Как заменить ktc1006 транзистор: все, что нужно знать

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах.  Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

Параметры транзистора КТ829

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2
КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121,  BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2
КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2
КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73,  BDW63 *2, BD695 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ829А	—	60*	Вт
КТ829Б	—	60*
КТ829В	—	60*

КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50

КТ829АП
—
50

КТ829АМ
—
60

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр, f*_h31б, f**_h31э, f***_max
КТ829А
—
≥4
МГц

КТ829Б

—
≥4

КТ829В
—
≥4

КТ829Г
—
≥4

КТ829АТ
—
≥4

КТ829АП
—
≥4

КТ829АМ
—
≥4

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,} U*_{КЭR проб.,} U**_{КЭО проб.}

КТ829А
1к
100*
В

КТ829Б
1к
80*

КТ829В
1к
60*

КТ829Г
1к
45*

КТ829АТ
—
100

КТ829АП
—
160

КТ829АМ
—
240

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора

U_{ЭБО проб.,} 
КТ829А
—5
В

КТ829Б
—5

КТ829В
—5

КТ829Г
—5

КТ829АТ
—5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ829А
—
8(12*)
А

КТ829Б
—
8(12*)

КТ829В
—
8(12*)

КТ829Г
—
8(12*)

КТ829АТ
—
5

КТ829АП
—
5

КТ829АМ
—
8

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*

КТ829В
60 В
≤1.5*

КТ829Г
60 В
≤1.5*

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ

—
—

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э,  h*_21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*

КТ829В
3 В; 3 А
≥750*

КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*

КТ829АТ
—

≥1000

КТ829АП
—
≥700

КТ829АМ
—
400…3000

Емкость коллекторного перехода
c_к,  с*_12э
КТ829А
—
≤120
пФ

КТ829Б
—
≤120

КТ829В
—
≤120

КТ829Г
—
≤120

КТ829АТ
—

—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
 r_{КЭ нас},  r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ

КТ829Б
—
≤0.57

КТ829В
—
≤0.57

КТ829Г
—
≤0.57

КТ829АТ

—
≤0.3

КТ829АП
—
≤0.25

КТ829АМ
—
≤0.66

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ829Б
—
—

КТ829В
—
—

КТ829Г
—
—

КТ829АТ
—
—

КТ829АП
—
—

КТ829АМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас,  t**_выкл,  t***_пк(нс)
КТ829А
——
пс

КТ829Б
——

КТ829В
——

КТ829Г
——

КТ829АТ
——

КТ829АП
——

КТ829АМ
——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Анализ современных аналогов

Другой аналог — транзистор 2N3904, который также обладает подобными параметрами и может быть использован вместо KTC1006. Этот транзистор широко распространен и легко доступен, что делает его удобным вариантом замены.

Также стоит упомянуть транзистор MPSA18, который обладает высокой частотой переключения и характеристиками, сопоставимыми с KTC1006. Он может использоваться вместо него в цепях с высокими требованиями к частоте.

Важно учитывать, что при замене транзистора KTC1006 на аналог необходимо провести дополнительные измерения и проверить совместимость в конкретной схеме или цепи. Разные транзисторы могут иметь небольшие отличия в параметрах, которые могут повлиять на работу всей системы

В целом, основываясь на характеристиках и параметрах, транзисторы BC547, 2N3904 и MPSA18 являются хорошими аналогами KTC1006 и могут быть использованы вместо него в большинстве случаев. Однако, перед заменой рекомендуется провести дополнительные исследования и тестирование, чтобы убедиться в совместимости выбранного аналога с конкретной схемой или цепью.

Микроэлектроника и применение

Транзистор – это электронный прибор, предназначенный для усиления или переключения электрических сигналов. Он состоит из полупроводникового материала, обычно кремния или германия, с тремя выводами: эмиттером, коллектором и базой. В микроэлектронике транзисторы применяются для создания логических элементов, операционных усилителей, регулирования тока и т.д.

Известен широкий спектр различных транзисторов, каждый из которых имеет свои характеристики и особенности применения. KTC1006 – одна из таких моделей транзисторов. Он относится к классу pnp транзисторов и широко используется в различных электронных устройствах.

В некоторых случаях возникает необходимость заменить транзистор KTC1006 на аналогичную модель. В качестве замены можно использовать транзисторы схожих характеристик и параметров

Важно обратить внимание на тип транзистора (npn или pnp), его максимальные рабочие токи и напряжения, а также частоту переключения

Некоторые популярные заменители транзистора KTC1006 могут быть следующими:

• KTC9014 – pnp транзистор, аналогичный KTC1006 по максимальным токам и напряжениям;
• 2N3906 – pnp транзистор с высокой частотой переключения и низким уровнем шума;
• BC557 – pnp транзистор, часто используемый в усилительных схемах;
• 2SA1015 – pnp транзистор, обладающий высокими рабочими токами и низкими уровнями шума.

При замене транзистора KTC1006 на аналогичную модель необходимо учитывать требуемые характеристики и параметры для конкретного применения устройства. Рекомендуется также обратиться к документации и спецификациям соответствующего транзистора или проконсультироваться с специалистами.

Порядок действий по замене

При замене транзистора Ktc1006 необходимо следовать определенному порядку действий, чтобы избежать ошибок и повреждений. Вот основные шаги, которые рекомендуется выполнить при замене данного транзистора:

1. Отключите устройство от источника питания и выключите его.
2. Осмотрите плату устройства и найдите место, где расположен транзистор Ktc1006.
3. Подготовьте инструменты для работы: паяльник, паяльную пасту, щипцы и паяльную станцию.
4. Аккуратно отпаяйте старый транзистор, следуя инструкциям производителя вашего устройства или схеме.
5. Снимите остатки паяльной пасты или олова с платы при помощи вакуумного насоса или определенного инструмента.
6. Выньте новый транзистор Ktc1006 из своей упаковки и аккуратно подготовьте его для установки.
7. Нанесите тонкий слой паяльной пасты на нужные контакты на плате, где будет устанавливаться новый транзистор.
8. Припойте новый транзистор к плате при помощи паяльника. Убедитесь, что все контакты плотно припаяны и надежно фиксируют транзистор.
9. Проверьте работу устройства, подключив его к источнику питания и включив его.
10. Если устройство работает правильно, закрепите транзистор на плате, следуя инструкциям производителя или схеме, или при помощи рамки (держателя) для транзистора.

Следуя данным шагам и действуя осторожно, вы сможете успешно заменить транзистор Ktc1006 на плате вашего устройства. В случае возникновения проблем или необходимости более подробной информации, рекомендуется проконсультироваться с профессионалами или специалистами в данной области

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

• U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
• U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
• I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
• Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
• h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
• I КБ — обратный ток вывода коллектора.
• f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
• U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

• Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
• Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

Симисторный ключ

Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше
использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например,
MOC3023M или MOC3052.

Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот
фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным
ключом.

В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА,
поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся
использовать дополнительный транзисторный ключ.

Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до
1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через
второй силовой симистор.

Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой
накаливания).

Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера
симистора.

Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они
переключаются только в начале периода, что снижает помехи в
электросети.

Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же
резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания
и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое —
симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь
напрасно. Резистор может потребоваться мощный.

Нелишним будет напомнить, что 230 В в электросети (текущий стандарт для
России, Украины и многих других стран) — это значение
действующего напряжения. Пиковое напряжение равно \(\sqrt2 \cdot 230 \approx
325\,\textrm{В}\).

Биполярный транзистор KTC1006 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC1006

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KTC1006
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  kec ktc1006.pdf

SEMICONDUCTOR KTC1006TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORCB TRANSCEIVER TX DRIVER APPLICATION.B DFEATURES Recommended for Driver Stage Application ofAM 4W Transmitter.DIM MILLIMETERSP High Power Gain.DEPTH:0.2A 7.20 MAX Wide Area of Safe Operation. B 5.20 MAXCC 0.60 MAXSD 2.50 MAXQE 1.15 MAXKF 1.27G 1.70 MAXH 0.55 MAXFFMAXIMUM RATINGS (T

 8.1. Size:449K  kec ktc1003.pdf

SEMICONDUCTOR KTC1003TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORB/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATION. ACDIM MILLIMETERSS_FEATURES A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3ELarge Collector Current Capability. C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05Large Collector Power Dissipation Capability._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 1

 8.2. Size:74K  kec ktc1008.pdf

SEMICONDUCTOR KTC1008TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATOR, RELAY, RAMP DRIVER, INDUSTRIAL USEB CFEATURES High Voltage : VCEO=60V(Min.). High Current : IC(Max.)=1A.N DIM MILLIMETERS High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).A 4.70 MAXEKB 4.80 MAX Wide Area of Safe Operation. GC 3.70 MAXD Complementary to KTA708.D 0.45E 1.00F 1

 8.3. Size:212K  inchange semiconductor ktc1003.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor KTC1003DESCRIPTIONLarge Collector Current Capability-: I = 4A (Max)CCollector Power Dissipation-: P = 30W(Max)CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection outputapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы… KTB595
, KTB688
, KTB778
, KTB817
, KTB988
, KTB989
, KTC1001
, KTC1003
, 2SA1943
, KTC1008
, KTC1020
, KTC1026
, KTC1027
, KTC1170
, KTC1969
, KTC200
, KTC2073
.

Замена транзистора Ktc1006 — важный этап при ремонте электроники

Важным этапом при замене Ktc1006 является подбор аналогов по параметрам. Подобранный аналог должен иметь такие же или близкие электрические и функциональные характеристики, чтобы обеспечить корректную работу устройства после замены.

Для выбора аналога транзистора следует обращаться к документации на электронное устройство или обращаться к поставщику компонентов. Часто аналог Ktc1006 можно подобрать по обозначению и структуре корпуса (SOT-23).

Однако при подборе аналога необходимо обратить внимание на следующие параметры:

Тип транзистора (NPN или PNP). Необходимо выбрать аналог с таким же типом транзистора.

Максимальное рабочее напряжение. Подобранный аналог должен иметь такое же или более высокое максимальное рабочее напряжение.

Максимальный ток коллектора

Важно подобрать аналог с таким же или более высоким максимальным током коллектора, чтобы обеспечить правильную работу устройства.

Коэффициент усиления (hFE). Желательно выбрать аналог с таким же или близким значением коэффициента усиления.

После выбора подходящего аналога транзистора Ktc1006 рекомендуется провести тестирование устройства, чтобы убедиться в его правильной работе и отсутствии проблем.

Замена транзистора Ktc1006 — это важный этап при ремонте электроники, который требует внимательности и соответствующего подбора аналогов по параметрам. Следуя рекомендациям и обратившись к специалистам, можно успешно заменить данный транзистор и вернуть устройство в рабочее состояние.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.