая стабильность температуры: Температура не оказывает существенного влияния на работу транзистора C3229, что делает его надежным и стабильным в различных условиях эксплуатации.
• Широкий диапазон рабочих температур: C3229 способен работать в широком диапазоне температур от минус 55 градусов до плюс 150 градусов Цельсия.

Эти особенности делают транзистор C3229 очень популярным элементом в различных электронных устройствах и системах, где требуется эффективное управление сигналами и энергией.

Где можно применять транзистор c3229?

Одно из основных применений транзистора c3229 — это усиление мощности в аппаратах телевизионной техники. Он обеспечивает стабильную работу устройств и помогает улучшить качество изображения и звука.

Также транзистор c3229 может использоваться во многих других радиоэлектронных устройствах, включая радиоприемники, радары, аудиосистемы, а также схемы медицинской аппаратуры и промышленного оборудования.

Благодаря надежности и стабильности работы, транзистор c3229 также может применяться в силовых электронных схемах, включая источники бесперебойного питания, инверторы и промышленные контроллеры.

Инженеры и электротехники активно используют транзистор c3229 для разработки и создания новых и современных электронных устройств в различных отраслях промышленности.

Суммируя, транзистор c3229 имеет широкий спектр операций и подходит для использования во многих различных сферах.

Какие технические характеристики характерны для транзистора c3229?

• Тип корпуса: SOT-23
• Максимальная мощность: 0.3 Вт
• Максимальное постоянное напряжение коллектор-база: 60 В
• Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база: 5 В
• Максимальный постоянный коллекторный ток: 0.15 А
• Максимальная рабочая температура: 150 °C
• Усиление коллекторного тока (h_fe): 200-400
• Переходные частоты усиления: 250 МГц (мин.)
• Сопротивление перехода коллектор-база: 0.6 Ом
• Сопротивление перехода эмиттер-база: 10 Ом

Эти технические характеристики делают транзистор c3229 незаменимым компонентом во многих электронных устройствах, таких как усилители, источники питания, телевизоры и др.

Datasheet Download — Galaxy Microelectronics

Номер произв	KTC3875
Описание	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
Производители	Galaxy Microelectronics
логотип
1Page No Preview Available ! Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES z Complementary To KTA1504. z Excellent HFE Linearity. z Low noise. Pb Lead-free KTC3875 APPLICATIONS z General purpose application, switching application. ORDERING INFORMATION Type No. Marking KTC3875 ALO/ALY/ALG/ALL SOT-23 Package Code SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Symbol Parameter Value VCBO Collector-Base Voltage 60 VCEO Collector-Emitter Voltage 50 VEBO Emitter-Base Voltage 5 IC Collector Current -Continuous 150 IB Base Current 30 PC Collector Power Dissipation 150 Tj,Tstg Junction and Storage Temperature -55 to +150 Units V V V mA mA mW ℃ C056 Rev.A www.gmicroelec.com 1 No Preview Available ! Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor KTC3875 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA,IC=0 5 V Collector cut-off current Emitter cut-off current ICBO VCB=60V,IE=0 IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA 0.1 μA DC current gain hFE VCE=6V,IC=2mA 70 700 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA 0.1 0.25 V Transition frequency Collector output capacitance Noise figure fT VCE=10V, IC= 1mA 80 MHz Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz NF VCE=6V,IC=0.1mA, F=1KHz,Rg=10KΩ 2.0 3.5 pF 1.0 10 dB CLASSIFICATION OF hFE Rank Range Marking O 70-140 ALO Y 120-240 ALY GR 200-400 ALG BL 350-700 ALL C056 Rev.A www.gmicroelec.com 2 No Preview Available ! Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor KTC3875 TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified C056 Rev.A www.gmicroelec.com 3
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF