Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC846B.
Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC846B .Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.Можно попробовать заменить транзистор BC846Bтранзистором 2N2222;
транзистором 2N2222;
транзистором 2N2222;
транзистором 2N2222;
транзистором 2N2222;
транзистором BC546B;
транзистором BC546B;
транзистором BC546B;
транзистором BC546B;
транзистором BC546B;
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Datasheets
Просмотр и загрузка
Datasheet BC846, BC847, BC848, BC849, BC550
PDF, 187 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 19NPN Silicon AF Transistors
Выписка из документа
BC846.-BC850.NPN Silicon AF Transistors• For AF input stages and driver applications• High current gain• Low collector-emitter saturation voltage• Low noise between 30 Hz and 15 kHz• Complementary types:BC856.-BC860.(PNP)• Pb-free (RoHS compliant) package 1)• Qualified according AEC Q101 1Pb-containing package may be available upon special request 1 2007-04-20 BC846.-BC850.Type Marking Pin Configuration BC846A 1As 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC846B 1Bs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC846BW 1Bs 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC847A 1Es 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC847B 1Fs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC847BF 1Fs 1=B 2=E 3=C -TSFP-3 BC847BL3 1F 1=B 2=E 3=C -TSLP-3-1 BC847BT 1F 1=B 2=E 3=C -SC75 BC847BW 1Fs 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC847C 1Gs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC847CW 1Gs 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC848A 1Js 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC848AW 1Js 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC848B 1Ks 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC848BF 1Ks 1=B 2=E 3=C -TSFP-3 BC848BL3 1K 1=B 2=E 3=C -TSLP-3-1 BC848BW 1Ks 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC848C 1Ls 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC848CW 1Ls 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC849B 2Bs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC849BF 2Bs 1=B 2=E 3=C -TSFP-3 BC849C 2Cs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC849CW 2Cs 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC850B 2Fs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BF850BF 2Fs 1=B 2=E 3=C -TSFP-3 BC850BW 2Fs 1=B 2=E 3=C -SOT323 BC850C 2Gs 1=B 2=E 3=C -SOT23 BC850CW 2Gs 1=B 2=E 3=C -SOT323 2 Package 2007-04-20 BC846.-BC850.Maximum RatingsParameter Symbol Collector-emitter voltage VCEO Value V BC846. 65 BC847., BC850. 45 BC848., BC849. 30 Collector-emitter voltage Unit VCES BC846. 80 BC847., BC850. 50 BC848., BC849. 30 Collector-base voltage VCBO BC846. 80 BC847., BC850. 50 BC848., BC849. 30 Emitter-base voltage VEBO BC846. 6 BC847., BC850. 6 BC848., BC849. 6 Collector current IC 100 Peak collector current ICM 200 Total power dissipation-Ptot mW TS ≤ 71 °C, BC846-BC850 330 TS ≤ 128 °C, BC847F-BC850F 250 TS ≤ 135 °C, BC847L3-BC848L3 250 TS ≤ 109 °C, BC847T 250 TS ≤ 124 °C, BC846W-BC850W 250 Junction temperature Tj Storage temperature Tstg 3 mA 150 °C -65 . 150 2007-04-20 BC846.-BC850.Thermal ResistanceParameterJunction -soldering point 1) SymbolRthJS Value BC846-BC850 ≤ 240 BC847F-BC850F ≤ 90 BC847L3-BC848L3 ≤ 60 BC847T ≤ 165 BC846W-BC850W ≤ 105 1For UnitK/W calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance 4 2007-04-20 BC846.-BC850.Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specifiedSymbolValuesUnitParameter …
Datasheet
PDF, 194 Кб
Datasheet
LIB, 136 Кб
