Маркировка диодов
Маркировка выводных диодов:
Наиболее распространены следующие системы кодирования:
JEDEC(США)— Стандартизированная система EIA370 нумерации N-серии.
Вид кода: .
Первая цифра – цифра, отражающая количество переходов в элементе (1 для диодов).
Буква – всегда буква “N”.
Серийный номер – двух-, трех- или четырехзначное число, которое отражает порядковый номер регистрации полупроводникового прибора в EIA.
Суффикс – отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам. Суффикс может состоять из одной или нескольких букв.
Например: 1N34A/1N270 (германиевый диод), 1N914/1N4148 (кремниевый диод), 1N4001-1N4007 (кремниевый выпрямительный диод на 1A) и 1N54xx (мощный кремниевый выпрямительный диод на 3A).
PRO ELECTRON (Европа);
Обозначение состоит из четырех элементов.
Первый элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового материала, используемого в приборе:
- A – германий;
- B – кремний;
- C – арсенид галлия;
- R – другие полупроводниковые материалы.
Второй элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- A – маломощные импульсные и универсальные диоды;
- B – варикапы;
- E – туннельные диоды;
- G – приборы специального назначения (например, генераторные), а также сложные приборы, содержащие в одном корпусе несколько различных компонентов;
- H – магниточувствительные диоды;
- P – светочувствительные приборы (фотодиоды, фототранзисторы и т.п.);
- Q – светоизлучающие приборы (светодиоды, ИК-диоды и т.п.);
- X – умножительные диоды;
- Y – выпрямительные диоды, бустеры;
Третий элемент – буква, которая ставится только для приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения (промышленной, профессиональной, военной и т.п.). Обычно используются буквы “Z”, “Y”, “X” или “W”. В обозначениях приборов общего назначения этот элемент отсутствует.
Четвертый элемент – двух-, трех- или четырехзначный серийный номер прибора.
В обозначении могут присутствовать и некоторые дополнительные элементы. Например, такой же, как и в системе JEDEC суффикс, который отражает разбивку приборов одного типа на различные типономиналы по характерным параметрам.
Для некоторых типов приборов (таких как стабилитроны) может применяться дополнительная классификация. При этом к основному обозначению (может также быть через дефис или дробь) добавляется дополнительный код. Например, часто применяется дополнительный код, содержащий сведения о напряжении стабилизации и его возможном разбросе (“A” – 1%, “B” – 2%, “C” – 5%, “D” – 10%, “E” – 15%). Если напряжение стабилизации – не целое число, то вместо запятой ставится буква V. В дополнительном коде для выпрямительных диодов указывается максимальная амплитуда обратного напряжения.
Например, BZY88C4V7 – это кремниевый стабилитрон специального назначения с регистрационным номером 88, напряжением стабилизации 4.7 В с максимальным отклонением этого напряжения от номинального значения ±5%.
Таблица 1 — Цветовое кодирование диодов (PRO ELECTRON).
JIS (Япония, Азия);
Обозначение состоит из пяти элементов.
Первый элемент – цифра, отражающая количество переходов в элементе (0 – фотодиоды; 1 – диоды).
Второй элемент – буква “S”, обозначающая полупроводниковые приборы (Semiconductors).
Третий элемент – буква, обозначающая тип полупроводникового прибора:
- E – диоды;
- G – диоды Ганна;
- Q – светоизлучающие диоды;
- R – выпрямительные диоды;
- S – слаботочные диоды;
- T – лавинные диоды;
- V – варикапы, p-i-n-диоды, диоды с накоплением заряда;
- Z – стабилитроны, ограничители.
Четвертый элемент – это серийный (регистрационный) номер прибора.
Пятый элемент – модификация прибора (“A” – первая, “B” – вторая и т.д.).
После стандартной маркировки может следовать дополнительный индекс (“N”, “M”, “S”), отражающий некоторые специальные свойства прибора.
Маркировка SMD диодов:
SMD диоды маркируются обычно с помощью буквенно-числового кода. В зависимости от типа корпуса (т.е. его размера) и производителя, применяется та или иная система кодирования. Вполне очевидно, что рассмотреть все виды кодирования не представляется возможным. Поэтому далее будут рассмотрены некоторые коды для наиболее часто применяемых корпусов диодов. Более полную версию систем кодирования SMD диодов Вы можете посмотреть .
Для корпусов SOD80 (MiniMELF):
Пример: BZV87-1V4 – кремниевый стабилитрон на напряжение стабилизации 1.4 В.
Остальные номиналы стабилитронов кодируются подобным образом.
Цветовая маркировка:
Часто производитель кодирует лишь тип диода:
Модификации и группы транзисторов TIP42C
| Модель | PC, TC=25°C | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| TO-220AB | ||||||||||
| TO-220C | ||||||||||
| TIP42C | 25 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220IS |
| TIP42CG/L | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| 300 | 15…75 | TO-263 | ||||||||
| TIP42CG/L | 22 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220F |
| TIP42CG/L | 20 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-252 |
| STTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| HTIP42C | 65 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220 |
| TIP42E | 65 | 180 | 140 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
| TIP42F | 65 | 200 | 160 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-220C |
| TIP42P | 100 | 100 | 100 | 5 | 6 | 150 | 3 | 300 | 15…75 | TO-3P |
Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.
Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:
— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:
- TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
- TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
- TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.
— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:
- TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
- TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
- TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.
Пайка чип-компонентов
В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.
Печатные платы современного вида выглядят не так, как их предшественницы. Практически исчезли знакомые детали с ножками, вставленными в отверстия. Их заменили совсем крошечные компоненты, припаянные поверх платы к специально созданным контактным площадкам. Они именуются SMD (англ. Surface Mounted Device, или устройство, монтируемое на поверхность).
Такие детали намного удобнее — исключается целая и весьма точная операция сверления отверстий при изготовлении платы, достигается компактность. При этом, миниатюрный размер не позволяет нанести на них подробное и привычное наименование. Маркировка SMD диодов выполнена в виде кодовых обозначений, о которых надо поговорить подробнее.
Маркировка SMD-компонентов
Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.
Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Мощность рассеивания стабилитрона
Мощность рассеивания стабилитрона Pст характеризует его способность не перегреваться выше определенной температуры на протяжении длительного времени. Чем выше значение Pст, тем больше тепла способен рассеять полупроводниковый прибор. Мощность рассеивания рассчитывается для самых неблагоприятных условий работы прибора, поэтому в ниже приведенную формулу подставляют максимально возможное в работе Uвх и наименьшие значения Rб и Iн:
Существует ряд стандартных номиналом по данному параметру: 0,3 Вт, 0,5 Вт, 1,3 Вт, 5 Вт и т.п. Чем больше Pст, тем больше габариты полупроводникового прибора.
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Поверхностный монтаж — технология изготовления электронных изделий на печатных платах, которую также называют ТМП (технология монтажа на поверхность), SMT (англ. surface mount technology) и SMD-технология (от англ. surface mounted device — прибор, монтируемый на поверхность).
Электронные компоненты для поверхностного монтажа («чип-компоненты» или SMD-компоненты) выпускаются различных размеров и в разных типах корпусов. Таблица типоразмеров и SMD-корпусов поможет быстро получить необходимые данные.
Размеры и типы корпусов SMD-компонентов
Двухконтактные компоненты: прямоугольные, пассивные (резисторы и конденсаторы)
Обозначение типоразмера состоит из четырех цифр. Две первые соответствуют округленно длине L в принятой системе измерения (либо метрической, либо дюймовой), а две последние — ширине W.
| Типоразмер (дюймовая система) | Типоразмер (метрическая система) | Размер (мм) |
| 008004 | 0201 | 0.25×0.125 |
| 009005 | 03015 | 0.3×0.15 |
| 01005 | 0402 | 0.4×0.2 |
| 0201 | 0603 | 0.6×0.3 |
| 0402 | 1005 | 1.0×0.5 |
| 0603 | 1608 | 1.6×0.8 |
| 0805 | 2012 | 2.0×1.25 |
| 1008 | 2520 | 2.5×2.0 |
| 1206 | 3216 | 3.2×1.6 |
| 1210 | 3225 | 3.2×2.5 |
| 1806 | 4516 | 4.5×1.6 |
| 1812 | 4532 | 4.5×3.2 |
| 1825 | 4564 | 4.5×6.4 |
| 2010 | 5025 | 5.0×2.5 |
| 2512 | 6332 | 6.3×3.2 |
| 2725 | 6863 | 6.9×6.3 |
| 2920 | 7451 | 7.4×5.1 |
Двухконтактные компоненты: цилиндрические, пассивные (резисторы и диоды) в корпусе MELF
| корпус | размеры (мм) и другие параметры |
| Melf (MMB) 0207 | L = 5,8 мм, Ø = 2,2 мм, 1,0 Вт, 500 В |
| MiniMelf (MMA) 0204 | L = 3,6 мм, Ø = 1,4 мм, 0,25 Вт, 200 В |
| MicroMelf (MMU) 0102 | L = 2,2 мм, Ø = 1,1 мм, 0,2 Вт, 100 В |
Двухконтактные компоненты: танталовые конденсаторы
| тип | размеры (мм) |
| A (EIA 3216-18) | 3,2 × 1,6 × 1,6 |
| B (EIA 3528-21) | 3,5 × 2,8 × 1,9 |
| C (EIA 6032-28) | 6,0 × 3,2 × 2,2 |
| D (EIA 7343-31) | 7,3 × 4,3 × 2,4 |
| E (EIA 7343-43) | 7,3 × 4,3 × 4,1 |
Двухконтактные компоненты: диоды (англ. small outline diode, сокр. SOD)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOD-323 | 1,7 × 1,25 × 0,95 |
| SOD-123 | 2,68 × 1,17 × 1,60 |
Трёхконтактные компоненты: транзисторы с тремя короткими выводами (SOT)
| обозначение | размеры (мм) |
| SOT-23 | 3 × 1,75 × 1,3 |
| SOT-223 | 6,7 × 3,7 × 1,8 |
| DPAK (TO-252) | корпус (трёх- или пятиконтактные варианты), разработанный компанией Motorola для полупроводниковых устройств с большим выделением тепла |
| D2PAK (TO-263) | корпус (трёх-, пяти-, шести-, семи- или восьмивыводные варианты), аналогичный DPAK, но больший по размеру (как правило габариты корпуса соответствуют габаритам TO220) |
| D3PAK (TO-268) | корпус, аналогичный D2PAK, но ещё больший по размеру |
Многоконтактные компоненты: выводы в две линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| ИС — с выводами малой длины (англ. small-outline integrated circuit, сокращённо SOIC) | 1,27 |
| TSOP — (англ. thin small-outline package) тонкий SOIC (тоньше SOIC по высоте) | 0,5 |
| SSOP — усаженый SOIC | 0,65 |
| TSSOP — тонкий усаженый SOIC | 0,65 |
| QSOP — SOIC четвертного размера | 0,635 |
| VSOP — QSOP ещё меньшего размера | 0,4; 0,5 или 0,65 |
Многоконтактные компоненты: выводы в четыре линии по бокам
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| PLCC, CLCC — ИС в пластиковом или керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | 1,27 |
| QFP — (англ. quad flat package) — квадратные плоские корпусы ИС | разные размеры |
| LQFP — низкопрофильный QFP | 1,4 мм в высотуразные размеры |
| PQFP — пластиковый QFP (44 или более вывода) | разные размеры |
| CQFP — керамический QFP (сходный с PQFP) | разные размеры |
| TQFP — тоньше QFP | тоньше QFP |
| PQFN — силовой QFP | нет выводов, площадка для радиатора |
Многоконтактные компоненты: массив выводов
| обозначение | расстояние между выводами (мм) |
| BGA — (англ. ball grid array) — массив шариков с квадратным или прямоугольным расположением выводов | 1,27 |
| LFBGA — низкопрофильный FBGA, квадратный или прямоугольный, шарики припоя | 0,8 |
| CGA — корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | разные размеры |
| CCGA — керамический CGA | разные размеры |
| μBGA — (микро-BGA) — массив шариков | расстояние между шариками менее 1 мм |
| FCBGA — (англ. flip-chip ball grid array) массив шариков на подложкек подложке припаян кристалл с теплораспределителем | разные размеры |
| PBGA — массив шариков, кристалл внутри пластмассового корпуса | разные размеры |
| LLP — безвыводный корпус | — |
Похожие материалы:
Зависимость тока коллектора от выходного напряжения
На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.
Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.
Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.
Основные технические характеристики
Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:
- Тип проводимости транзистора NPN;
- Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
- Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
- Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
- Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
- Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
- Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandw >
Внимание! Параметры транзистора S8050 у разных производителей могут незначительно отличатся друг от друга
Аналоги и описание
Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.
- Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
- Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
- Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
- Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.
Применение
Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:
Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.
Принцип функционирования стабилизационных диодов
Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.
Стабилитрон и диод
Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г. Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.
Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.