Характеристики транзистора irf640

Транзистор irf640

Биполярный транзистор 2SA1012 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1012

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора:

2SA1012
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  toshiba 2sa1012.pdf

 ..2. Size:343K  utc 2sa1012.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1012 PNP SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION FEATURES *Low Collector Saturation Voltage V =-0.4V(max.) At I =-3A CE(SAT) C*High Speed Switching Time: t =1.0s (Typ.) S*Complementary To 2SC2562 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 32SA1012L-x-TA3-

 ..3. Size:116K  mospec 2sa1012.pdf

AAA

 ..4. Size:1282K  jiangsu 2sa1012.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012 TRANSISTOR (PNP) FEATURES High Current Switching Applications. Low Collector Saturation Voltage High Speed Swithing Time 1. BASE 2. COLLECTOR3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base

 ..5. Size:119K  jmnic 2sa1012.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA1012 Silicon PNP Transistors Features B C E With TO-220 package Complementary to 2SC2562 Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage -60 V VCEO Collector to emitter voltage -50 V VEBO Emitter to base voltage -5 V IB Base current A IC Collector current -5 A PC Collector power dissip

 ..6. Size:318K  lge 2sa1012.pdf

2SA1012(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOTR3. EMITTER 3 21FeaturesHIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. Low Collector Saturation Voltage : VCE(SAT) = — 0.4V(MAX) at IC= — 3A High Speed Swithing Time : tstg = 1.0us (Typ.) Complementary to 2SC2562 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Coll

 ..7. Size:226K  lzg 2sa1012 3ca1012.pdf

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 ..8. Size:242K  inchange semiconductor 2sa1012.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching SpeedComplement to Type 2SC2562100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 0.1. Size:742K  jiangsu 2sa1012b.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors 2SA1012B TRANSISTOR (PNP) FEATURES TO-252-2L -2A,-50V Middle Power Transistor Suitable for Middle Power Driver Low Collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS 1. BASE Middle Power Driver 2. COLLECTOR LED Driver Power Supply3. EMITTER MARKING A1012B= Dev

 0.2. Size:583K  semtech st2sa1012.pdf

ST 2SA1012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current switching applications. The transistor is subdivided into two group, O and Y, according to its DC current gain. TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollec

 0.3. Size:196K  inchange semiconductor 2sa1012-d.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1012-DDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.4(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CHigh Switching Speed TO-252 Package-D=Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие транзисторы… 2SA1008
, 2SA1009
, 2SA1009A
, 2SA101
, 2SA1010
, 2SA1011
, 2SA1011D
, 2SA1011E
, 2SC2655
, 2SA1012O
, 2SA1012Y
, 2SA1013
, 2SA1013O
, 2SA1013R
, 2SA1014
, 2SA1015
, 2SA1015L
.

Модификации

Тип Pd Uds Ugs Ugs(th) Tj Cd Id Qg Rds Корпус
IRF640 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 2100 pf 18 A 55 nC 0.18 Ohm TO220
IRF640A 139 W 200 V 150 °C 1160 pf 18 A 0.18 Ohm TO220
IRF640FI 40 W 200 V 20 V 150 °C 2100 pf 10 A 0.18 Ohm ISOWATT220
IRF640FP 40 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 200 pf 18 A 55 nC 0.18 Ohm TO-220FP
IRF640H 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-263
IRF640L 130 W 200 V 10 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO262
IRF640LPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-262
IRF640N 150 W 200 V 20 V 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO220AB
IRF640NL 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO262
IRF640NLPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-262
IRF640NPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-220AB
IRF640NS 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm D2PAK
IRF640NSPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-263
IRF640PBF 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-220AB
IRF640S 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm D2PAK
IRF640SPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-263

In Stock: 2857

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Технические характеристики

Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.

Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:

  • напряжение сток-исток VDS = 200 В;
  • напряжение затвор-исток: VGS = 20 В;
  • ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
  • при Тс= +25°С ID = 18 А;
  • при Тс= +100°С ID = 11 А;
  • кратковременный ток стока: 72 А.
  • мощность PD = 125 Вт;
  • максимальная т-ра кремния +300°С;
  • рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.

Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 оC)
Параметры Режимы измерения Обозн. min typ max Ед. изм
Статические характеристики
Напряжение пробоя сток-исток ID = 250 мкА, VGS = 0 В VDSS 200 В
Пороговое напряжение включения затвор-исток ID = 250 мкА, VGS = VDS VGS(th) 2 3 4 В
Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 25°C

IDSS 25 мкА
VDS = 200 В, VGS = 0 В,

Tj = 125°C

250 мкА
Ток утечки затвор-исток VGS = 20 В, VDS = 0 В IGSS 100 нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ID = 10 A, VGS = 10 В RDS(on) 0,15 0,18 Ом
Динамические характеристики
Крутизна ID = 9 A gfs 7 11 S
Входная ёмкость VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц 1200 1560 пФ
Выходная ёмкость 200 260 пФ
Ёмкость затвор — сток 60 80 пФ
Время задержки включения VDD =100 В, ID =18 A,

RG =25 Ом

td(on)  20 50 нс
Время нарастания t 145 300 нс
Время задержки включения td(off) 145 300 нс
Время закрытия транзистора t 110 230 нс
Характеристики канала исток-сток
Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток Т = 25°C I 18 А
Максимально допустимый импульсный ток через канал Т = 25°C ISM 72 А
Прямое падение напряжения на диоде Т = 25°C, IF  = 18 A VSD 2 В
Время обратного восстановления VR  = 25 В, IF  = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C Trr 130 нс
Заряд восстановления Qrr 0,8 мкКл

Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.

Тепловые характеристики IRF640
Параметры Обозн. max Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rthj-case 1 °С/Вт
Тепловое сопротивление корпус-радиатор Rthj-sink 0,5 °С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда Rthj-amb 62,5 °С/Вт
Максимальная температура свинца для пайки 300 °С

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

  • Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
  • Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Аналоги

Тип Pd Uds Ugs Ugs(th) Id Tj Qg Tr Cd Rds Корпус
IRF640 125 W 200 V 20 V 4 V 18 A 150 °C 55 nC 2100 pf 0,18 Ohm TO220
IRF640A 139 W 200 V 18 A 150 °C 1160 pf 0,18 Ohm TO220
IRF640N 150 W 200 V 20 V 18 A 44,7 nC 0,15 Ohm TO220AB
IRFP640 125 W 200 V 20 V 4 V 18 A 150 °C 51 ns 430 pf 0,18 Ohm TO220
18N40 360 W 400 V 30 V 18 A 150 °C 22 ns 280 pf 0,18 Ohm TO‑247 TO‑220 TO‑220F1
AOT29S50 357 W 500 V 30 V 29 A 150 °C 39 ns 88 pf 0,15 Ohm TO‑220
AOT42S60L 417 W 600 V 30 V 3,8 V 39 A 150 °C 53 ns 135 pf 0,099 Ohm TO220
BUZ30A 125 W 200 V 20 V 4 V 21 A 150 °C 70 ns 280 pf 0,13 Ohm TO‑220
FQP19N20C 139 W 200 V 30 V 4 V 19 A 150 °C 40,5 nC 0,17 Ohm TO220
IPP220N25NFD 300 W 250 V 20 V 4 V 61 A 175 °C 10 ns 398 pf 0,022 Ohm TO‑220
IPP320N20N3 136 W 200 V 20 V 4 V 34 A 175 °C 22 nC 9 ns 135 pf 0,032 Ohm TO‑220
IPP410N30N 300 W 300 V 20 V 4 V 44 A 175 °C 9 ns 374 pf 0,041 Ohm TO‑220
IPP50R140CP 192 W 500 V 20 V 3,5 V 23 A 150 °C 48 nC 14 ns 110 pf 0,14 Ohm TO220
IPP600N25N3G 136 W 250 V 20 V 4 V 25 A 175 °C 22 nC 10 ns 112 pf 0,06 Ohm TO220
IPP60R165CP 192 W 600 V 20 V 3,5 V 21 A 150 °C 39 nC 5 ns 100 pf 0,165 Ohm TO220
IRF650A 156 W 200 V 28 A 150 °C 2300 pf 0,085 Ohm TO220
IRFB4620 144 W 200 V 20 V 25 A 25 nC 0,0725 Ohm TO220AB
IRFB5620 144 W 200 V 20 V 25 A 25 nC 0,0725 Ohm TO220AB
NCE65T130 260 W 650 V 30 V 4 V 28 A 150 °C 37,5 nC 12 ns 120 pf 0,13 Ohm TO220
STP30NF20 125 W 200 V 20 V 4 V 30 A 150 °C 38 nC 15,7 ns 320 pf 0,075 Ohm TO220
UF640 139 W 200 V 20 V 18 A 150 °C 58 ns 240 pf 0,14 Ohm TO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F
2SK2136 75 W 200 V 30 V 20 A 150 °C 30 nC 85 ns 540 pf 0,18 Ohm TO220
FQP19N20C 139 W 200 V 30 V 4 V 19 A 150 °C 40,5 nC 0,17 Ohm TO220
FQA19N20C 180 W 200 V 30 V 4 V 21,8 A 150 °C 53 nC 150 ns 195 pf 0,17 Ohm TO3P
BUZ31 95 W 200 V 20 V 4 V 14,5 A 150 °C 50 ns 195 pf 0.2 PG-TO-220-3

В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

  • (MJE)13002;
  • (MJE)13003;
  • (MJE)13005;
  • (MJE)13007;
  • (MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.

Схема однотактного УНЧ на транзисторе

Самый простой усилитель, построенный по схеме с общим эмиттером, работает в классе «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В коллекторной цепи установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Коллекторная цепь соединяется с положительным проводом питания, а эмиттерная – с отрицательным. В случае использования полупроводниковых транзисторов со структурой p-n-p схема будет точно такой же, вот только потребуется поменять полярность.

С помощью разделительного конденсатора С1 удается отделить переменный входной сигнал от источника постоянного тока. При этом конденсатор не является преградой для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 представляют собой простейший делитель напряжения питания. Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм – наиболее типичные значения для таких схем. При этом напряжение питания делится ровно пополам. И если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h21 составит 150. Нужно отметить, что усилители КВ на транзисторах выполняются по аналогичным схемам, только работают немного иначе.

биполярные транзисторы.

На резисторе R1 теперь можно вычислить значение падения – это разница между напряжениями базы и питания. При этом напряжение базы можно узнать по формуле – сумма характеристик эмиттера и перехода «Э-Б». При питании от источника 20 Вольт: 20 – 9,7 = 10,3. Отсюда можно вычислить и значение сопротивления R1=10,3В/60 мкА=172 кОм. В схеме присутствует емкость С2, необходимая для реализации цепи, по которой сможет проходить переменная составляющая эмиттерного тока.

Если не устанавливать конденсатор С2, переменная составляющая будет очень сильно ограничиваться. Из-за этого такой усилитель звука на транзисторах будет обладать очень низким коэффициентом усиления по току h21

Нужно обратить внимание на то, что в вышеизложенных расчетах принимались равными токи базы и коллектора. Причем за ток базы брался тот, который втекает в цепь от эмиттера. Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения

Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: