S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Основные технические характеристики TL431:

напряжение анод-катод: 2,5…36 вольт;
ток анод-катод: 1…100 мА (если нужна стабильная работа, то не стоит допускать ток менее 5мА);

Точность опорного источника напряжения TL431 зависит от 6-той буквы в обозначении:

без буквы — 2%;
буква A — 1%;
буква B — 0,5%.

Видно, что TL431 может работать в широком диапазоне напряжений, но вот токовые способности не так велики всего 100 мА, да и мощность рассеиваемая такими корпусами не превышает сотен мили Ватт. Для получения более серьезных токов интегральный стабилитрон стоит использовать как источник опорного напряжения, регулирующую функцию доверив мощным транзисторам.

Характеристики

Приведем основные предельно допустимые характеристики транзистора ВС557 при температуре окружающей среды 25 о С:

Максимальное напряжение коллектор-база U_кб_max = — 50 В;
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер U_кэ_max = -45 В;
Наибольшее возможное напряжение эмиттер-база U_эб_max = -5 В;
Максимальный постоянный ток коллектора I_к_max = -100 А;
Наибольший допустимый ток коллектора I_{к пик} = -200 А;
Рассеиваемая мощность коллектора (максимальная) Р_к_max = 0,5 Вт;
Температура хранения (рабочая) T_stg = -65 … 150 о С;
Максимальная температура перехода T_j = 150 о С.

В следующей таблице написаны основные электрические значения устройства.

В документации производителя присутствует такой параметр как «тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда»

Данное число показывает, насколько градусов увеличится температура кристалла, при увеличении рассеиваемой мощности.

Все транзисторы ВС557 по статическому коэффициенту передачи тока (h_fe) делятся на три группы А, В и С.

Для ВС557А – h_fe = от 110 до 200;
Для ВС557В – h_fe = от 200 до 450;
Для ВС557С – h_fe = от 420 до 800;

На следующем рисунке приведен график зависимости коэффициента усиления транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером h_fe от тока коллектора.

На графике по оси абсцисс отложены значения тока коллектора в логарифмическом масштабе. По оси ординат отложены значения h_fe.

Datasheet Download — STMicroelectronics

Номер произв

BC857

Описание

SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS

Производители

STMicroelectronics

логотип

1Page

No Preview Available !

BC857
BC858
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
Type
BC857A
BC857B
BC858A
BC858B
Marking
3E
3F
3J
3K

s SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP

TRANSISTORS

s MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS

s VERY LOW NOISE AF AMPLIFIER

s NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847

2
3
1
SOT-23INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ym b o l
Parameter

VCES

V CBO

V CEO

V EBO

ICM

IBM

IEM

Ptot

Tstg

Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0)

Collector-Base Voltage (IE = 0)

Collector-Emitter Voltage (IB = 0)

Emitter-Base Voltage (IC = 0)

Collector Current
Collector Peak Current
Base Peak Current
Emitter Peak Current

Total Dissipation at Tc = 25 oC

Storage Temperature
Max. O perating Junction Temperature
October 1997
Value
BC857
BC858
-50 -30
-50 -30
-45 -30
-5
-0.1
-0.2
-0.2
-0.2
300
-65 to 150
150
Uni t
V
V
V
V
A
A
A
A
mW

1/5

No Preview Available !

BC857/BC858
THERMAL DATA

Rthj-amb • Thermal Resistance Junction-Ambient

Rth j-SR • Thermal Resistance Junction-Substrat e

• Mounted on a ceramic substrate area = 10 x 8 x 0.6 mm

Max
Max
420
330

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symb ol
P a ram et er
Test Conditions

ICBO

Collector Cut-off

Current (IE = 0)

VCE = -30 V

VCE = -30 V Ta mb = 150 oC

V(BR)CES ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(VBE = 0)

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

V( BR)CBO ∗ Collect or-Base

Breakdown Voltage

(IE = 0)

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

V( BR)CEO ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(IB = 0)

V(BR)EBO

Em it t er -Base
Breakdown Voltage

(IC = 0)

VCE(sat)∗ Collect or-Emitter

Saturation Voltage

IC = -2 mA

for BC857

for BC858

IC = -10 µA

for BC857

for BC858

IC = -10 mA

IC = -100 mA

IB = -0.5 mA

IB = -5 mA

VBE(s at)∗ Base-Emitt er

Saturation Voltage

IC = -10 mA IB = -0.5 mA

IC = -100 mA IB = -5 mA

VBE(on)∗ Base-Emitt er O n

Voltage

IC = -2 mA VCE = -5 V

IC = -10 mA VCE = -5 V

hFE DC Current G ain

IC = -10 µA

for group A

for group B

IC = -2 mA

for group A

for group B

VCE = -5 V

fT Transit ion F requency IC = -10 mA VCE = -5 V f = 100MHz

CCB Collect or Base

Capacitance

IE = 0 VCB = -10 V f = 1 MHz

NF Noise Figure

VCE = -5 V IC = -0.2 mA f = 1KHz

∆f = 200 Hz RG = 2 KΩ

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

Min.
-50
-30
-50
-30
-45
-30
-6
-5
-0.6
110
200
Typ .
-0.09
-0.25
-0.75
-0.9
-0.66
-0.72
90
150
180
290
150
2
1.2
M a x.
-15
-5
-0.3
-0.65
-0.75
-0.82
220
450
6
10
4
Unit
nA

µA

V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
dB
dB
2/5

No Preview Available !

BC857/BC858

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued)

Symb ol
P a ram et er
Test Conditions

hie Input Impedance

VCE = -5 V IC = -2 mA

for group A

for group B

f = 1KHz

hre Reverse Voltage Ratio VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz

for group A

for group B

hfe Small Signal Current VCE = -5 V IC = -2 mA f = 1KHz

Gain

for group A

for group B

hoe Output Admittance

VCE = -5 V IC = -2 mA

for group A

for group B

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

f = 1KHz
Min. Typ . Max. Un it

1.6 2.7 4.5 KΩ

3.2 4.5 8.5 KΩ

1.5 10-4

2 10-4

220
330

18 30 µs

30 60 µs

3/5

Всего страниц

5 Pages

Скачать PDF

Простое зарядное устройство для литиевого аккумулятора.

Главное отличие зарядного устройства от блока питания – четкое ограничение зарядного тока. Следующая схема имеет два режима ограничения:

по току;
по напряжению;

Пока напряжение на выходе меньше 4,2 В ограничивается выходной ток, при достижении напряжением величины 4,2 В начинает ограничиватся напряжение и ток заряда снижается.
На следующей схеме ограничение тока осуществляют транзисторы VT1, VT2 и резисторы R1-R3. Резистор R1 выполняет функцию шунта, когда напряжение на нем превышает 0,6 В (порог открывания VT1), транзистор VT1 открывается и закрывает транзистор VT2. Из-за этого падает напряжение на базе VT3 он начинает закрываться и следовательно снижается выходное напряжение, а это ведет к снижению выходного тока. Таким образом работает обратная связь по току и его стабилизация. Когда напряжение подбирается к уровню 4,2 В в работу начинает вступать DA1 и ограничивать напряжение на выходе зарядного устройства.

А теперь список номиналов компонентов схемы:

DA1 – TL431C;
R1 – 2,2 Ом;
R2 – 470 Ом;
R3 – 100 кОм;
R4 – 15 кОм;
R5 – 22 кОм;
R6 – 680 Ом (нужен для подстройки выходного напряжения);
VT1, VT2 – BC857B;
VT3 – BCP68-25;
VT4 – BSS138.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы