Термические характеристики транзистора A1046
- Тепловое сопротивление корпус-перемычка (RθJC): это значение показывает, насколько эффективно транзистор может отводить тепло от своего корпуса к перемычке, которая служит для установки транзистора на радиатор. Чем меньше это значение, тем лучше.
- Тепловое сопротивление корпус-окружающая среда (RθJA): это значение показывает, насколько эффективно транзистор может отводить тепло от своего корпуса к окружающей среде. Чем меньше это значение, тем лучше.
- Максимальная рабочая температура (Tjmax): это максимально допустимая температура, при которой транзистор может надежно работать без повреждений. Превышение этой температуры может привести к снижению производительности или поломке транзистора.
- Тепловое сопротивление корпус-радиатор (RθCA): это значение показывает, насколько эффективно тепло от корпуса транзистора передается через установленный на него радиатор. Чем меньше это значение, тем лучше.
При проектировании схемы с использованием транзистора A1046 необходимо учитывать эти термические характеристики, чтобы обеспечить надежную работу и предотвратить перегрев транзистора. От правильной организации теплопередачи зависит долговечность транзистора и его эффективность в работе.
Механические параметры транзистора A1046
Транзистор A1046 имеет следующие механические параметры:
- Тип корпуса: TO-92
- Материал корпуса: пластик
- Вес: около 0,3 г
- Габариты: 4,6 мм x 4,6 мм x 5 мм
Корпус TO-92 является популярным выбором для транзисторов из-за его малого размера и низкой стоимости. Он обладает тремя выводами, которые позволяют подключать транзистор к внешним элементам схемы.
Материал корпуса из пластика является изолятором, который защищает внутренние элементы транзистора от внешних воздействий.
Вес транзистора составляет около 0,3 г, что делает его легким и удобным в использовании.
Габариты транзистора составляют 4,6 мм x 4,6 мм x 5 мм, что позволяет удобно разместить его на печатной плате или в монтажной коробке.
Производители
Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Аналоги транзистор C945
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
| 2DC2412R | Si | NPN | 0.3 | 50 | 0.15 | 180 | 180 | SOT23 | ||||
| 2SC1623RLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 180 | SOT23 |
| 2SC1623SLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412-R | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412-S | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC2412KRLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| 2SC2412KSLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| 2SC945LT1 | Si | NPN | 0.23 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 2.2 | 200 | SOT23 |
| 2SD1501 | Si | NPN | 1 | 70 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||||
| 2STR1160 | Si | NPN | 0.5 | 60 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||
| 50C02CH-TL-E | Si | NPN | 0.7 | 60 | 50 | 5 | 0.5 | 150 | 500 | 2.8 | 300 | SOT23 |
| BRY61 | Si | PNPN | 0.25 | 70 | 70 | 70 | 0.175 | 150 | 1000 | SOT23 | ||
| BSP52T1 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| BSP52T3 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
| C945 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| DNLS160 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 1 | 150 | 200 | SOT23 | ||||
| DTD123 | Si | Pre-Biased-NPN | 0.2 | 50 | 0.5 | 150 | 200 | 250 | SOT23 | |||
| ECG2408 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 65 | 0.3 | 150 | 300 | 300 | SOT23 | ||
| FMMT493A | Si | NPN | 0.5 | 60 | 1 | 150 | 500 | SOT23 | ||||
| FMMTL619 | Si | NPN | 0.5 | 50 | 1.25 | 180 | 300 | SOT23 | ||||
| L2SC1623RLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 180 | SOT23 |
| L2SC1623SLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 270 | SOT23 |
| L2SC2412KRLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
| L2SC2412KSLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
| MMBT945-H | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 200 | SOT23 |
| MMBT945-L | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
| NSS60201LT1G | Si | NPN | 0.54 | 60 | 4 | 150 | SOT23 | |||||
| ZXTN19100CFF | Si | NPN | 1.5 | 100 | 4.5 | 150 | 200 | SOT23F | ||||
| ZXTN25050DFH | Si | NPN | 1.25 | 50 | 4 | 200 | 240 | SOT23 | ||||
| ZXTN25100DFH | Si | NPN | 1.25 | 100 | 2.5 | 175 | 300 | SOT23 |
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Цоколевка транзистора a1046
Цоколевка транзистора a1046 представлена в виде триодного PNP транзистора в корпусе TO-92 с тремя выводами. Каждый вывод имеет свою назначенную функцию и предназначен для подключения к определенным контактам или устройствам.
| Вывод | Описание |
|---|---|
| 1 | Эмиттер (E) |
| 2 | База (B) |
| 3 | Коллектор (C) |
Эмиттер (E) — это вывод, через который происходит выход тока из транзистора. База (B) — это входной вывод, который контролирует ток, протекающий между эмиттером и коллектором. Коллектор (C) — это вывод, через который входит ток в транзистор.
Правильное подключение этих выводов очень важно для корректной работы транзистора a1046. Неправильное подключение может привести к неправильной работе или поломке устройства, в котором он используется
Применение транзистора A1046
Транзистор A1046 широко применяется в различных схемах усилителей, обнаружителей, генераторов и других электронных устройствах. Его высокая мощность и надежность делают его идеальным выбором для работы в различных условиях.
Основное применение A1046:
- Усилители звукового сигнала: транзистор A1046 обеспечивает увеличение амплитуды звукового сигнала до желаемого уровня, позволяя слышать звук четко и громко.
- Импульсные источники питания: благодаря своей высокой мощности и эффективности, транзистор A1046 может использоваться в источниках питания для обеспечения стабильного напряжения или тока.
- Генераторы: A1046 может использоваться в схемах для генерации различных типов сигналов, таких как прямоугольные или синусоидальные.
- Устройства с коммутацией: транзистор A1046 может управлять различными устройствами и схемами, включая светодиоды, реле и т.д.
Сочетание высокой производительности и надежности делает транзистор A1046 предпочтительным выбором для различных электронных устройств и схем.
Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.
Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.
Граничная частота коэффициента передачи
тока — 3 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.
Максимальный ток коллектора. — 3А.
Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без
теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.
Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при
напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при
напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при
напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при
напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более
— 60 пФ.
Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в
— 115 пФ.
Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.
