13003 транзистор характеристики и его российские аналоги

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少

1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和

1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少

1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少

Мультивибратор на КТ315

Мультивибратор — это генератор широкой импульсной модуляции (или коротко ШИМ). Получается, что генератор будет выдавать сигнал либо постоянного плюса, либо постоянного минуса.

Принцип действий заключается в попеременном поступлении тока то к одному, то к другому светодиоду (их два). Частоту каждого из них можно менять (если резисторы будут разными, то и включение светодиодов тоже будет отличаться). Данная схема работает от напряжения 1,7 В до 16 В. Чтобы запустить схему понадобиться 3,2 В (этого будет достаточно, чтобы увидеть деятельность светодиодов).

Стоит отметить, что схема парная (2 конденсатора, 2 резистора, (2 RC-цепи), 2 светодиода), а вот значения транзисторов могут отличаться (от 220 Ом до 300 Ом), в таком случае схема все равно будет работать.

Надежная функциональность мультивибратора зависит от более высокого сопротивления одного из резисторов.

Отметим, что, чем больше сопротивление на переменном резисторе, тем больше будет мигать светодиод.

Хроника

Вам будет интересно:Как почистить барабан стиральной машины от грязи: рецепты, средства, полезные советы

История создания транзисторов начинается в 1947 году с компании Bell Laboratories, располагающейся в Нью-Джерси. В процессе участвовали трое блестящих американских физиков: Джон Бардин (1908–1991), Уолтер Браттэйн (1902–1987) и Уильям Шокли (1910–1989).

Команда, возглавляемая Шокли, пыталась разработать новый тип усилителя для телефонной системы США, но то, что они на самом деле изобрели, оказалось гораздо интереснее.

Бардин и Браттэйн соорудили первый транзистор во вторник 16 декабря 1947 года. Он известен как транзистор с точечным контактом. Шокли много работал над проектом, поэтому неудивительно, что он был взволнован и рассержен тем, что его отклонили. В скором времени он в одиночку сформировал теорию переходного транзистора. Это устройство по многим параметрам превосходит транзистор с точечным контактом.

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40, в зависимости от буквы У MJE13003A — от 8 до 12. У MJE13003B — от 12 до 18. У MJE13003C — от 18 до 27. У MJE13003D — от 27 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 400 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А — — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора: В корпусе TO-126 — 1.4 ватт, TO-220 — 50 ватт(с радиатором), TO-252 и TO-251 — 25 ватт(с радиатором), TO-92 и TO-92L — 1,1 ватт.

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Как проверить полевой транзистор мультиметром и специальным тестером

Автор С Косенко из Воронежа в журнале Радио №1 за 2005 год показал свою разработку прибора проверки полевых транзисторов. Его имя: ППТ-01. Он объяснил принципы его работы, сборки, наладки, эксплуатации доступным языком.

Новичкам это все должно быть интересно, советую читать такие журналы и больше экспериментировать. Вам нужен практический опыт.

Сейчас подобные приборы выпускаются промышленным способом. Они позволяют проверять транзисторы, тиристоры, симисторы и другие электронные компоненты, точно узнать каждый параметр.

Доступная цена и широкие возможности этих тестеров обеспечивают их популярность. Ведь вся проверка сводится к установке выводов полупроводника в контактные гнезда и нажатию кнопки: результат автоматически отображается на дисплее.

Однако все эти операции вполне можно выполнить обычным цифровым мультиметром или аналоговым стрелочным тестером. Для этого нам потребуется посмотреть заводскую маркировку и найти по ней технические характеристики, определиться с конструкцией (JFET или MOSFET) и проводимостью канала.

Затем нужно вспомнить устройство своего мультиметра или тестера, перевести его в режим прозвонки либо измерения сопротивлений (для аналоговых приборов).

На моем карманном MESTEK MT-102 плюс присутствует на красном щупе, а минус — на черном. У вас скорее всего аналогично, но проверьте. Знак дисплея 0L (или 1 на других моделях) означает величину сопротивления (∞), которая превышает предназначенный диапазон измерения.

Проверку выполняем двумя этапами, последовательно соблюдая очередь:

оцениваем исправность цепи сток-исток или, более точно, встроенного диода;
анализируем открытие и закрытие выходной цепи при подаче управляющего сигнала.

Режим проверки №1

Перед началом работы кратковременно зашунтируйте все выводы полевика. Этим действием убирается возможный потенциал на его электродах, который может помешать замеру.

Результаты измерений на табло показываю для исправного мосфета. У поврежденного переходы будут отличаться: пробиты или оборваны.

На картинке показываю два измерения для n-канального транзистора. Схему его собрата с p-каналом привел для образца в правом нижнем углу. Действия для него аналогичны, а результат зависит от проводимости.

При первом замере ставим красный щуп с потенциалом плюса на сток, а черный на исток. Если диод исправен, то показания на приборе будут порядка 400-600. Это величина падения напряжения в милливольтах. Таким способом мультиметр в режиме прозвонки оценивает состояние полупроводникового перехода p-n полярности.

Для второго замера меняем щупы местами. Диод закрыт, его огромное сопротивление показывается как 0L.

Очередность этих замеров можно произвольно изменять.

Проверка мосфета положительной проводимости проводится аналогично, а индикацию на табло вам подскажет направление встроенного диода на рисунке.

Режим проверки №2

Оставляем черный щуп на истоке, а красный переставляем на затвор. Этим действием мы подаем ему положительный потенциал с мультиметра. На табло будет отображаться 0L, но транзистор должен открыться.

Проверяем открытие перестановкой красного щупа на сток. Изменение показаний на табло (единицы или десятки) станет достоверной информацией об его открытии. В этом можно убедиться, поменяв щупы между стоком и истоком. Показания останутся примерно в тех же пределах.

Теперь потребуется закрыть мосфет. Смотрим на замер №3: красный щуп ставим на исток, черный — затвор. Показание 0L.

Логика проверки p-канального типа полевика аналогична. Только надо помнить, что он открывается подачей отрицательного напряжения на затвор относительно истока, то есть «прижимается к земле».

Убедившись в исправности встроенного диода, открытии и закрытии силового перехода сток-исток, можно сделать вывод об исправности МДП транзистора.

Однако описанный метод не во всех случаях может обеспечить достоверные результаты. И дело здесь кроется в конструкции вашего мультиметра. Его выходного напряжения может просто не хватить для подачи отпирающего или запирающего потенциала на затвор.

Поэтому более достоверную проверку выполняют двумя мультиметрами:

одним контролируют состояние перехода сток-исток;
вторым управляют потенциалом на затворе.

Естественно, что заменить один из мультиметров можно самодельным источником напряжения, например, двумя батарейками АА (3 вольта) или омметром с предварительно оцененными характеристиками.

Принцип таких измерений показывает в своем видеоролике Дмитрий Гильмутдинов. Рекомендую посмотреть.

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

принцип действия – биполярный;
корпус ТО-92 или SOT-23;
материал корпуса – пластик;
материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

проводимость – n-p-n (обратная);
I_{K макс.} (I_{c max}) не более 200 мА (mA);
U_{КЭ макс.} (V_CE_max) не более 400 В (V);
U_{КБ макс.}(V_CB_max) не более 500 В (V);
U_{ЭБ макс.}(V_{ЕВ max}) не более 9 В (V);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) не более 0.5 В (V), при I_K(I_c)=50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) не более 1.2 В (V), при I_K(I_c)=50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
f_гр(f_t) от 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =}20 В (V), I_K= 20 мА (mA);
U_{КБ макс.}(V_CB_max ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0;
I_КЭО(I_C_E_O) не более 200 мкА (µA), при U _{КЭ макс.}(V_C_E_max ) =400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
I_ЭБО(I_EBO) не более 100 мкА (µA), при U _{EБ макc.}(V_EB_max ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
P_K_макс. (P_C) 0,75 Вт (W);
T_раб.(T_j) не более + 150 °C;
T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
H_feпри U_КЭ = 20 В (V) и I_K = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при U_КЭ = 10 В (V) и I_K = 0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

проводимость – n-p-n;
I_K(I_{c max}) 200 мА (mA);
U_КЭО (V_CE_O) ≤ 500 В (V);
U_КБО(V_CB_O) ≤ 800 В (V);
U_ЭБО(V_ЕВ_O) ≤ 9 В (V);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) ≤ 0.5 В (V), при I_K(I_c) = 50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
U_{КЭ нас.} (V_CE_sat) ≤1.2 В (V), при I_K(I_c) = 50 мА (mA) и I_Б(I_c)= 10 мА (mA);
f_гр(f_t) 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =}20 В (V), I_K= 20 мА (mA);
I_КБО(I_CBO) ≤1 мкА (µA) при U _КБ(V_CBО) = 600 В (V);
I_КЭО(I_C_E_O) ≤10 мкА (µA), при U _КЭ(V_C_E_О) = 400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
I_ЭБО(I_EBO) ≤1 мкА (µA), при U _EБ(V_EBО) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
P_K (P_C) = 0,5 Вт (W);
T_раб.(T_j) ≤ + 150 °C.;
T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K = 20 мА (mA) 8 H_fe, при U_КЭ= 5 В (V) и I_K = 1 мА (mA) от 10 до 30 H_fe.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока — 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Маркировка

Проверка стабилизатора

Сразу возникает уместный вопрос о том, как проверить tl431 мультиметром. Как показывает практика, одним мультиметром проверить не получится. Для проверки tl431 мультиметром следует собрать схему. Для этого понадобятся: три резистора (один из них подстроечный), светодиод или лампочка, источник постоянного тока 5В.

Резистор R3 необходимо подобрать таким образом, чтобы он ограничил ток до 20мА в цепи питания. Его номинал составляет примерно 100Ом. Резисторы R2 и R3 выполняют роль балансира. Как только напряжение будет 2,5 В на управляющем электроде, то переход светодиода откроется, и напряжение пойдет через него. Эта схема хороша тем, что светодиод выполняет роль индикатора.

Источник постоянного тока — 5В является фиксированным, а управлять микросхемой tl431 можно с помощью переменного резистора R2. Когда питание на микросхему не подается, то диод не горит. После того как сопротивление изменяется при помощи подстроечного резистора, светодиод загорается. После этого мультиметр нужно включить в режим измерения постоянного тока и замерить напряжение на управляющем выводе, которое должно составлять 2,5. Если напряжение присутствует и светодиод горит, то элемент можно считать рабочим.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов. Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими

Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE)

Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много

Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111

Биполярный транзистор FJP13009H2TU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FJP13009H2TU

Маркировка: J130092

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

FJP13009H2TU
Datasheet (PDF)

..1. Size:283K onsemi fjp13009tu fjp13009h2tu.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

6.1. Size:181K fairchild semi fjp13009.pdf

March 2007FJP13009High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

6.2. Size:232K inchange semiconductor fjp13009.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor FJP13009DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage: V = 400V(Min.)CEO(SUS)Collector Saturation Voltage: V = 1.5 (Max) @ I = 8.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed, power swit-ching in inductive circuit, they are p

7.1. Size:540K fairchild semi fjp13007.pdf

July 2008FJP13007High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage High Speed Power Switch Application High Voltage Capability High Switching Speed Suitable for Electronic Ballast and Switching Mode Power SupplyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base

7.2. Size:246K onsemi fjp13007tu fjp13007h1tu fjp13007h1tu-f080 fjp13007h2tu fjp13007h2tu-f080.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

Другие транзисторы… DMMT3904
, DMR935E1
, DMS935E1
, DMS935E2
, DTA114WCA
, EMF23
, EMF24
, EMF5
, 2N2222
, FJP1943
, FJP2145
, FJP2160D
, FJP5200
, FJPF2145
, FJX992
, FML10
, FML9
.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

Как выбрать

Прежде чем отправиться за покупкой мягкой мебели, определитесь со своими потребностями. Если вы планируете покупку дивана для гостей, остановитесь на бюджетной, но современной модели

Важно, чтобы обивка служила долго и не истиралась

Если же планируется покупка мебели для ежедневного сна, основное внимание нужно уделить прочности каркаса и качеству наполнителя. Они обеспечивают правильное положение человека во время сна, сохраняют здоровье позвоночника и обеспечивают качественный сон

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию

В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию. В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

Важно, чтобы диван поместился на место установки. Затем посмотрите на подходящие модели

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло

Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло. Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Аккордеон;
Клик-кляк;
Еврокнижку.

На видео: диван аккордеон от андерссен.

Маркировка

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

Мультивибратор на КТ315

Хроника

H13005D Datasheet (PDF)

Наиболее важные параметры.

Как проверить полевой транзистор мультиметром и специальным тестером

Параметры

Наиболее важные параметры.

Маркировка

Проверка стабилизатора

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

Транзисторы MJE13001 и 13001

Характеристики

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Электрические параметры

Классификация HFE

Аналоги

Биполярный транзистор FJP13009H2TU — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

FJP13009H2TU Datasheet (PDF)

Где и как мы можем использовать ?

Как выбрать

Похожие записи:

Похожие записи:

Классификация H_FE

FJP13009H2TU
Datasheet (PDF)