Транзистор кт834а: технические характеристики

Аналоги

Чаще всего аналог КТ819Г ищут из-за выхода их из строя, в выходных каскадах старых советских усилителей, в которых он работает вместе с КТ818Г. Иногда такое происходит сразу в нескольких каналах. Обычно безуспешно перебрав большое количество таких транзисторов в поисках равного по коэффициенту усиления H_21Э, останавливаются на импортных устройствах (в скобках комплементарные пары): MJ15023(MJ15022), 2SC5200 (2SA1943), TIP41(TIP42). В остальных случаях замену, в зависимости от схемы и решаемых задач, можно подобрать из любых похожих по характеристикам. Например, из зарубежных: TIP41C, 2N3055, 2N6292, BD711, MJ3001, BD243. Из отечественных: КТ834, КТ841, КТ847, КТ729А.

Схемы включения

На КТ837 можно построить несложный усилитель звуковой частоты со следующими параметрами:

Мощность – 30 Вт / 4 Ом (15 Вт / 8 Ом);
К-т гармоник – 0,01%;
Входное сопротивление – 47 кОм;
Выходное сопротивление – 0,03 Ом;
Уровень шума – -86 дБ.

В этом усилителе используются керамические конденсаторы, рассчитанные на напряжение 50 В. Существует два варианта крепления платы.

Во-первых, на теплоотводе транзисторов VT5 и VT6, используя для этого стойки высотой от 15 до 20 мм.

Во-вторых, рядом с теплоотводом оконечного каскада. В этом случае для соединения используется разъем МРН-22, который будет обеспечивать контакт в точках, обозначенных на схеме цифрами от 1 до 5. Для предотвращения перегорания транзистора, при потере контакта в вилке, требуется увеличить сопротивление резисторов R12 и R13 до 43-47 Ом, а по другую сторону розетки установить R121 и R131 (на схеме нарисованы штриховыми линиями) того же номинала (43-47 Ом). Длина проводов, соединяющих плату и транзисторы не должна быть больше 10 см.

Вместо указанного операционного усилителя можно установить К140УД6Б, К140УД7А, К544УД1А, но к-т гармоник при этом возрастёт до 0,3%.

Транзисторы VT3 и VT4 устанавливают на теплоотводе, сделанном из алюминиевой пластины размером 70х35х3 мм.

Закрепить VT5 и VT6 можно двумя способами.

Первый способ – на общем для каждого канала усилителя теплоотводе. Транзистор VT5 крепится там же где и VT3, а VT6 вместе с VT4. В этом случае теплоотвод нужно изолировать от корпуса УНЧ. В этом случае можно использовать транзисторы в пластмассовом корпусе.

Второй способ – на теплоотводе общем для обеих транзисторов оконечного каскада. В этом случае нужно изолировать транзистор с помощью слюдяных прокладок и использовать термопасту для улучшения теплоотдачи. В этом случае рекомендуется устанавливать устройства в металлическом корпусе.

Преимущества транзистора КТ834А

1. Высокая надежность и долговечность. Транзистор КТ834А обладает высокой степенью надежности и долговечности, что делает его идеальным выбором для использования в различных устройствах и схемах.

2. Широкий диапазон рабочих условий. Транзистор КТ834А способен работать при широком диапазоне рабочих условий, включая различные температурные диапазоны и внешние воздействия.

3. Высокие электрические характеристики. Транзистор КТ834А обладает высокой скоростью переключения, высоким коэффициентом усиления и низкими потерями мощности, что обеспечивает эффективную работу устройств, в которых он используется.

4. Простота подключения. Транзистор КТ834А имеет удобную конструкцию и простой способ подключения, что облегчает его использование и интеграцию в различные электрические схемы.

5. Широкое применение. Транзистор КТ834А широко используется во многих областях, включая радиосвязь, электронику, автоматизацию и другие, благодаря его высоким электрическим характеристикам и надежности.

6. Доступность и стоимость. Транзистор КТ834А доступен для покупки по разумной цене и легко доступен на рынке, что делает его доступным и привлекательным для использования в различных проектах.

Все это делает транзистор КТ834А превосходным выбором для многих электротехнических проектов и приложений.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

напряжение К-Б:
2Т819(А) U_{КБ max}= 25 В;
2Т819(Б) U_{КБ max}= 40 В;
2Т819(В_ U_{КБ max}= 60 В;
напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
постоянный ток через коллектор
КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
ток через базу I_{Б max} = З А;
импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
т-ра перехода
2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
KT8I9(A, АМ) U_КЭО_гр ≤ 25 В;
КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 15;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 10;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.