Транзистор КТ829 — DataSheet
|
Цоколевка транзистора КТ829 |
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М) |
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение |
Ед. изм. |
| Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2 | |||
| КТ829Б |
BD267A, BD263, TIP121,
BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 |
||||
| КТ829В |
BD331, TIP120, BD897A,
BD897, BDW23A, ТIР120 *2 |
||||
| КТ829Г |
BD665, BD675, BD895A,
BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 |
||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
| КТ829Б | — | 60* | |||
| КТ829В | — | 60* |
КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50
КТ829АП
—
50
КТ829АМ
—
60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ829А
—
≥4
МГц
КТ829Б
—
≥4
КТ829В
—
≥4
КТ829Г
—
≥4
КТ829АТ
—
≥4
КТ829АП
—
≥4
КТ829АМ
—
≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ829А
1к
100*
В
КТ829Б
1к
80*
КТ829В
1к
60*
КТ829Г
1к
45*
КТ829АТ
—
100
КТ829АП
—
160
КТ829АМ
—
240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ829А
—5
В
КТ829Б
—5
КТ829В
—5
КТ829Г
—5
КТ829АТ
—5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ829А
—
8(12*)
А
КТ829Б
—
8(12*)
КТ829В
—
8(12*)
КТ829Г
—
8(12*)
КТ829АТ
—
5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*
КТ829В
60 В
≤1.5*
КТ829Г
60 В
≤1.5*
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*
КТ829В
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*
КТ829АТ
—
≥1000
КТ829АП
—
≥700
КТ829АМ
—
400…3000
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ829А
—
≤120
пФ
КТ829Б
—
≤120
КТ829В
—
≤120
КТ829Г
—
≤120
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ
КТ829Б
—
≤0.57
КТ829В
—
≤0.57
КТ829Г
—
≤0.57
КТ829АТ
—
≤0.3
КТ829АП
—
≤0.25
КТ829АМ
—
≤0.66
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ829Б
—
—
КТ829В
—
—
КТ829Г
—
—
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ829А
——
пс
КТ829Б
——
КТ829В
——
КТ829Г
——
КТ829АТ
——
КТ829АП
——
КТ829АМ
——
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
|
Входные характеристики |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
|
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер |
|
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса |
Область максимальных режимов |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Полевые SMD транзисторы
| Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
| 6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
| 6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
| 6C | MMBFU310 | H16 | SST4416 |
| 6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
| 6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
| 6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
| 6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
| 6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
| 6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
| 6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
| 6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
| 6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
| 6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
| 6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
| B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
| B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
| B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
| C11 | SST111 | S71 | SST271 |
| C12 | SST112 | S74 | SST174 |
| C13 | SST113 | S75 | SST175 |
| C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
| C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
| C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
| C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
| C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
| C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
| C91 | SST4391 |
А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Преимущества и недостатки
Каждая радиодеталь имеет назначение и выполняет определенные задачи в узлах
Важно то, как элемент будет использоваться в схеме, и на какой базе деталей она будет собрана. Симистор имеет ряд достоинств, которые выделяют его относительно тиристора. Преимущества:
Преимущества:
- Отсутствие физических контактов, что делает включение питания плавным.
- Надежность.
- В узлах постоянного напряжения требует только кратковременного питания управляющего контакта.
- Низкая стоимость.
- Простота в использовании.
Среди недостатков следует выделить сильное нагревание детали. Поэтому при использовании симисторов требуется установка радиатора для отвода тепла.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | UCE(sat) | Корпус | Группы по величине hFE. Маркировка. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126/C, TO251/252, TO92/NL | Гр. R/Q/P/E |
| 2SD882R/O/Y/GR | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 4/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| BTD882D3 | 1/10 | 50 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | TO126ML | Гр. R/S/T |
| BTD882ST3 | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| BTD882T3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. P/E |
| CSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| D882P | 1,25/15 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO126D | — |
| FTD882 | 1,25/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/GR |
| HSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | TO126ML | Гр. Q/P/E |
| KSD882 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/O/Y/G |
| KTD882 | 1,5/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. O/Y/GR |
| ST2SD882HT | 1/10 | 60 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882T | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO126 | Гр. R/Q/P/E |
| ST2SD882U-P | 1,25/36 | 120 | 100 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 3 | — | 15…260 | ≤ 0,8 | TO126 | — |
| TSD882CK | 1/10 | 60 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 270 | 16 | 150…390 | ≤ 0,5 | TO126 | — |
| 2SD882I (BR3DA882L) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882I3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO251 | Гр. P/E |
| D882PC | 1,1/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 10…400 | ≤ 0,8 | TO251 | — |
| 2SD882D (BR3DA882D) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/Q/P/E |
| BTD882J3 | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. P/E |
| D882M | 1,25/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252-2L | Гр. R/O/Y/GR |
| FTD882D | -/10 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 90 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| STD882D | -/15 | 40 | 15 | 7 | 5/10 | 150 | 150 | ≤ 50 | 100…320 | ≤ 0,4 | TO252 | — |
| WTD882 | 1,25/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | TO252 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882B (B3DA882BR) | 2/25 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO220 | Гр. R/Q/P/E |
| 2SD882L | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | TO92L | Гр.Q/P/E |
| BTD882SA3 | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 13 | 150…560 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HD882S | 0,75/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 80 | 55 | 100…490 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.P/E |
| HSD882 | 0,75/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 300…500 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр.Q/P/E |
| D882S | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/7 | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTS882 | 0,625/- | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | TO92 | Гр. R/O/Y/GR |
| 2SD882A | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE. |
| 2SD882GP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| 2SD882S | 0,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89, SOT223 | Гр. Q/P/E |
| 2SD882T (BR3DA882T)0,5 | 0,5 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E. |
| BD882R/O/Y/GR | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| BTD882AM3 | 0,6 | 80 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…820 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/S/T Марк. CF |
| D882H | 0,5 | 70 | 70 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 60…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H |
| DXTD882 | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E |
| FTD882F | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR |
| GSTM882 | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | 50 | — | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/O/Y/GR Марк. D882 |
| KXC1502 | 0,5 | 40 | 20 | 5 | 1,5/- | 150 | ≥100 | ≤ 20 | 40…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 |
| L2SD882Q/P | 0,5 | 40 | 30 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…320 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P |
| ST23D882U | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT89 | Гр. R/Q/P/E |
| TSD882S | 0,75/- | 60 | 50 | 5 | 3/7 | 150 | 90 | 45 | 100…500 | ≤ 0,5 | SOT89, TO92 | — |
| ZX5T150 | 0,5/- | 70 | 60 | 6 | 3/- | 150 | ≥ 50 | — | 30…300 | ≤ 0,5 | SOT89 | Марк. D882 |
| 2SD882N (BR3DA882N) | 1/10 | 40 | 30 | 5 | 3/- | 150 | 90 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN |
| 2SD882ZGP | 1,5/- | 40 | 30 | 5 | 3/3 | 150 | 100 | 55 | 30…500 | ≤ 0,5 | SOT223 | Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82. |
| D882SS | 0,35/10 | 40 | 30 | 5 | 3/7 | 150 | 80 | 45 | 30…400 | ≤ 0,5 | SOT23 | Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G |
Производители
DataSheet от микросхемы TDA2030A можно посмотреть от ее выпускающих компании: STMicroelectronics, Unisonic Technologies, Contek Microelectronics Co. В нашей стране они широко распространены от STM. Кроме самих микросхем, на прилавках российских магазинов радиотоваров можно встретить готовые модули, с одноименным названием и необходимой обвязкой.
Want create site? Find Free WordPress Themes and plugins.
Основные характеристики
- Широкий диапазон напряжения питания до 36 В
- Защита от короткого замыкания
- Тепловая защита
| Параметр | Знач. | Ед.изм. | |
| Uпит. | Напряжение питания | ±18(36) | В |
| Iп. | Ток покоя | 40 | мА |
| Iвых. | Ток выхода | 3,5*10³ | мА |
| Rвх. | Входное сопротивление | 5*10³ | кОм |
| Rн. | Сопротивление нагрузки | 0,004 | кОм |
| Pвых. | Мощность выхода | 14 | Вт |
| Ω | Полоса частот | 0,02-20 | кГц |
| Корпус | FLEXIWATT-25 |
МикросхемаTDA2030 по своей сути представляет мощный операционный усилитель и принципиальная схема у нее такая же. В данном варианте реализована схема не инвертирующего включения. Для простоты сборки усилитель собран по схеме с одно полярным питанием и обеспечивает на нагрузку 4 Ома до 15 Вт.
Принцип работы
Чтобы открыть симистор, необходимо подать на его силовые выводы номинальное напряжение, а на управляющий электрод кратковременный импульсный ток удержания. Рабочие параметры радиоэлемента должны соответствовать маркировке на корпусе.
В цепях переменного напряжения к аноду подключается питание, к катоду — нагрузка. Ток удержания на управляющем электроде зависит от чувствительности радиодетали. Например, если пропускание симистора 5 Ампер, то обычный элемент откроется, когда на него придет управляющий сигнал величиной 100 мА (2% от питания). Более чувствительный симистор может работать при токе удержания 5 мА (0.1% от питания). Также важную роль играет способ управления. Он бывает 2 типов:
- Фазоимпульсным — на управление подается определенная величина тока.
- Амплитудно-импульсным — кратковременные токовые импульсы управления.
При использовании второго способа в схему нужно включать генератор импульсов или его простейшие аналоги.
В цепях постоянного напряжения к аноду подключается плюсовой вывод питания, к катоду – минусовый вывод нагрузки. Если в открытом состоянии управляющий электрод отключить от положительного потенциала постоянного напряжения, он продолжит работать. В цепях с переменным напряжением симистор отключится за счет частоты смены периодов.
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.
Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе
Как сразу найти коллектор.
Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.
Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.
Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.
Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.
Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.
Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.
Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.
Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.
Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?
Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.
Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.
Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.
Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.
Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.
Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.
Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.
Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.
Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.
Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.
Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.
А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.
Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.
Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.
В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.
Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.
Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.
Все про терморезисторы, назначение, виды, устройство, принцип действия
BD911 Datasheet (PDF)
..1. bd909 bd910 bd911 bd912.pdf Size:1149K _st
BD909/911BD910/912COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-BaseNPN power transistors mounted in Jedec TO-220plastic package. They are intented for use inpower linear and switching applications.The complementary PNP types are BD910 and32BD912 respectively.1TO-220INTERNAL
..2. bd905 bd906 bd907 bd908 bd909 bd910 bd911 bd912.pdf Size:122K _cdil
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PLASTIC POWER TRANSISTORS BD 905, 907, 909, 911 NPN BD906, 908, 910, 912 PNP TO-220 Plastic PackagePower Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise )DESCRIPTION SYMBOL 905 907 909 911 UNIT906 908 910 912Collector -Emitter Voltage VCEO
..3. bd911.pdf Size:210K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BD911DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD912Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM
..4. bd909 bd911.pdf Size:166K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD909 BD911 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD910 BD912 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CO
0.1. stbd909 stbd911.pdf Size:570K _semtech
ST BD909 / ST BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD909 ST BD911 Collector Base Voltage VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 15 ABase Currentt IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 90 W
Биполярный транзистор BD912 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD912
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора:
BD912
Datasheet (PDF)
..1. Size:1149K st bd909 bd910 bd911 bd912.pdf
BD909/911BD910/912COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-BaseNPN power transistors mounted in Jedec TO-220plastic package. They are intented for use inpower linear and switching applications.The complementary PNP types are BD910 and32BD912 respectively.1TO-220INTERNAL
..2. Size:1147K st bd909 bd911 bd910 bd912.pdf
BD909/911BD910/912COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The BD909 and BD911 are silicon Epitaxial-BaseNPN power transistors mounted in Jedec TO-220plastic package. They are intented for use inpower linear and switching applications.The complementary PNP types are BD910 and32BD912 respectively.1TO-220INTERNAL
..3. Size:122K cdil bd905 bd906 bd907 bd908 bd909 bd910 bd911 bd912.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PLASTIC POWER TRANSISTORS BD 905, 907, 909, 911 NPN BD906, 908, 910, 912 PNP TO-220 Plastic PackagePower Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise )DESCRIPTION SYMBOL 905 907 909 911 UNIT906 908 910 912Collector -Emitter Voltage VCEO
..4. Size:93K jmnic bd910 bd912.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD910 BD912 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD909 BD911 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CO
..5. Size:212K inchange semiconductor bd912.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD912DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type BD911Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIM
..6. Size:172K inchange semiconductor bd910 bd912.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD910 BD912 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD909 BD911 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CO
0.1. Size:569K semtech stbd910 stbd912.pdf
ST BD910 / ST BD912 PNP Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD910 ST BD912 Collector Base Voltage -VCBO 80 100 VCollector Emitter Voltage -VCEO 80 100 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 15 ABase Currentt -IB 5 AOTotal Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 9
0.2. Size:202K inchange semiconductor bd912i.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD912IDESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY
Другие транзисторы… BD902
, BD905
, BD906
, BD907
, BD908
, BD909
, BD910
, BD911
, MD1803DFX
, BD933
, BD933F
, BD934
, BD934F
, BD935
, BD935F
, BD936
, BD936F
.