Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1012
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора:
2SA1012
Datasheet (PDF)
..1. Size:215K toshiba 2sa1012.pdf
..2. Size:343K utc 2sa1012.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-
..3. Size:116K mospec 2sa1012.pdf
AAA
..4. Size:1282K jiangsu 2sa1012.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base
..5. Size:119K jmnic 2sa1012.pdf
Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip
..6. Size:318K lge 2sa1012.pdf
2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll
..7. Size:226K lzg 2sa1012 3ca1012.pdf
2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
..8. Size:242K inchange semiconductor 2sa1012.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
0.1. Size:742K jiangsu 2sa1012b.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev
0.2. Size:583K semtech st2sa1012.pdf
ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec
0.3. Size:196K inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.
Модификации
Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 2100 pf | 18 A | 55 nC | 0.18 Ohm | TO220 |
IRF640A | 139 W | 200 V | 150 °C | 1160 pf | 18 A | 0.18 Ohm | TO220 | |||
IRF640FI | 40 W | 200 V | 20 V | 150 °C | 2100 pf | 10 A | 0.18 Ohm | ISOWATT220 | ||
IRF640FP | 40 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 200 pf | 18 A | 55 nC | 0.18 Ohm | TO-220FP |
IRF640H | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-263 |
IRF640L | 130 W | 200 V | 10 V | 4 V | 150 °C | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO262 | |
IRF640LPBF | 130 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-262 |
IRF640N | 150 W | 200 V | 20 V | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | TO220AB | |||
IRF640NL | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | TO262 | |
IRF640NLPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0.15 Ohm | TO-262 |
IRF640NPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0.15 Ohm | TO-220AB |
IRF640NS | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 18 A | 44.7 nC | 0.15 Ohm | D2PAK | |
IRF640NSPBF | 150 W | 200 V | 20 V | 4 V | 175 °C | 185 pf | 18 A | 67 nC | 0.15 Ohm | TO-263 |
IRF640PBF | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-220AB |
IRF640S | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | D2PAK | |
IRF640SPBF | 130 W | 200 V | 20 V | 4 V | 150 °C | 430 pf | 18 A | 70 nC | 0.18 Ohm | TO-263 |
In Stock: 2857
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Технические характеристики
Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.
Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:
- напряжение сток-исток VDS = 200 В;
- напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
- ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
- при Тс= +25°С ID = 18 А;
- при Тс= +100°С ID = 11 А;
- кратковременный ток стока: 72 А.
- мощность PD = 125 Вт;
- максимальная т-ра кремния +300°С;
- рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.
Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.
Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Статические характеристики | ||||||
Напряжение пробоя сток-исток | ID = 250 мкА, VGS = 0 В | VDSS | 200 | В | ||
Пороговое напряжение включения затвор-исток | ID = 250 мкА, VGS = VDS | VGS(th) | 2 | 3 | 4 | В |
Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS = 200 В, VGS = 0 В,
Tj = 25°C |
IDSS | 25 | мкА | ||
VDS = 200 В, VGS = 0 В,
Tj = 125°C |
250 | мкА | ||||
Ток утечки затвор-исток | VGS = 20 В, VDS = 0 В | IGSS | 100 | нА | ||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | ID = 10 A, VGS = 10 В | RDS(on) | 0,15 | 0,18 | Ом | |
Динамические характеристики | ||||||
Крутизна | ID = 9 A | gfs | 7 | 11 | S | |
Входная ёмкость | VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц | 1200 | 1560 | пФ | ||
Выходная ёмкость | 200 | 260 | пФ | |||
Ёмкость затвор — сток | 60 | 80 | пФ | |||
Время задержки включения | VDD =100 В, ID =18 A,
RG =25 Ом |
td(on) | 20 | 50 | нс | |
Время нарастания | tr | 145 | 300 | нс | ||
Время задержки включения | td(off) | 145 | 300 | нс | ||
Время закрытия транзистора | tf | 110 | 230 | нс | ||
Характеристики канала исток-сток | ||||||
Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток | Т = 25°C | IS | 18 | А | ||
Максимально допустимый импульсный ток через канал | Т = 25°C | ISM | 72 | А | ||
Прямое падение напряжения на диоде | Т = 25°C, IF = 18 A | VSD | 2 | В | ||
Время обратного восстановления | VR = 25 В, IF = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C | Trr | 130 | нс | ||
Заряд восстановления | Qrr | 0,8 | мкКл |
Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.
Тепловые характеристики IRF640 | |||
Параметры | Обозн. | max | Ед. изм |
Тепловое сопротивление кристалл-корпус | Rthj-case | 1 | °С/Вт |
Тепловое сопротивление корпус-радиатор | Rthj-sink | 0,5 | °С/Вт |
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда | Rthj-amb | 62,5 | °С/Вт |
Максимальная температура свинца для пайки | 300 | °С |
Маркировка и цоколёвка
Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.
Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:
- Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
- Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :
А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.
На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.
Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.
Аналоги
Тип | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 55 nC | 2100 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
IRF640A | 139 W | 200 V | 18 A | 150 °C | 1160 pf | 0,18 Ohm | TO220 | ||||
IRF640N | 150 W | 200 V | 20 V | 18 A | 44,7 nC | 0,15 Ohm | TO220AB | ||||
IRFP640 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 18 A | 150 °C | 51 ns | 430 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
18N40 | 360 W | 400 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 22 ns | 280 pf | 0,18 Ohm | TO‑247 TO‑220 TO‑220F1 | ||
AOT29S50 | 357 W | 500 V | 30 V | 29 A | 150 °C | 39 ns | 88 pf | 0,15 Ohm | TO‑220 | ||
AOT42S60L | 417 W | 600 V | 30 V | 3,8 V | 39 A | 150 °C | 53 ns | 135 pf | 0,099 Ohm | TO220 | |
BUZ30A | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 21 A | 150 °C | 70 ns | 280 pf | 0,13 Ohm | TO‑220 | |
FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
IPP220N25NFD | 300 W | 250 V | 20 V | 4 V | 61 A | 175 °C | 10 ns | 398 pf | 0,022 Ohm | TO‑220 | |
IPP320N20N3 | 136 W | 200 V | 20 V | 4 V | 34 A | 175 °C | 22 nC | 9 ns | 135 pf | 0,032 Ohm | TO‑220 |
IPP410N30N | 300 W | 300 V | 20 V | 4 V | 44 A | 175 °C | 9 ns | 374 pf | 0,041 Ohm | TO‑220 | |
IPP50R140CP | 192 W | 500 V | 20 V | 3,5 V | 23 A | 150 °C | 48 nC | 14 ns | 110 pf | 0,14 Ohm | TO220 |
IPP600N25N3G | 136 W | 250 V | 20 V | 4 V | 25 A | 175 °C | 22 nC | 10 ns | 112 pf | 0,06 Ohm | TO220 |
IPP60R165CP | 192 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 21 A | 150 °C | 39 nC | 5 ns | 100 pf | 0,165 Ohm | TO220 |
IRF650A | 156 W | 200 V | 28 A | 150 °C | 2300 pf | 0,085 Ohm | TO220 | ||||
IRFB4620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
IRFB5620 | 144 W | 200 V | 20 V | 25 A | 25 nC | 0,0725 Ohm | TO220AB | ||||
NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
STP30NF20 | 125 W | 200 V | 20 V | 4 V | 30 A | 150 °C | 38 nC | 15,7 ns | 320 pf | 0,075 Ohm | TO220 |
UF640 | 139 W | 200 V | 20 V | 18 A | 150 °C | 58 ns | 240 pf | 0,14 Ohm | TO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F | ||
2SK2136 | 75 W | 200 V | 30 V | 20 A | 150 °C | 30 nC | 85 ns | 540 pf | 0,18 Ohm | TO220 | |
FQP19N20C | 139 W | 200 V | 30 V | 4 V | 19 A | 150 °C | 40,5 nC | 0,17 Ohm | TO220 | ||
FQA19N20C | 180 W | 200 V | 30 V | 4 V | 21,8 A | 150 °C | 53 nC | 150 ns | 195 pf | 0,17 Ohm | TO3P |
BUZ31 | 95 W | 200 V | 20 V | 4 V | 14,5 A | 150 °C | 50 ns | 195 pf | 0.2 | PG-TO-220-3 |
В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Отечественные и зарубежные аналоги
Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.
При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).
Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.
В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.
Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:
Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.
Схема однотактного УНЧ на транзисторе
Самый простой усилитель, построенный по схеме с общим эмиттером, работает в классе «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В коллекторной цепи установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Коллекторная цепь соединяется с положительным проводом питания, а эмиттерная – с отрицательным. В случае использования полупроводниковых транзисторов со структурой p-n-p схема будет точно такой же, вот только потребуется поменять полярность.
С помощью разделительного конденсатора С1 удается отделить переменный входной сигнал от источника постоянного тока. При этом конденсатор не является преградой для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 представляют собой простейший делитель напряжения питания. Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм – наиболее типичные значения для таких схем. При этом напряжение питания делится ровно пополам. И если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h21 составит 150. Нужно отметить, что усилители КВ на транзисторах выполняются по аналогичным схемам, только работают немного иначе.
биполярные транзисторы.
На резисторе R1 теперь можно вычислить значение падения – это разница между напряжениями базы и питания. При этом напряжение базы можно узнать по формуле – сумма характеристик эмиттера и перехода «Э-Б». При питании от источника 20 Вольт: 20 – 9,7 = 10,3. Отсюда можно вычислить и значение сопротивления R1=10,3В/60 мкА=172 кОм. В схеме присутствует емкость С2, необходимая для реализации цепи, по которой сможет проходить переменная составляющая эмиттерного тока.
Если не устанавливать конденсатор С2, переменная составляющая будет очень сильно ограничиваться. Из-за этого такой усилитель звука на транзисторах будет обладать очень низким коэффициентом усиления по току h21
Нужно обратить внимание на то, что в вышеизложенных расчетах принимались равными токи базы и коллектора. Причем за ток базы брался тот, который втекает в цепь от эмиттера. Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения
Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения.