Важность параметров и цоколевки транзистора C945
Один из основных параметров транзистора C945 — это его максимальное рабочее напряжение (VCEO). Этот параметр указывает на максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать без возможности повреждения
Важно учитывать этот параметр при выборе транзистора для конкретной схемы, чтобы избежать его перегрузки и выхода из строя
Также важным параметром транзистора C945 является его ток коллектора (IC). Этот параметр указывает на максимальный ток, который транзистор может пропустить через свои коллектор и эмиттер. Неправильная выборка или превышение этого параметра может привести к перегреву и повреждению транзистора.
Цоколевка транзистора C945 также имеет большое значение, поскольку определяет правильное подключение транзистора в схему. В случае неправильной цоколевки транзистор может работать некорректно или даже выйти из строя. Поэтому необходимо внимательно изучить даташит транзистора и правильно подключить его к схеме.
Важно отметить, что параметры и цоколевка транзистора C945 могут различаться в зависимости от производителя. Поэтому всегда рекомендуется использовать официальный даташит для получения точной информации о параметрах и цоколевке конкретной модели транзистора
В итоге, правильный выбор и учет параметров и цоколевки транзистора C945 является критически важным для обеспечения нормальной работы и долговечности электронных устройств. Неверный выбор или игнорирование этих характеристик может привести к некорректной работе схемы, повреждению транзистора и изделия в целом.
BC547BA3 Datasheet (PDF)
0.1. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek
Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector
8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st
BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP
8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi
Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-
8.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec
BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCE max) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCB max) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCE sat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 450 МГц (MHz), при U КЭ = 6 В (V), IK = 10 мА (mA);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.01 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.01 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при UКЭ макс = 6 В (V) и IK макс = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 Hfe.
Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора h945 (Н945)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора h945 (Н945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 250 | 60 | 50 | 5 | 150 | 150 | 250000000 | 3 | 90/600 |
Производитель: HUASHAN Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
BC547B Datasheet (PDF)
0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st
BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP
0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi
Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-
0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek
Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector
0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec
BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.
BC547BP Datasheet (PDF)
8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st
BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP
8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi
Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-
8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek
Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector
8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec
BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Характеристики транзистора КТ3102
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), мВт | h21э | fгр., МГц |
| КТ3102А | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102АМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 100-200 | >150 |
| КТ3102Б | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102БМ | 50 | 50 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102В | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ВМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Г | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ГМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Д | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102ДМ | 30 | 30 | 100(200) | 250 | 200-500 | >150 |
| КТ3102Е | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102ЕМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 400-1000 | >150 |
| КТ3102Ж | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
| КТ3102ЖМ | 20 | 20 | 100(200) | 250 | 100-250 | >150 |
Uкбо(и)
— Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Импортные и отечественные аналоги
Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.
Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).
В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.
| Тип | VCEO, В | IC, мA | PC, мВт | hFE | fT, МГц | Цоколевка (слева направо) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC547 | 50 | 100 | 500 | 110-800 | 300 | кбэ |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100-1000 | от 150 | + (кбэ) |
| Импорт | ||||||
| BC171 | 45 | 100 | 350 | 120-800 | 150 | + (кбэ) |
| BC182 | 50 | 100 | 350 | 120-500 | 100 | + (кбэ) |
| BC237 | 45 | 100 | 500 | 120-460 | 100 | + (кбэ) |
| BC414 | 45 | 100 | 300 | 120-800 | 200 | + (кбэ) |
| BC447 | 80 | 300 | 625 | 50-460 | от 100 | + (кбэ) |
| BC550 | 45 | 200 | 500 | 110-800 | 300 | + (кбэ) |
| 2SC2474 | 30 | 100 | 310 | 20 | 2000 | + (кбэ) |
| 2SC828A | 45 | 100 | 400 | 130-520 | 220 | — (экб) |
| 2SC945 | 50 | 100 | 250 | 150-450 | от 150 | — (экб) |
Примечания:
- У КТ3102 значения VCEO и hFE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
- В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
- Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.