C5706 pdf даташит

Разновидности порядка действия биполярных транзисторов

Нормальный активный режим

Характеристика:

1. Открытая эмиттерно-базовая область (смещение по прямому направлению);
2. Закрытая коллекторно-базовая область (смещение по обратному направлению);
3. Положительный уровень напряжения в эмиттерно-базовой области;
4. Отрицательный уровень напряжения в коллекторно-базовой области.

Пункты 3 и 4 приведены для  p-n-p транзисторов. Для моделей с n-p-n структурой характеристика будет обратной данной.

Инверсный активный режим

Характеристика:

1. Обратное смещение на эмиттерном переходе;
2. Прямое смещение на коллекторным переходе.

Остальные пункты как для нормального активного режима.

Режим насыщения

Характеристика:

1. Соединение Э-перехода и К-перехода с внешними источниками;
2. Прямое смещение эмиттерного и коллекторного перехода;
3. Ослабление диффузного электрического поля из-за электрического поля внешних источников;
4. Снижение уровня потенциального барьера, что приведёт к ослаблению контроля диффузии основных НЗ, а также смещению большого количества дырок из эмиттерных и коллекторных областей в область базы.

Вследствие последнего пункта происходит формирование эмиттерных и коллекторных токов насыщения (Iэ.нас. и Iк.нас.)

В этом же режиме фигурирует понятие «напряжение насыщения» на переходе К-Э. Благодаря ему можно определить степень падения напряжения для открытого транзистора. Подобным образом напряжение насыщения для перехода Б-Э  определяет степень падения напряжения для приведённого участка.

Режим отсечки

Характеристика:

• Смещение по обратному направлению в К-области;
• Смещение Э-перехода по любому направлению, при условии, что оно не превысит пороговый показатель, который отграничивает начало процесса испускания электронов эмиттером в базовый слой.

Уровень приведённого показателя в случае с кремниевым биполярным транзистором достигает 0,6-0,7 Вольт, значит режим отсечки возможен при нулевой силе тока на базе, либо при уровне напряжения менее 0,7 Вольт на Э-Б переходе.

Барьерный режим

Характеристика:

• Соединение базового сегмента и коллектора на коротко, либо с применением малогабаритного резистора;
• Производится подключение резистора к коллекторной или эмиттерной цепи, чтобы он мог задавать ток посредством транзисторного элемента.

Действие в представленном режиме преобразует полупроводниковый триод в аналог диода с последовательным подключением к токозадающему резистору. Каскад, построенный в соответствии с данной схемой,имеет небольшое количество составляющих и почти не зависит от характеристик используемого устройства.

Как работает транзистор c5706?

Работа транзистора c5706 основана на управлении током с помощью электрического поля, формируемого на поверхности кристалла полупроводника. Внутри транзистора есть три области, называемые истоком, стоком и затвором. Затвор управляет током между истоком и стоком, изменяя его значение.

Когда на затвор подается электрическое напряжение, электрическое поле, создаваемое зарядами на поверхности затвора, проникает в канал между истоком и стоком. Это поле изменяет пространственно-зарядовую структуру в канале и управляет током, проходящим через транзистор.

Включение и выключение транзистора осуществляется путем изменения напряжения на затворе. Когда на затворе отсутствует напряжение или оно очень мало, транзистор находится в выключенном состоянии. При наличии напряжения на затворе, транзистор включается и позволяет току протекать через него.

Транзистор c5706 обладает характерными особенностями, такими как низкое потребление энергии, высокая мощность переключения и надежность. Он широко применяется в различных электронных устройствах, таких как компьютеры, телевизоры, мобильные телефоны и другие.

Использование транзистора c5706 в электронных схемах требует учета его характеристик и особенностей. При правильной настройке и использовании этого транзистора можно достичь оптимальной производительности и эффективности электронного устройства.

Основные характеристики и параметры транзисторов

Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.

Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).

В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?

ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.

Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.

По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).

По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).

По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!

По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).

По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).

Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.

Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».

Описание

Транзистор C5706 способен выдерживать ток до 4 А и напряжение до 80 В. Он характеризуется низким уровнем шума и низкими потерями мощности. Также он обладает высокой скоростью переключения и низким временем задержки. Эти характеристики делают транзистор C5706 идеальным для использования в различных электронных устройствах, включая усилители мощности, стабилизаторы напряжения, инверторы и другие.

У транзистора C5706 есть ростовый корпус TO-92, что обеспечивает удобное монтажное и расположение элемента на печатной плате. Кроме того, он имеет высокую степень защиты от внешних факторов, таких как температурные перепады, вибрации и электромагнитные помехи.

Для получения максимальной производительности и стабильной работы транзистора C5706 рекомендуется соблюдать все указания по монтажу и эксплуатации, а также следить за его тепловым режимом и не превышать допустимые электрические параметры. При правильном использовании транзистор C5706 обеспечит надежное функционирование и длительный срок службы.

Параметры

Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 150 В. Данный параметр указывает на максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при отключенном базовом электроде.

Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (Vcbo): 150 В. Этот параметр показывает максимальное допустимое напряжение между коллектором и базой, когда эмиттер замкнут на землю.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база (Vebo): 5 В. Эта величина говорит о максимально допустимом напряжении между эмиттером и базой, когда коллектор замкнут на землю.

Максимальный допустимый коллекторный ток (Ic): 3 A. Данный параметр указывает на максимальное допустимое значение коллекторного тока.

Максимальный допустимый ток базы (Ib): 0.8 А. Этот параметр показывает максимально допустимое значение базового тока.

Максимальная мощность, которую транзистор может выдерживать (Pd): 1.2 Вт. Данный параметр указывает на максимальное допустимое значение мощности, которое может быть потреблено транзистором.

Коэффициент усиления по току (hfe): 100-400. Этот параметр показывает, насколько усиливается коллекторный ток в зависимости от базового тока.

Температурный диапазон эксплуатации (Tj): от -55°C до +150°C. Диапазон температур, в котором транзистор может надежно работать.

Все эти параметры имеют большое значение при выборе и использовании транзистора c5706 в электронных схемах.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код	Сопротивление
101	100 Ом
471	470 Ом
102	1 кОм
122	1.2 кОм
103	10 кОм
123	12 кОм
104	100 кОм
124	120 кОм
474	470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Описание транзистора c5706

Этот транзистор обладает различными характеристиками, которые определяют его потенциал для использования в различных электронных схемах. Он имеет высокую частоту переключения, низкое сопротивление включения и выключения, а также низкий уровень шума.

Транзистор c5706 может работать с высокими температурами и обладает высокой стабильностью работы. Он обычно используется в цифровых усилителях, устройствах силовой электроники и других электронных схемах требующих быстрого переключения сигналов высокой мощности.

Основные характеристики транзистора c5706:

1. Максимальная мощность: 1 Вт.
2. Максимальное рабочее напряжение: 80 В.
3. Максимальный рабочий ток: 500 мА.
4. Частота переключения: 30 МГц.
5. Тип корпуса: TO-92.

Транзистор c5706 представляет собой надежное и универсальное устройство, которое находит применение во многих электронных системах и устройствах.

Полная информация

Ниже приведены основные характеристики транзистора C5706:

• Тип транзистора: NPN транзистор
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 200 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (Vcb): 200 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (Veb): 5 В
• Максимальный ток коллектора (Ic): 2 А
• Максимальный ток базы (Ib): 0,1 А
• Максимальная мощность потери (Pd): 1 Вт
• Температурный диапазон (Tj): от -55°C до +150°C

Транзистор C5706 может использоваться в различных электронных схемах, таких как усилители, источники питания, переключатели и другие.

Кроме того, данный транзистор обладает низким сопротивлением перехода и высокой надежностью, что делает его отличным выбором для многих промышленных и автомобильных приложений.

Если вы ищете надежный транзистор с хорошими характеристиками, транзистор C5706 может быть правильным выбором для ваших проектов.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Транзистор c5706: что это такое?

Транзистор c5706 относится к категории PNP-транзисторов и имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Он часто используется в различных схемах усиления и переключения электрических сигналов.

Основная особенность транзистора c5706 заключается в его способности усиливать электрический сигнал. Он может усилить слабый сигнал и передать его на другой участок электрической цепи. Благодаря этому, транзистор c5706 находит применение в различных устройствах и системах, таких как радио, телевизоры, компьютеры и многие другие.

Характеристики транзистора c5706 могут быть различными в зависимости от производителя и модели. В основном, они описывают его максимальные значения тока и напряжения, а также его коэффициент усиления. Знание характеристик транзистора c5706 позволяет правильно подобрать его для конкретной задачи и электрической цепи.

Таким образом, транзистор c5706 является важным компонентом в электронике, обеспечивая усиление и контроль электрического сигнала. Его разнообразные характеристики делают его универсальным и широко применяемым в различных электронных устройствах и системах.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

33810
ИС управления двигателем автомобиля
Freescale Semiconductor
ПДФ

74LVC14A
НИЗКОВОЛЬТНЫЙ CMOS HEX-ИНВЕРТОР
STMicroelectronics
ПДФ

АД1582
Источники эталонного напряжения в режиме серии Precision
Аналоговые устройства
ПДФ

АД1583
Источники эталонного напряжения серии Precision Series
Аналоговые устройства
ПДФ

АД1584
Источники эталонного напряжения в режиме серии Precision
Аналоговые устройства
ПДФ

АД1585
Источники эталонного напряжения серии Precision Series
Аналоговые устройства
ПДФ

АД629
Дифференциальный усилитель
Аналоговые устройства
ПДФ

АДС1246
Аналого-цифровые преобразователи
Техас Инструментс
ПДФ

АДС1247
Аналого-цифровые преобразователи
Техас Инструментс
ПДФ

АДС1248
Аналого-цифровые преобразователи
Техас Инструментс
ПДФ

ADT2450
Рабочий ИК-приемник 5 В
АДТех
ПДФ

ADT2510
АДТех
ПДФ

АМ50-0002
Малошумящий усилитель
МА-КОМ
ПДФ

АМ50-0003
Малошумящий усилитель с расширенным динамическим диапазоном
МА-КОМ
ПДФ

Монитор BenQ FP567s



Монитор BenQ FP567s

Монитор (FP567) поступил в ремонт с заявленным дефектом «не включается». При внешнем осмотре, на плате источника питания / инвертора BenQ 48.L6302.A00 (источник питания выполнен на основе микросхемы ШИМ-контроллера UC3842B (datasheet), а инвертор — на основе микросхемы TL1451ACN (datasheet), четырёх биполярных транзисторов 2SC5706 (маркировка — C5706) и двух высоковольтных трансформаторов 19.26039.001), выявлен электролитический конденсатор C714 1000uF-10V, значительно потерявший свою ёмкость (остаточная ёмкость около 160uF). После замены указанного конденсатора, а также пропайки платы, работоспособность монитора была восстановлена. P.S. Через несколько лет, данный монитор вновь поступил в ремонт с таким же заявленным дефектом. В ходе внешнего осмотра, на плате источника питания / инвертора, был выявлен неисправный («вздувшийся») электролитический конденсатор C707 1000uF-16V (тип — Elite EL(M) 105°C), после его замены на исправный, монитор стал включаться, но подсветка при этом гасла через несколько секунд после включения. В ходе дальнейшей проверки было установлено, что причиной этого является дефект (замыкание в высоковольтной обмотке) высоковольтного трансформатора T751 (работает на лампу подсветки, подключаемую к разъёму CN752, «верхняя» лампа). После замены данного трансформатора на исправный, типа EE19-26048, работоспособность монитора была полностью восстановлена. В мониторе используются матрица AU Optronics M150XN05 V.1 и плата main board (скалер) BenQ 48.L6301.A01 (выполнена на основе микросхем MRT MASCOT VZ и MYSON MTV312MV64). P.P.S. В случае невозможности приобретения исправного высоковольтного трансформатора для замены, можно перевести монитор на работу с одной лампой подсветки. Для этого: отключаем защиту инвертора путём замыкания выводов 15 (SCP) и 8 (GND) микросхемы IC751 TL1451ACN (отсюда, страница 2) и выпаиваем дроссель L751, стоящий в цепи питания каскада, выполненного на основе трансформатора T751 (в случае неисправности другого высоковольтного трансформатора, выпаиваем, соответственно второй, аналогичный дроссель). Качество изображения при этом будет удовлетворительным.

» Ноутбук Acer Aspire 5052

Ноутбук поступил в ремонт с заявленным дефектом «не включается». В ходе проверки установлено, что аккумуляторная батарея и адаптер…

полностью…

» Монитор LG FLATRON L1753S (5)

Монитор поступил в ремонт с заявленным дефектом «не работает», при включении, подсветка изображения появляется на пару секунд и…

полностью…

» Монитор SAMSUNG SyncMaster 940N (6)

Монитор поступил в ремонт с заявленным дефектом «изображение появляется на несколько секунд после включения».

полностью…

» Жидкокристаллический телевизор MYSTERY MTV-3207W

Жидкокристаллический телевизор MYSTERY MTV-3207W поступил в ремонт со следами неквалифицированного вмешательства, с заявленным дефектом «»не…

полностью…

» Блок питания Linkworld LPT2-20 250W

выполнен на основе микросхемы TL494CN, маркировка LEC-026 VER:1.0, заявленный дефект «не работает». В ходе проверки выявлена сильная потеря…

полностью…

Характеристики транзистора c5706

• Тип корпуса: TO-92
• Материал: кремний
• Предельно допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА
• Предельно допустимая постоянная мощность потерь: 625 мВт
• Напряжение коллектор-эмиттер (максимальное): 50 В
• Тепловое сопротивление корпус-переход: 200 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-радиатор: 80 °C/Вт
• Максимальная рабочая температура: 150 °C
• Коэффициент усиления тока (hfe): 100-300
• Смещение температуры вольт-амперной характеристики: 2 мВ/°C

Учитывая высокую надежность и стабильность работы, транзистор c5706 является популярным компонентом в различных электронных схемах и устройствах.

Транзистор c5706

Характеристика	Значение
Тип	NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	50 В
Максимальный коллекторный ток	150 мА
Мощность потери на открытом коллекторе	830 мВт
Максимальная рабочая температура	150°C
Корпус	TO-92

Транзистор c5706 обладает высоким коэффициентом усиления тока и низким уровнем шума, что делает его идеальным компонентом для усилителей, ключевых устройств и других электронных схем.

Он широко применяется в различных областях, таких как аудиоустройства, светодиодные драйверы, источники питания и другие устройства, требующие усиления и коммутации электрических сигналов.

Транзистор c5706 является надежным и стабильным компонентом, который обеспечивает эффективную работу электронных устройств.

Электрические характеристики

Цифровой транзистор C5706 обладает следующими основными электрическими характеристиками:

Параметр	Значение
Коллекторный ток (IC)	0.1 А
Коллекторное напряжение (VC)	60 В
Базовый ток (IB)	0.05 А
Базовое напряжение (VB)	5 В
Коллектор-эмиттерное сопротивление (RCE)	0.5 Ом
Мощность потери на переходе (PTF)	0.4 Вт
Коэффициент усиления по току (hFE)	100-300
Температурный коэффициент усиления (ΔhFE/ΔT)	0.2%/°C
Максимальная рабочая температура (Tj)	150°C

Эти характеристики позволяют использовать транзистор C5706 в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, инверторы и другие системы управления и коммутации.

Преимущества использования цифровых транзисторов

Вот некоторые из преимуществ использования цифровых транзисторов:

1. Высокая надежность: Цифровые транзисторы обладают высокой стабильностью и долговечностью. Они могут работать в широком диапазоне температур и обеспечивают стабильную работу устройств даже в условиях экстремальных нагрузок.

2. Быстрая коммутация: Цифровые транзисторы способны очень быстро переключаться между состояниями 1 и 0, что позволяет им обрабатывать и передавать информацию с высокой скоростью.

3. Экономия энергии: Цифровые транзисторы потребляют меньшее количество энергии по сравнению с аналоговыми транзисторами. Это позволяет снизить энергопотребление электронного устройства и увеличить его энергоэффективность.

4. Защита от шумов: Цифровые транзисторы обладают высокой степенью защиты от различных электромагнитных шумов, что позволяет им работать стабильно в сложных условиях с высоким уровнем помех.

5. Малый размер: Цифровые транзисторы имеют очень маленький размер, что делает их идеальными для использования в микроэлектронике и производстве компактных электронных устройств, таких как мобильные телефоны и носимые устройства.

Все эти преимущества делают цифровые транзисторы важными компонентами для разработки и производства современных электронных устройств.

Характеристики

Характеристика	Значение
Тип транзистора	PNP
Максимальное непрерывное коллекторное напряжение (VCEO)	50 В
Максимальное коллекторное напряжение при обращенном базисе (VCBO)	50 В
Максимальное эмиттерное напряжение при обращенном базисе (VEBO)	5 В
Максимальный коллекторный ток (IC)	1 А
Максимальный базисный ток (IB)	0.1 А
Мощность потери в коллекторе (PC)	0.625 Вт
Тип корпуса	TO-220
Коэффициент усиления по току (hFE)	70 — 400
Максимальная рабочая температура (Tj)	150 °C

Эти характеристики позволяют эффективно использовать транзистор c5706 в различных электронных схемах, включая усилители, источники питания, стабилизаторы и другие устройства.