Bux85 pdf ( даташит ) - silicon diffused power transistors

Биполярный транзистор BUX85 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BUX85

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

Корпус транзистора: TOP66

BUX85
Datasheet (PDF)

..1. Size:209K inchange semiconductor bux85.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX85DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage,high-speed,power switchingregulators,converters,inverters,motor control system.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25

..2. Size:119K inchange semiconductor bux84 bux85.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUX84 BUX85 DESCRIPTION With TO-220C package High switching speed APPLICATIONS Suitable for switching power supplies in TV sets PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

0.1. Size:115K motorola bux85rev.pdf

Order this documentMOTOROLAby BUX85/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUX85SWITCHMODE2 AMPERESNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORNPN SILICONThe BUX85 is designed for high vol

0.2. Size:209K onsemi bux85g.pdf

BUX85GSwitchmode NPN SiliconPower TransistorsThe BUX85G is designed for high voltage, high speed powerswitching applications like converters, inverters, switching regulators,motor control systems.www.onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*2.0 AMPERESPOWER TRANSISTORNPN SILICONMAXIMUM RATINGS450 VOLTS, 50 WATTSRating Symbol Value Uni

0.3. Size:119K inchange semiconductor bux84f bux85f.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUX84F BUX85F DESCRIPTION With TO-220Fa package High voltage ,high speed APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor controls systems PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol3 EmitterAbsolut maximum ratings (Ta=2

0.4. Size:210K inchange semiconductor bux85f.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUX85FDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 450V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage,high-speed,power switchingregulators,converters,inverters,motor control system.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25

Другие транзисторы… BUX82-5
, BUX82-6
, BUX82-7
, BUX83
, BUX83-9
, BUX84
, BUX84-6
, BUX84F
, A970
, BUX85F
, BUX86
, BUX86-4
, BUX86-5
, BUX86-6
, BUX86-7
, BUX86P
, BUX87
.

Search Stock


onsemi BUX85G
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (5)	BUX85G		4,478	14 Weeks	1	1 $0.7076 10 $0.6365 100 $0.483 1000 $0.3298 10000 $0.298	Buy Now
	BUX85G		490		1	1 $0.4146 10 $0.3951 100 $0.3417 1000 $0.2706 10000 $0.253	Buy Now
	BUX85G		164	14 Weeks	1	1 $0.3995 10 $0.3876 100 $0.3529 1000 $0.3221 10000 $0.3221	Buy Now
	BUX85G		59	14 Weeks	1	1 $0.8859 10 $0.7709 100 $0.5388 1000 $0.3397 10000 $0.3023	Buy Now
	BUX85G				50	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Verical (4)	BUX85G		4,464		18	1 — 10 — 100 $0.4439 1000 $0.3031 10000 $0.2739	Buy Now
	BUX85G		490		28	1 — 10 — 100 $0.3417 1000 $0.2706 10000 $0.253	Buy Now
	BUX85G		164		19	1 — 10 — 100 $0.3529 1000 $0.3221 10000 $0.3221	Buy Now
	BUX85G		59		21	1 — 10 — 100 $0.5388 1000 $0.3397 10000 $0.3023	Buy Now
Avnet EBV	BUX85G			2 Weeks, 2 Days	50	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	BUX85G		2,200	2 Weeks, 1 Days	50	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	BUX85G	Tube		14 Weeks	2,100	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.336	Buy Now
More Distributors
Quest Components	BUX85G		16			1 $2 10 $1.6 100 $1.2 1000 $1.2 10000 $1.2	Buy Now
New Advantage Corporation	BUX85G		1,750		1	1 — 10 — 100 — 1000 $0.4726 10000 $0.4398	Buy Now
Others BUX85
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Quest Components	BUX85		63			1 $0.669 10 $0.5575 100 $0.446 1000 $0.446 10000 $0.446	Buy Now
onsemi BUX85
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Quest Components	BUX85		23			1 $0.669 10 $0.5575 100 $0.5575 1000 $0.5575 10000 $0.5575	Buy Now
SGS Semiconductor Ltd BUX85
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Bristol Electronics	BUX85		205			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
NXP Semiconductors BUX85
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
ComSIT Europe	BUX85		750			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote

bux85 datasheet (58)

Part	Manufacturer	Description	Type	PDF
BUX85	Bourns	NPN SILICON POWER TRANSISTOR	Original	PDF
BUX85	Motorola	2 AMPERES POWER TRANSISTOR NPN SILICON 450 VOLTS 50 WATTS	Original	PDF
BUX85	NXP Semiconductors	Understanding PFC — Lighting applications; Bipolar power diodes and transistors for electronic ballast	Original	PDF
BUX85	ON Semiconductor	Transistors (BJT) — Single, Discrete Semiconductor Products, TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB	Original	PDF
BUX85	On Semiconductor	SWITCHMODE NPN Silicon Power Transistors	Original	PDF
BUX85	Philips Semiconductors	Silicon diffused power transistors	Original	PDF
BUX85	Power Innovations	NPN switching transistor	Original	PDF
BUX85	Boca Semiconductor	SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS	Scan	PDF
BUX85	Mospec	Switchmode Series NPN Power Transistor	Scan	PDF
BUX85	Mospec	POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W)	Scan	PDF
BUX85	Motorola	Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book	Scan	PDF
BUX85	Motorola	Switchmode Datasheet	Scan	PDF
BUX85	Motorola	European Master Selection Guide 1986	Scan	PDF
BUX85	Mullard	Quick Reference Guide 1977/78	Scan	PDF

BUX85	Unknown	Historical semiconductor price guide (US$ — 1998). From our catalog scanning project.	Scan	PDF
BUX85	Unknown	Basic Transistor and Cross Reference Specification	Scan	PDF
BUX85	Unknown	Shortform Transistor PDF Datasheet	Scan	PDF
BUX85	Unknown	Shortform Transistor PDF Datasheet	Scan	PDF
BUX85	Unknown	Cross Reference Datasheet	Scan	PDF
BUX85	Unknown	Transistor Replacements	Scan	PDF

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

(MJE)13002;
(MJE)13003;
(MJE)13005;
(MJE)13007;
(MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.

Область применения транзисторов 13001

Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.

сетевые адаптеры мобильных устройств;
электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
электронные трансформаторы;
другие импульсные устройства.

Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.

Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.

На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.

Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем

При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:

этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.

Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки

Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.

Транзистор — устройство, виды, применение

Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора

Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют

Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142

Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007

Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность

BUX85 Datasheet (PDF)

..1. Size:209K inchange semiconductor bux85.pdf

..2. Size:119K inchange semiconductor bux84 bux85.pdf

0.1. Size:115K motorola bux85rev.pdf

Order this documentMOTOROLAby BUX85/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUX85SWITCHMODE2 AMPERESNPN Silicon Power TransistorsPOWER TRANSISTORNPN SILICONThe BUX85 is designed for high vol

0.2. Size:209K onsemi bux85g.pdf

0.3. Size:119K inchange semiconductor bux84f bux85f.pdf

0.4. Size:210K inchange semiconductor bux85f.pdf

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

..1. Size:215K toshiba 2sa1012.pdf

..2. Size:343K utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

..3. Size:116K mospec 2sa1012.pdf

AAA

..4. Size:1282K jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

..5. Size:119K jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

..6. Size:318K lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

..7. Size:226K lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

..8. Size:242K inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

0.1. Size:742K jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

0.2. Size:583K semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

0.3. Size:196K inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.